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太阳能发电技术的研究进展 硅太阳能电池发展最早。虽然技术上最成熟，但是仍然有不少研究和开发工作，一方 面希望进一步提高转换效率， 另一方面希望进一步降低成本。 一个思路是在几何结构 E想办 法。图 6 是一种细条型结构 (Sliver) 硅太阳能电池。 该结构的基本思想是将二维平面型的受 光面变为三维的立体型受光面。 一个硅片上可以制作几千个细条。 据报道， 该结构在同样尺 寸下可以将受光面积增大 10～30 倍。图 7 是另外一种方案，将材料制备成双面的太阳能电 池。该结构在接收直射太阳光的同时，还接收从地面反射和散射的太阳光。 当然， 聚焦光学 系统也可以用于硅太阳能电池， 以提高辐照密度， 减小硅片的面积。但是对于硅， 聚焦比不 能太高。辐照密度提高对转换效率的作用，对于工作温度较低的硅器件会较早地趋于饱和， 并随之下降。 据报道用于硅太阳能电池的聚焦比一般为 30～ 50 倍 ; 而用于Ⅲ一 V 族太阳能电 池的聚焦比一般为 500 1000 倍。聚焦型太阳能电池成为近几年来研究开发的热点。 6 Sliver 结构硅太阳电池 图  7  双面太阳能电池 另外一种受到广泛重视的方案是薄膜型电池。 其中的光电转换材料可以采用无定刑硅、 多晶硅或微晶硅。 有一些研究工作以开发Ⅳ一Ⅵ族半导体材料为目标， 用 CdTe作为有源区， 配合 CdS，ZnO等材料构成异质结。另外一种受到广泛关注的材料是铜一铟一硒合金 (CISCopper-Indium — Selenium) ，铜一铟一镓一硒合金 (cIGS) ，或 Cu。 ZnSn。。这些材料 都可以用薄膜制备方法，如射频溅射、真空蒸发等，沉积在玻璃基板，甚至柔软的基板上。 铜～铟一硒材料资源相对来说很丰富， 制备也比较简易。 虽然转换效率低于单晶硅， 但是相 差也不是很多。据报道， CulnGaSe 电池的转换效率已经达到 19.2%，离开单晶硅电池 24.7% 的记录不太远， 而成本要低得多，从大面积推广应用考虑，很值得重视。此外还有许多新型 材料在研究、 开发和探索之中， 其中包括有机聚合物材料和染料敏化的聚合物。 它们的转换 效率远低于硅和Ⅲ一 V 族材料， 但足其成本也远远低于半导体材料。 而且可以制备柔软底板 的大面积电池， 适合于在各种不同形状的建筑物上铺设。 在Ⅲ一 V 族材料方面。 氮化物半导 体高温性能优异，不同配比组合可获得很宽的禁带宽度调节范围。图 2(b) 显示的就是以 Ge-Si 合金，Si 和 InGaN 三种材料构成的图 8 几种主要的太阳能电池转换效率的发展进程三 重结电池。虽然红外长波边的能量稍有损失，但 Fig·8 Efficiency improVement progress of seVeral 属于太阳能光谱中能量较弱的边缘区域，影响较小。 图 8 是被许多文献引用的各种太阳能电池转换效率 30 年来发展的汇总‰引。 可以看到， 从效率的角度，最高为多苇结Ⅲ一 V 族材料，下面依次为单晶硅、薄膜技术和有机聚合物。 文献 [8] 报道，2006 年光电池转换效率的世界记录是锗基三重结的 40.7%;2007 年报道为 42%; 预期 2009 年将达到 45%。 光电池材料是太阳能发电的基础。科学和技术的发展没有止境，新概念的太阳能电池 材料和结构也在不断探索之中。图 9(a) 是一个新概念的光电池凹 3。在宽带材料中 EII A@ 间能带，太阳能的长波光子将电子激发到中间能带，随后又被长波段光子激发到导带中 ; 短 波光子将电子直接从价带激发到导带上去。 这样就扩大了光电池的光谱响应范围。 另一个新 概念是对短波长光子用频率下转换方法， 一个高能光子变为两个低能光子， 再用窄禁带的半 导体材料作光电转换，如图 9(b) 所示。 图  9  （ a）利用中间带概念的光电池；（  b）利用频率下转换概念的光电池 此外，纳米材料在太阳能电池方面的应用也在探索之中。 图 lO(a) 是纳米线太阳能电池的一个方案 L 21 。图中圆柱体表面为 n 型半导体，芯子为 P 型。无数纳米线构成表面积巨 大的光电池， 充分吸收太阳光。 文献报道， 在硅衬底的纳米金球阵列上可以生长直径数十纳 米，长度达数微米的硅纳米线。还有报道用 ZnO制备的 Nano fibrils 材料。图 10(b) 是一 种级联量子阱结构的概念设计 n?。该结构中，有小带隙阱中的子能级对，还有大带隙垒的带问能级，包含了多种不同能量差的能级，具有宽的吸收谱。 图 10 （a）纳米线太阳能电池的概念；（ b）级联量子阱太阳能电池的概念 随着能源技术和产业浪潮的高涨，无论在物理上还是在技术上，太阳能电池将会取得目前想象不到的大突破和