氧等离子体及UV辐射对OxideTFT性能影响的文献调研报告.docx

氧等离子体和 UV 辐射对 Oxide-TFT 性能影响的文献 调研报告 1 TFT 的结构和工作原理 薄膜晶体管（ Thin Film Transistor ）一般由栅极、有源层、绝缘层、源漏电极构成，如 图一所示。 按照栅极的位置， 可以把薄膜晶体管具体分为底栅 （图 a，b）和顶栅（图 c，d） 两种结构。 进一步我们按照源漏极、 绝缘层与有源层的位置不同， 又可分为顶接触结构 （图 a， c）和底接触结构（图 b，d）。 图 1.1 薄膜晶体管结构示意图 虽然 TFT 的结构各有不同， 但是其工作原理是大同小异的， 如图二。在 TFT 工作过程中， TFT 的源极接地，在栅极加上正电压VGS ，栅极和半导体层之间就形成了以绝缘层为介质 的平板电容器。 当 V GS 增大时，一方面排斥绝缘层上面沟道区域的空穴， 留下载流子耗尽层。 另一方面， 在半导体界面处会有感应电子累积， 形成反型层。 感应出的表面电荷的多少受到 施加的栅极电压大小的影响。这时在源漏极之间加上电压，就会有输出电流产生。 图 1.2 TFT 工作原理示意图 氧化物半导体如 ZnO ， In 2 O3 ， InGaZnO 等不仅迁移率比非晶硅高而且光学透过率高，还 可以在低温工艺下制备，因此在 AMLCD 中使用低温透明氧化物必将有广阔的发展前景。 氧气浓度是影响 TFT 特性的一个关键参数，因为氧空位是自由载流子的主要来源。通过优化氧气浓度，器件可以得到很高的迁移率，表现出更好的性质。在器件制造完成后，在 氧气氛围中退火可以影响半导体层的氧气浓度， 更有效的降低电子陷阱的密度， 这有助于提高 TFT 的性能。 2 氧等离子体对  Oxide-TFT  的影响 Brillson  [1]  在室温条件下对  ZnO  进行氧气等离子体处理，以减少表面吸附杂质，发现  ZnO 与 Au ，Pt  ，Ir  的肖特接触均有显著的改善，  处理后肖特基的势垒高度变大，  理想因子减小。 氧等离子体处理减少了表面吸附杂质以及浅表面本征点缺陷，  提供了一个更好的肖特基接触 表面。  Y.P. Deng  团队  [2]  也通过实验发现  O 2  等离子体处理可以通过减小  MIZO  膜的表面吸附物 和表面缺陷，阻止表面电子积累层的形成来改善  Pt/ZnO  接触的肖特基特性。 Seungjun [3] 研究了氧气等离子体处理对 ALD 生长的 道层。随着等离子体处理时间的增加，薄膜中的氧空位含量从  ZnO-TFT  性能的影响， 27.6% 下降为  ZnO 19.4%  膜作为沟 ，载流子 浓度从  4.9 ×10  15cm -3  减小到  1.2 ×10  14cm -3  。制备  TFT  的开关比提高了两个数量级，亚阈值 摆幅减小，但是器件的载流子迁移率也相应降低。 表 1 不同时间长度氧等离子体处理 ZnO-TFT 的电学性能 研究人员认为氧气等离子体处理减少了薄膜中的氧空位缺陷，能有效的控制 ZnO-TFT 电学性能。 随着等离子体暴露时间的增加， 氧等离子体处理期间吸收的氧减少了 ZnO 膜的氧 空位并松散地结合到它们的表面上。 在这些 ZnO-TFT 中，由于低温等离子体氧化， 氧原子没 有扩散到界面沟道区。因此，表面沟道区的电阻高，而界面沟道区的电阻保持低， 导致低的 I 和大的 I /I OH 键和 H O 分子并且在薄膜表面引 O 分子，改善 。氧等离子体处理减少 入 off on off 2 2 值， μ 减小，此外 V 由于载流子浓度降低和表面上吸收氧分子而在正方向上移动。因 sat th 此，氧等离子体处理是控制 ZnO TFT 的电性能的有效方法。 Chun-Feng Hu 等人 [4] 用溶胶 - 凝胶法制备了底栅结构的掺杂 Mg 的 IZO-TFT ，进行 O 和 Ar 2 等离子体处理， 并且研究它们对器件电性能的影响。 等离子体处理期间的退火效应使得晶粒 生长，膜的粗糙度增加。 XPS 结果显示在等离子体处理之后氧空位增加，改善了迁移率，同 时发现等离子体处理之后沟道层载流子浓度增加， I /I 比增大和 V th 较大负偏移的明显增 on off 加。 R. Hu [5] 研究小组 用金属有机化学气相沉积 2 3 沟道层的薄膜晶体管。 （ MOCVD）制备的 In O 通过 O2 等离子体对 In 2 O3 薄膜进行处理。通过 XPS 和霍尔效应测量表明，在 O2 等离子体处理 过程中，离子轰击和离子吸附效应共存， 离子吸附效应占优势 , 使得化学吸附的氧显着增加。 2.1 表示随 O 2