电力电子技术（吕志香）项目四 开关电源控制电路.pptxVIP

项目四 开关电源控制电路;任务一、全控型器件学习;1、 电力晶体管;优点：具有自关断能力, 饱和压降低、开关时间短、安全工作区宽，功率容量大。 缺点:驱动电流较大、耐浪涌电流能力差、易受二次击穿而损坏。 目前，电力晶体管常用的外形有四种：铁壳封装、塑壳封装、模块封装和 集成电路封装。封装的外形如图1-17所示 （a）铁壳封装 (b)塑壳封装 (c) 模块封装 (d) 电路封;5/89;2）电力晶体管的类型 （1）单管电力晶体管 可靠性高，能改善器件的二次击穿特性，易于提高耐压能力，并易于散出内部热量。 （2）达林顿电力晶体管 它是由2个或多个晶体管复合而成，可以是PNP型也可以是NPN型，其性质取决于驱动管，它与普通复合三极管相似。如图1-19所示达林顿电力晶体管的电流放大倍数很大，可以达到几十至几千倍。虽然达林顿电力晶体管大大提高了电流放大倍数，但其饱和管压降却增加了，增大了导通损耗，同时降低了管子的工作速度。 （a）NPN-NPN型达林顿结构 (b)PNP-NPN型达林顿结构 ;（3）电力晶体管模块 目前生产的GTR模块，可将多达6个相互绝缘的单元电路制在同一个模块内，便于组成三相桥电路。 这样，大大提高了器件的集成度、工作的可靠性和性能价格比，同时也实现了小型轻量化。;3）GTR的基本特性（静态和动态） (1)静态特性 ?GTR在共发射极接法时的典型输出特性分为截止区、放大区和饱和区三个区域。与普通晶体管类似。 注意：在电力电子电路中， GTR工作在开关状态，即工 作在饱和区或截止区。 ?但在开关过程中，即在饱和区和截止区之间过渡时， 一般要经过放大区。; (2)动态特性 ?开通过程 √开通时间ton为延迟时间td和上升时间tr之和。 ?关断过程 √需要经过储存时间ts和下降时间tf，二者之和为关断时间toff。 √要加快关断速度，可减小导通时的饱和深度以减小储???的载流子，从而可缩短ts，或增大基极抽取负电流Ib2的幅值和负偏压，负面影响，减小饱和深度会使饱和导通压降Uces增大而增大通态损耗。 ?比较：GTR的开关时间在几微秒以内，比晶闸管短很多。;4)GTR的主要参数;2、 电力场效应晶体管;1）电力MOSFET的种类 ?按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时又有耗尽型和增强型。 ?当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。 ?对于N(P)沟道器件，当栅极电压大于（小于）零时漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。 ?在电力MOSFET中，主要是N沟道增强型。 ; ?它是单极型的电压控制型器件。 ?结构上与小功率MOS管有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，而目前电力MOSFET大都采用了垂直导电结构，故又称为VMOSFET ，这大大提高了器件的耐压和耐电流能力。 ?按垂直导电结构的不同，又分为利用 V型槽实现垂直导电的VVMOSFET （Vertical V-groove MOSFET）和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。这里主要以 VDMOSFET器件为例进行讨论。 ?电力MOSFET也是多元集成结构，由许多小MOSFET 元组成。 ;3）电力MOSFET的工作原理：关开 ?截止：当漏源极间接正电压，栅极和源极间电压为零时，漏源极之间无电流流过。 ?导通： √在栅极和源极之间加一正电压UGS，当UGS大于某一电压值UT（开启电压或阈值电压，一般为3V左右）时，漏极和源极导电。 √控制电压UGS超过UT越多，导电能力越强，漏极电流ID越大。 ;;?输出特性 √是指电力MOSFET的ID与UDS间特性曲线。 √分为三个区：截止区（对应于GTR的截止区）、饱和区（对应于GTR的放大区）、非饱和区（对应于GTR的饱和区）。?饱和是指漏源电压增加时漏极