《BGA封装技术介绍》.ppt

引线键合TBGA的封装工艺流程 ① TBGA载带  载带制作：TBGA的载带是由聚酰亚胺PI材料制成的。 在制作时，先在载带的两面进行覆铜， 接着冲通孔和通孔金属化及制作出图形。 然后镀镍和镀金 将带有金属化通孔和再分布图形的载带分割成单体。 封装热沉又是封装的加固体，也是管壳的芯腔基底，因此在 封装前先要使用压敏粘结剂将载带粘结在热沉上。 ② 封装工艺流程  圆片减薄→圆片切割→芯片粘结→清洗→引线键合→等离子清洗→液态密封剂灌封→装配焊料球→回流焊→打标→分离→最终检查→测试→包装 装配焊料球：用微焊技术把焊球（10Sn90Pb）焊接到载带上，焊球的顶部熔进电镀通孔内。 芯片互连：面阵型芯片，用C4工艺；周边型金凸点芯片，热压键合。 焊接后用环氧树脂将芯片包封。 TBGA是适于高I/O数应用的一种封装形式，I/O数可为200-1000，芯片的连接可以用倒装芯片焊料再流，也可以用热压键合。 TBGA的安装使用标准的63Sn37Pb焊膏。 FC-CBGA的封装工艺流程 ① 陶瓷基板 FC-CBGA的基板是多层陶瓷基板。基板的布线密度高、间距窄、通孔也多，基板的共面性要求较高。 主要过程是：将多层陶瓷片高温共烧成多层陶瓷金属化基片，再在基片上制作多层金属布线，然后进行电镀等。 在CBGA的组装中，基板与芯片、PCB板的CTE失配是造成CBGA产品失效的主要因素。要改善这一情况，除采用CCGA结构外，还可使用另外一种陶瓷基板--HITCE陶瓷基板。HITCE-high thermal coefficient of expansion ②封装工艺流程 圆片凸点的制备→圆片切割→芯片倒装及回流焊→底部填充→导热脂、密封焊料的分配→封盖→装配焊料球→回流焊→打标→分离→最终检查→测试→包装 倒装焊接 特点：倒装焊技术克服了引线键合焊盘中心距极限的问题； 在芯片的电源／地线分布设计上提供了更多的便利； 为高频率、大功率器件提供更完善的信号。 优点：焊点牢固、信号传输路径短、电源／地分布、I／O 密度高、封装体尺寸小、可靠性高等 缺点：由于凸点的制备是在前工序完成的，因而成本较高。 倒装焊的凸点是在圆片上形成的。在整个加工过程中，工艺处理的是以圆片、芯片和基片方式进行的，它不是单点操作，因而处理效率较高。　　　 基板技术 基板选择的关键因素在于材料的热膨胀系数（CTE）、介电常数、介质损耗、电阻率和导热率等。 基板与芯片（一级互连）之间或基板与PCB板（二级互连）之间的CTE失配是造成产品失效的主要原因。CTE失配产生的剪切应力将引起焊接点失效。 封装体的信号的完整性与基片的绝缘电阻、介电常数、介质损耗有直接的关系。介电常数、介质损耗与工作频率关系极大，特别是在频率>1GHz时。 有机物基板是以高密度多层布线和微通孔基板技术为基础制造的。 特点：低的互连电阻和低的介电常数。 局限性：①在芯片与基板之间高的CTE差会产生大的热失配； ②可靠性较差，其主要原因是水汽的吸附。 现有的CBGA、CCGA封装采用的基板为氧化铝陶瓷基板。 局限性：①热膨胀系数与PCB板的热膨胀系数相差较大，而热失配容易引起焊点疲劳。 ②它的高介电常数、电阻率也不适用于高速、高频器件。 HITCE陶瓷基板 特点：CTE 是12.2ppm／℃； 低的介电常数5.4； 低阻的铜互连系统。 综合了氧化铝陶瓷基板和有机物基板的最佳特性，其封装产品的可靠性和电性能得以提高。 凸点技术 常用的凸点材料为金凸点，95Pb5Sn、90Pb10Sn焊料球（回流焊温度约350℃），有的也采用63Pb37Sn焊料球（回流焊温度约220℃）。 焊料凸点技术的关键在于当节距缩小时，必须保持凸点尺寸的稳定性。焊料凸点尺寸的一致性及其共面性对倒装焊的合格率有极大的影响。 ①CBGA的基板是多层陶瓷布线基板,PBGA的基板是BT多层布线基板，TBGA基板则是加强环的聚酰亚胺(PI)多层Cu布线基板。 ②CBGA基板下面的焊球为90%Pb-10Sn%或95%Pb-5%Sn的高温焊球，而与基板和PWB焊接的