《电力电子技术》第8章BJT和GTR.ppt

* 电力电子技术 Power Electronics 第八章功率晶体管和二极管 * 功率晶体管分类 双极性功率晶体管:电流控制型器件 BJT: bipolar junction transistorGTR: Giant Transistor 场控晶体管:电压型控制器件 MOSFET：场效应功率晶体管 IGBT：绝缘栅双极性功率晶体管 IGCT：集成门极换向晶闸管 第二节 功率晶体管 * 一.双极型功率晶体管 第二节 功率晶体管 80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管 但目前又大多被IGBT和功率MOSFET取代 功率晶体管（GTR---巨型晶体管） 耐高电压、大电流的双极型晶体管 * 结构: 三层半导体,二个PN结 符号, NPN, PNP（很少） P141页：垂直导电、集成 第二节 功率晶体管 一.双极型功率晶体管 * 1 BJT的稳态特性 晶体管电路分类: 共射,共基,共集 伏安特性: 三区, 截止 / 放大 / 饱和 第二节 功率晶体管 * 一般采用共发射极接法，集电极电流ic与基极电流ib之比为GTR的电流放大系数 ?=Ic/Ib 反映了基极电流对集电极电流的控制能力 第二节 功率晶体管 1 BJT的稳态特性 * ?? 共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区 ?? 在电力电子电路中GTR工作在开关状态 即工作在截止区或饱和区 ?? 第二节 功率晶体管 1 BJT的稳态特性 * 临界饱和电流Ics （式8-20） 临界饱和基极电流Ibs 式8-21 过驱动系数 ODF 式8-22 强制电流增益：Ics与实际驱动电流Ib之比 1 BJT的稳态特性 应用时的主要参数设计 第二节 功率晶体管 * 2 BJT的开关特性 PN结有势垒电容和扩散电容影响 PN结的电容同样也影响GTR的开关特性 第二节 功率晶体管 * 开通过程:延迟时间td+上升时间tr=开通时间ton td--由发射结势垒电容和集电结势垒电容充电产生 增大ib的幅值并增大dib/dt，可缩短延迟时间，同时可缩短上升时间，从而加快开通过程??? 第二节 功率晶体管 2 BJT的开关特性 * 第二节 功率晶体管 2 BJT的开关特性 关断过程 关断时间toff =存储时间ts+下降时间tf Ts对应于除去饱和导通时储存在基区的少数载流子的时间，是关断时间的主要部分 * 减小导通时的饱和深度以减小储存的载流子，或者增大基极抽取负电流Ib2的幅值和负偏压，可缩短储存时间，从而加快关断速度 负面作用是会使集电极和发射极间的饱和导通压降Uces增加，从而增大通态损耗??? 第二节 功率晶体管 2 BJT的开关特性 GTR的开关时间在几微秒以内，比晶闸管短很多 * 3 双极型功率晶体管参数 P144页 电流放大倍数（集电极电流与基极电流之比） 与集电极电流大小和温度相关 温度升高，放大倍数上升（正温度系数） 是设计驱动电流的重要依据 Uces或导通电阻 饱和电压降：与Ic、饱和深度及结温有关 或用导通电阻定义导通压降 （饱和压降与集电极电流近似成正比） 耐压越高的器件导通电阻越大 第二节 功率晶体管 * 3 双极型功率晶体管参数 第二节 功率晶体管 额定电压 （参见P145） GTR有两个PN结，其电压定额有多种条件 U(BR)cbo发射极开路时Ucbm U(BR)cex基射极反偏时Ucem U(BR)ces基射极短路时Ucem U(BR)cer基射极有电阻时Ucem U(BR)ceo基射极开路时Ucem BUceo<BUcer1<BUcer2<BUces<BUcex<BUcbo (on condition of R1>R2) * 3 双极型功率晶体管参数 第二节 功率晶体管 额定电流 （参见P146） 集电极最大允许电流IcM 通常规定为hFE下降到规定值的1/2--1/3时所对应的Ic 实际使用时要留有裕量，只能用到IcM的一半或稍多一点 电流Ibm, Iem * 3 双极型功率晶体管参数 第二节 功率晶体管 集电极最大耗散功率PcM 指定工作温度下允许的最高耗散功率. PcM与温度相关 * 4 BJT的二次击穿现象与安全工作区 第二节 功率晶体管 一次击穿（电击穿） ?? 集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大，出现雪崩击穿 ?? 只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变 二次击穿（热击穿） ?? 一次击穿发生时Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升，并伴随电压的陡然下降 ?? 常常立即导致器件的永久损