电工学与电子技术B复习题与参考答案_(1).docx

一、 选择题 6、欲使放大器净输入信号削弱，应采取的反馈类型是（ D） A．串联反馈； B 并联反馈； C．正反馈；Ｄ．负反馈。 7、由一个三极管组成的基本门电路是（ B） A．与门； B．非门； C．或门；Ｄ．异或门。 8、在脉冲门电路中，应选择（ B）的三极管。 A．放大能力强； B．开关速度快； C．价格便宜；Ｄ．集电极最大耗散功率高。 9、数字集成门电路中，目前生产最多且应用最普遍的门电路是（ D） A．与门； B．非门； C．或门；Ｄ．与非门。 24、对半导体而言，其正确的说法是（ C） A．P 型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电； B．N 型半导体多数载流子为自由电子，所以它 带负电； C．P 型半导体和 N 型半导体本身都不带电； D．在Ｎ型半导体中，空穴是多子，自由电子是 少子 25、在放大电路中，若测得某晶体管 3 个极的电位分别为 9V、4V、3.7V，则这 3 个极分别为（ A） A． C、B、E； B ．C、E、B； C．E、C、B。 26、在放大电路中，若测得某晶体管 3 个极的电位分别为 -6V、-2.3V 、-2V，则这 -2.3 V 的那个极为 （B） A．集电极； B．基极； C．发射极。 27、在放大电路中，若测得某晶体管 3 个极的电位分别为 6V、1.2V 、1V，则该管为（ C） A．NPN 型硅管； B． PNP 型锗管； C．NPN 型锗管； D． PNP 型硅管。 28、对某电路中的一个 NPN 型硅管测试，测得 UBE>0,UBC>0,UCE>0, 则此管工作在（ B） A．放大区； B．饱和区； C．截止区。 29、对某电路中的一个 NPN 型硅管测试，测得 UBE<0,UBC<0,UCE>0, 则此管工作在（ C） A．放大区； B．饱和区； C．截止区。 30、对某电路中的一个 NPN 型硅管测试，测得 UBE>0,UBC<0,UCE>0, 则此管工作在（ A） A．放大区； B．饱和区； C．截止区。 31、晶体三极管的控制方式为（ B） A．输入电流控制输出电压； B．输入电流控制输出电流； C．输入电压控制输出电压。 32、场效晶体管的控制方式为（ C） A．输入电流控制输出电压； B．输入电压控制输出电压； C．输入电压控制输出电流。 33、射极输出器（ A） A．有电流放大作用，没有电压放大作用； B．有电流放大作用，也有电压放大作用； C．没有电流放大作用，也没有电压放大作用。 34、某测量放大电路，要求输入电阻高，输出电流稳定，应引入（ B） A．并联电流负反馈； B．串联电流负反馈； C．串联电压负反馈； D．并联电压负反馈。 35、与 A B C D 相等的为（ C） A． A B C D ；B．( A B) (C D) ；C． A B C D 。 36、与 A ABC 相等的为（ B） A．A+B ；B．A+BC ；C． A BC 。 37、若 Y AB AC 1，则（ C） A．ABC=001 ；B．ABC=110 ；C．ABC=100 。 38、已知函数 F AB BC ，则它的“与非—与非”表达式为（ B ）。 A. AB BC B. AB BC C.AB BC 39、组合逻辑电路的分析是指（ C）。 A．已知逻辑图，求解逻辑表达式的过程； B．已知真值表，求解逻辑功能的过程； C．已知逻辑图， 求解逻辑功能的过程。 46、如图 4 所示的晶体管，测得三电极的电位分别是 U1 6V ，U2 3V ， U3 2.3V ，则该晶 体管的的的类型及各电极的名称为： （ A ） A．NPN 型，①是集电极、②是基极、③发射极 B．PNP 型，①是发射极、②是基极、③集电极 C．NPN 型，①是集电极、②发射极、③基极 ① D．PNP 型，①是集电极、②发射极、③基极 ② ③ 47、PNP 型晶体三极管处于放大状态时，各极电位关系必须满足： （ B ） （图 4） ； B．UC<UB<UE ； C．UC> U E > UB A ．UC>UB>UE ； 50、共集电极放大电路的电压放大倍数 Au( B ) A．大于 1； B．小于并接近 1 ； C．等于 1 ； D．远大于 1． 51、下列哪一个不是逻辑函数的表示方法（ C ）。 A．真值表； B．逻辑图； C．波形图； D．逻辑表达式 . 53、P 型半导体中的多数载流子是（ B ） A．自由电子； B ．空穴； C．正离子。 三、填空题 6．最常用的半导体材料有 硅 和 锗 两种。 7．晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为 0.6 ～0.7 V ，锗管约为 0.2 ～0.3 V 。通常硅二 极管的死区电压约为 0.5 V ，锗二极管的死区电压约为 0.1 V 。 8．逻辑代数的三种最基本的运算关