第十章-工艺集成..ppt

工艺流程－ LI Metal Formation PVD Ti 阻挡层Ti/TiN W淀积 平坦化W LI Oxide as a Dielectric for Inlaid LI Metal 工艺流程－ Via-1 Formation 9. 通孔和钨塞形成 通孔制作：层间介质 平坦化 光刻通孔 刻蚀 工艺流程－ Plug-1 Formation 钨塞制作：淀积Ti Ti/TiN W 平坦化W 工艺流程－ Metal-1 Interconnect Formation 10. 第一层金属互连 淀积Ti Al-Cu合金 抗反射层 光刻互连图形 工艺流程－ Via-2 Formation 第二层金属互连 通孔： 填充 ILD 光刻 刻蚀 工艺流程－ Plug-2 Formation 第二层金属互连 钨塞： Ti Ti/TiN W CMP 工艺流程－ Metal-2 Interconnect Formation 第二层金属互连 Full 0.18 mm CMOS Cross Section 先进的CMOS工艺 栅结构: 高K金属栅（65nm） 先栅 后栅 混合栅 NMOS：Al/AlTi/TiN/HfO2/SiO2 PMOS：Al/AlTi/Ta/TiN/HfO2/SiO2 源漏： 选择性外延应变层 SiC GeSi 硅化物： TiSi2（0.18μm以上）；CoSi2（65nm以上） NiPtSi （65nm以下） 互连：Cu双镶嵌工艺＋低k介质（90nm以下） 先栅工艺 后栅工艺 后栅工艺 混合栅工艺 先进CMOS工艺流程－45nm以下 STI工艺 * 第十章 VLSI工艺集成 双极工艺技术 CMOS工艺技术 Bi-CMOS技术 §3 双极工艺 标准埋层集电极工艺（SBC） 双极工艺 集电极扩散隔离工艺（CDI） 双极工艺 三重扩散工艺（3D） 工艺简单、结面积大，寄生电容大 器件尺寸大，影响集成度和速度 改进的SBC工艺 先进的双极工艺 按比例缩小器件尺寸 应用CMOS工艺模块——提高集成度和电路性能 三个特征： 自对准工艺 多晶硅发射极 介质隔离 双多晶自对准双极工艺 1. P型衬底 2. N+埋层 3. N-外延 4. 介质隔离 5. 深集电极接触注入 6. 第一层多晶硅(P+) 7. 光刻发射区窗口 8. 外基区形成 9. 侧墙保护 10. 本征基区注入 11. 第二层多晶硅（N+） 12. 发射区形成 13. 接触孔和金属化 14. 表面钝化 主要特点 1）自对准工艺－减小了误差和复杂度，获得更小的特征尺寸 2）介质隔离－集成度提高 3）多晶硅基极引出－接触可靠性提高，集电结寄生电容减小 4）多晶硅发射极 增益提高3～10倍－界面势垒、氧化层阻止少子注入 可靠性提高－通过poly-Si注入，衬底损伤减小 多晶硅接触，消除了Al尖刺 速度提高－浅结 深槽隔离双多晶自对准双极工艺 深槽隔离＋回填poly-Si 超自对准结构晶体管 侧墙基区接触结构 §4 CMOS工艺 3 μm CMOS工艺 N阱CMOS 场氧隔离 硅栅 USG Al·Si PSG Nitride P-type substrate p + p + N-well n + n + p + p + SiO 2 Poly Si gate LOCOS Gate oxide Isolation implantation Nitride 3 μm CMOS工艺 3 μm CMOS工艺 PSG P-type substrate p + p + N-well P-type substrate SiO 2 n + n + p + p + PSG P-type substrate p + p + N-well P-type substrate SiO 2 n + n + p + p + PSG P-type substrate p + p + N-well P-type substrate n + n + p + p + SiO 2 Al·Si PSG P-type substrate p + p + N-well P-type substrate