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化学气相沉积法分类 常压化学气相沉积（Atmospheric Pressure CVD, APCVD）：在常压环境下的CVD制程。 超高真空化学气相沉积（Ultrahigh vacuum CVD, UHVCVD：在非常低压环境下的CVD制程。大多低于10-6?Pa(约为10-8?torr）。 低压化学气相沉积（Low-pressure CVD, LPCVD）：在低压环境下的CVD制程。降低压力可以减少不必要的气相反应，以增加晶圆上薄膜的一致性。 大部份现今的CVD制程都是使用LPCVD或UHVCVD。 有机金属化学气相沉积法(MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition)，前驱物使用有机金属的CVD技术。它是以III族、II族的有机化合物同V族、VI族的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种III-V族、II-VII族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。 离子镀基本原理是在真空条件下，采用某种等离子体电离技术，使镀料原子部分电离成离子，同时产生许多高能量的中性原子，在被镀基体上加负偏压。这样在深度负偏压的作用下，离子沉积于基体表面形成薄膜。 快速热化学气相沉积（Rapid thermal CVD, RTCVD）：使用加热灯或其他方法快速加热 \o 晶圆 晶圆。只对基底加热，而不是气体或腔壁。可以减少不必要的气相反应，以免产生不必要的 \o 粒子 粒子。 物理气相沉积法主要方法 真空蒸镀基本原理是在真空条件下，使金属、金属合金或化合物蒸发，然后沉积在基体表面上，蒸发的方法常用电阻加热，高频感应加热，电子柬、激光束、离子束高能轰击镀料，使蒸发成气相，然后沉积在基体表面。 溅射镀膜是充氩(Ar)气的真空条件下，使氩气进行辉光放电，这时氩(Ar)原子电离成氩离子(Ar+)，氩离子在电场力的作用下，加速轰击以镀料制作的阴极靶材，靶材会被溅射出来而沉积到工件表面。如果采用直流辉光放电，称直流溅射，射频(RF)辉光放电引起的称射频溅射。磁控(M)辉光放电引起的称磁控溅射。 电弧等离子体镀膜基本原理是在真空条件下，用引弧针引弧，使真空金壁(阳极)和镀材(阴极)之间进行弧光放电，阴极表面快速移动着多个阴极弧斑，不断迅速蒸发甚至“异华”镀料，使之电离成以镀料为主要成分的电弧等离子体，并能迅速将镀料沉积于基体。 离子镀基本原理是在真空条件下，采用某种等离子体电离技术，使镀料原子部分电离成离子，同时产生许多高能量的中性原子，在被镀基体上加负偏压。这样在深度负偏压的作用下，离子沉积于基体表面形成薄膜。