第7章 金属和半导体的接触 2012.ppt

简化模型 ( 耗尽层近似 ) ： 势垒高度 qV D k 0 T 势垒区内的载流子浓度～ 0 空间电荷完全由电离杂质电荷形成 均匀掺杂 0 N 型半导体的耗尽层 x d ：耗尽层的宽度 N D ： 是施主掺杂浓度 ① 电势在半导体中的分布 E F 0 x d x V metal semiconductor Space charge region q F ns E n ? q F n ? qV s ? qV D 耗尽层 ? ? ? ? ? ? 1 x x 0 x x 0 qN d d D ?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 则电荷密度分布： ? ? 2 0 2 2 ? ? ? ? ? ? ? ? r dx V d 代入泊松方程 ? ? 3 0 qN 0 D 2 2 ?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? r dx V d 即 边界条件： 半导体内部电场为零 以金属费米能级处为电势零点 (-E Fm /q) 0 ) ( ? ? ? ? d x x d dx dV x E ns V ? ? ? ) 0 ( ) ( ) ( 0 d r D x x qN dx dV x E ? ? ? ? ? ? ns d r D x xx qN x V ? ? ? ? ? ? ) 2 1 ( ) ( 2 0 积分得： ? ? ? ? ? ? 1 x x 0 x x 0 qN d d D ?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 积分得： 电场分布 电势分布 外加电压 V 在金属上 : ? ? ( ) ( ) 7 d n V x V ? ? ? ? ? Q ? ? 8 ns n D V ? ? ? ? ? ? ? d ns D V x V V ? ? ? ? ? 2 0 1 2 D D d r qN V V x ? ? ? ? ? d x x ? 在 时 0 V E F ns q F D qV x d n n q E ? ? ? ? d ns D V x V V ? ? ? ? 2 0 1 2 D D d r qN V V x ? ? ? ? ? 故 ? ? ? ? D 0 0 qN 2 V V x s r d ? ? ? ? ? ? 所以 ? ? 0 s D V V ? ? 又 当表面势外加电压 V 和表面势同号时， 势垒高度 提 高、 势垒宽度 变大。 由此可见 , x d 随外加电压的变化而变 化 势垒宽度 x d ： ② 通过势垒的电流密度： 漂移电流 扩散电流 电流密度： 0 n n q D k T ? ? dx dV x E ? ? ) ( 代入： ? ? ? ? ? ? ? 10 0 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? dx x dn dx x dV T k x qn qD n J ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? dx x dn D x E x n q J n n ? 因此 ) ( x E 0 0 0 ( ) ( ) ( ) ( ) exp[ ] [ ( ) exp[ ] exp[ ] ] n qV x d qV x qV x dn x J qD n x k T dx k T k T dx ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 两边同时乘因子 0 ( ) ( )exp[ ] n d qV x qD n x dx k T ? ? ? ? ? ? ? ? 在稳定的情况下， J 是与 x 无关的常数 0 0 ( ) ( ) exp[ ] [ ( ) exp[ ] n qV x d qV x J qD n x k T dx k T ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? d d x n x T k x qV x n qD dx T k x qV J 0 0 0 0 ) ( exp ) ( ) ) ( exp( ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? x d 处 ( 已到半导体体内 ): x = 0 处 ( 半导体表面 ): ? ? ? ? ? ? ? ? ? 12 0 n 0 V e N n x n x 2 qN x V e T k q c 0 d ns 2 d 0 r D d T k X qV 0 n 0 ?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 和 ，并 在等式两边同乘因子 0 0 0 0 0 0 [ ( ) ] ( ) exp[ ] exp [exp( ) 1] (11 ) d x ns s n q V qV x qV J dx qD n k T k T k T ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 式 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 13 12 e