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第五章 存储器及其接口 1. 单项选择题 （1） DRAM2164(64K╳ 1) 外部引脚有（） A.16 条地址线、 2 条数据线 B.8 条地址线、 1 条数据线 C．16 条地址线、 1 条数据线 D.8 条地址线、 2 条数据线 (2)8086 能寻址内存贮器的最大地址范围为 () A.64KB B.512KB C.1MB D.16KB （3）若用 1K╳ 4b 的组成 2K╳ 8b 的 RAM，需要（）。 A．2 片 B.16 片 C.4 片 D.8 片 （4）某计算机的字长是否 2 位，它的存储容量是 64K字节编址，它的寻址 范围是（）。 A．16K B.16KB C.32K D.64K （5）采用虚拟存储器的目的是（） A．提高主存的速度 B. 扩大外存的存储空间 C．扩大存储器的寻址空间 D.提高外存的速度 （6） RAM存储器器中的信息是（） A．可以读 / 写的 B. 不会变动的 C. 可永久保留的 D.便于携带的 （7）用 2164DRAM芯片构成 8086 的存储系统至少要（）片 A．16 B.32 C.64 D.8 （8）8086 在进行存储器写操作时，引脚信号 M/IO 和 DT/R 应该是（） A．00 B。01 C。10 D。11 （9）某 SRAM芯片上，有地址引脚线 12 根，它内部的编址单元数量为（） A．1024 B。4096 C。 1200 D。2K （11）Intel2167(16K ╳ 1B)需要（）条地址线寻址。 A．10 B.12 C.14 D.16 （12）6116（2K╳ 8B）片子组成一个 64KB的存贮器，可用来产生片选信号的地址线是（）。 A．A0~A10 B。 A0 ~A15 C。A11~A15 D。A4~A19 （13）计算一个存储器芯片容量的公式为（） A．编址单元数╳ 数据线位数 B。编址单元数╳ 字节 C．编址单元数╳ 字长 D。数据线位数╳ 字长 （14）与 SRAM相比， DRAM（） A．存取速度快、容量大 B。存取速度慢、容量小 C．存取速度快，容量小 D。存取速度慢，容量大 （15）半导动态随机存储器大约需要每隔（）对其刷新一次。 A．1ms B.1.5ms C.1s D.100μ s （16）对 EPROM进行读操作，仅当（）信号同时有效才行， 。 A．OE、RD B。 OE、CE C。CE、 WE D。OE、 WE 2．填空题 （1）只读存储器 ROM有如下几种类型： _________. （2）半导体存储器的主要技术指标是 _________。 （3）在 16 位微机系统中，一个存储字占用两个 8 位字节单元，字的低 8 位 存放在 _________、高 8 位存放在 _________。 （4） SRAM芯片 6116（ 2K╳ 8B）有 _________位地址引脚线、 _________位数据引脚线。 （5）在存储器系统中，实现片选控制有三种方法，它们是 _________。 （6）74LS138译码器有三个“ 选择输入端” C、B、A 及 8 个输出端 y0~y7，当 输入地址码为 101 时，输出端 _________有效。 （7）半导体表态存储器是靠 _________存储信息，半导体动态存储器是靠 - _________存储信息。 （8）对存储器进行读 / 写时，地址线被分为 _________和 _________两部分，它们分别用以产生 _________和_________信号。 3．多项选题 （1） DRAM的特点是（） A．可读 B.可写 C.信息永久保存 D.需要刷新 E.一旦关机，其信息丢失 （2）一般所说存贮器的性能指标是指（） A．价格 B.容量 C.速度 D.功耗 E.可靠性 （3） 8086 对存储器进行访问所涉及到的信号有（） A ．M/IO B.INTA C.DT/R D.DEN E.RD/WR （4）哪些地址译码方式会产生地址重叠区？（） A．与非门 B.或非门 C.线译码 D.部分译码 E.全译码 （5） 8086 访问内存可能执行（）总线周期。 A．一个 B.二个 C.三个 D.四个 E.五个 （6） HM6116 芯片上哪些引脚信号控制其工作方式？（） A ．CE B.OE C.RD D.WE E.M/IO （7）8086/8088 不论是访问内存还是访问外设，在所发出的控制信号中相同的部分是（） A ．M/IO B.RD/WR C.DEN D.DT/R E.ALE 4．判断说明题 （1） PROM 是可以多次改写的 ROM 。（） （2） E PROM、 PROM、 ROM关机后，所存住处均