本科生电子衍衬(7).pdf

Shanghai Jiao Tong University 2.4.2 晶体缺陷电子衍衬分析 对于厚度为t的试样，畸变晶体柱下表面的衍射波振幅为 iπ t φg exp(2isz) exp(2ig R) d z ξ 0 g 令 α 2πg R 则 iπ t φg ξ 0 exp(2isz) exp(iα) d z g 与完整晶体的公式相比，可发现由于晶体中的缺陷存在导致衍射 振幅的表达式中出现了一个附加的相位因子exp(iα) Shanghai Jiao Tong University 对于给定的缺陷，位移矢量R （x,y,z ）是确定的，g 是用以获得 衍衬图像的某一发生强衍射的晶面的倒易矢量，即操作反射。通过 样品台的倾转获得不同g 成像，同一缺陷的强度出现不同的衬度特 征，尤其是当选择的操作反射满足 g R n (整数) exp(iα) 1 φ φ 则 ，此时有缺陷的 与完整晶体的 相同，故此时 g g 缺陷衬度将消失，即在图像中缺陷不可见。由式所表达的“不可见 判据”是缺陷的晶体学定量分析的重要依据 层错 位错 第二相粒子 Shanghai Jiao Tong University 层错衬度分析 堆垛层错是最简单的平面型缺陷。层错发生在确定的晶面上，并 且层错面上、下方分别是相位相同的两块理想晶体，但下方晶体相当 于上方晶体存在一个恒定的位移R 。例如，在FCC 中，层错面为 {111}，其位移矢量 a 或 a ，层错可以通过以下五种 R  111  112 3 6 途径形成，以{111}中的(111)面为例： 抽出一层(111)原子面，抽出后原子堆垛顺序发生变化，被抽出处形成 一个层错，一般约定，原子面ABCABC···正常顺序排列为正排，以倒 三角形表示；若顺序颠倒称为反排，以正三角形表示。因此未发生层 错(即理想晶体)时，记作 A B C A B C …  当抽出一层(111)面原子层后，在正排顺序中，必夹有一个反排，记作 A C A B C …  a 这时位移矢量变化为R  [111] ，内禀层错 3 Shanghai Jiao Tong University 内禀层错 a R  [111] 3 a R [112] 6 a R [121] 6