了解电力电子器件-精品学习资料.ppt 76页

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  • 2020-09-21 发布

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    任务2.4 全控型器件 2.4.3 电力场效应晶体管 5. 电力MOSFET的安全工作区 (1)正偏安全工作区 由通态电阻限制线Ⅰ、最大漏极电流限制线Ⅱ、最大功耗限制线Ⅲ和最大漏源电压限制线Ⅳ四条边界极限决定。 (2)开关安全工作区 由最大漏极电流、最大漏源击穿电压和最高结温所决定。 任务2.3 晶闸管 (6)通态平均电压UT(AV) 在规定环境温度、标准散热条件下,晶闸管通以正弦半波额定电流时,阳极与阴极间电压降的平均值称为通态平均电压(又称管压降)。 (7)门极触发电流IGT和门极触发电压UGT 在室温下,晶闸管加6V正向阳极电压时,使其完全导通所必需的最小门极电流称 为门极触发电流。对应于门极触发电流的门极电压称为门极触发电压。 (8)断态电压临界上升率du/dt 指在额定结温和门极开路的情况下,不导致晶闸管从断态转为通态的最大阳极电压上升率。 (9)通态电流临界上升率di/dt 指在规定条件下,晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。 任务2.3 晶闸管 2.晶闸管的型号 K P - 通态平均电压组别(小于100A不标) 正反向重复峰值电压等级(额定电压) 通态平均电流等级(额定电流) 普通反向阻断型 K—快速型 S—双向型 N—逆导型 G—可关断型 表示闸流特性 图2.9 晶闸管的型号 任务2.3 晶闸管 给晶闸管门极提供触发信号的电路称为晶闸管的触发电路,其作用是产生符合要求的门极触发脉冲,保证晶闸管在需要的时刻由阻断转为导通。 对于触发电路输出的脉冲应满足如下要求: (1)触发脉冲应有足够的功率。 (2)触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压保持同步。 (3)触发脉冲的相位应能在规定范围内移动。 (4)触发脉冲要有一定的宽度,脉冲前沿要陡。 2.3.5 晶闸管的触发电路 任务2.3 晶闸管 由脉冲放大环节(晶体管T1、T2构成)和脉冲输出环节(脉冲变压器TM及附属电路构成)两部分组成。当T1、T2导通时,脉冲变压器TM输出电压经D2输出脉冲电流,给晶闸管的门极提供触发脉冲。D1和R3是为了T1、T2由导通变为截止时TM释放其储能而设的。 2.3.5 晶闸管的触发电路 TM T2 +E 1 +E 2 T1 R1 R3 R2 D1 D2 D3 R4 图2.11 带隔离变压器的晶闸管触发电路 任务2.3 晶闸管 当控制系统发出驱动信号到光电耦合输入端时,光电耦合输出电路中R3上的电压产生脉冲电流IG触发晶闸管SCR导通。 2.3.5 晶闸管的触发电路 任务2.3 晶闸管 1. 快速晶闸管 允许开关频率在400Hz以上的晶闸管称为快速晶闸管,开关频率在10kHz以上的称为高频晶闸管,可应用于斩波或逆变电路中。 从关断时间来看,普通晶闸管一般为数百微秒,快速晶闸管为数十微秒,而高频晶闸管则为10μs左右。 2.3.6 晶闸管的派生器件 2. 双向晶闸管 一对普通晶闸管反向并联连接构成,有两个主电极T1、T2和一个门极G。门极使器件在主电极的正反两方向均可触发导通,所以双向晶闸管在第一和第三象限有对称的伏安特性。双向晶闸管的额定电流是用正弦电流有效值而不是用平均值标定。 任务2.3 晶闸管 3. 逆导晶闸管 将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件,有阳极A、阴极K和门极G三个电极。逆导晶闸管反向击穿电压很低,只能适用于反向仅需承受很低电压的场合。逆导晶闸管的额定电流分别以晶闸管和二极管的额定电流表示。 2.3.6 晶闸管的派生器件 4. 光控晶闸管 利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。小功率光控晶闸管只有阳极和阴极两个端子,大功率光控晶闸管的门极带有光缆,光缆上装有发光二极管或半导体激光器作为触发光源。采用光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘,而且可以避免电磁干扰的影响。 任务2.4 全控型器件 1. GTO的结构 PNPN四层半导体结构,外部引出三个电极,分别是阳极A、阴极K和门极G。 GTO是一种多元的功率集成器件,内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元,这些GTO元的阴极和门极在器件内部并联在一起。 2.4.1 门极可关断晶闸管 (a) (b) (c) A G K A G K G G K N2 P2 N2 N1 P1 图2.16 GTO的结构和电气符号 任务2.4 全控型器件 2. GTO的工作原理 GTO的导通过程与普通

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