实验三半导体的霍尔效应.pdf

. 实验三 半导体的霍尔效应 置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产 生一附加的横向电场，这个现象是霍普金斯大学研究生霍尔于 1879 年发现的，后被称为霍 尔效应。 如今霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段， 而且利用该效应制成的 霍尔器件已广泛用于非电量的电测量、 自动控制和信息处理等方面。 在工业生产要求自动检 测和控制的今天， 作为敏感元件之一的霍尔器件， 将有更广泛的应用前景。 掌握这一富有实 用性的实验，对日后的工作将有益处。 一、 实验目的 １．了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。 V H I M H S ２．学习用“对称测量法”消除副效应的影响，测量试样的 V -I 、 曲线。 ３．确定载流子浓度以及迁移率。 二、 实验仪器 霍尔效应实验组合仪。 三、 实验原理 Y A l C X v FE Z EH e b I S FB A C d A' C' I S F E ＋ － e v V EH FB A' C' mA a b 图 1.1 霍尔效应实验原理示意图 a)载流子为电子（ N 型） b）载流子为空穴（ P 型） 1．霍尔效应 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。 当带电 粒子 （电子或空穴） 被约束在固体材料中， 这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正 负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场 EH 。如图 1.1 所示的半导体试样， 若在 X 方向通以电流 I S ，在 Z 方向加磁场 B ，则在 Y 方向即试样 A-A / 电极两侧就开始聚 集异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决于试样的导电类型。对图 1.1 （a）所 '.