《传感器与检测技术课件》.ppt

按光的来向可分为顶面受光和侧面受光两种形式； 按制作材料来分，有硅光敏二极管（2CU，2DU类），锗光敏二极管（2AU类）； 按不同峰值波长来分，有近红外光硅光敏二极管，对红外光最敏感的锂漂移性硅光敏二极管，蓝光光敏二极管等； 其他还有用于激光的PIN型硅光敏二极管（日产SPD、S、MP、MBC、SP、PP、TP、PD、PH、TPS、M等多种系列， 国产2CU101、2CU201等）和灵敏度更高的雪崩光敏二极管等。 国产光敏二极管一般有2CU、2DU两种，常用2CU型。 2、参数 (1)光电流IL，它是指一定的反向电压下，入射光强为某一定值时流过二极管的电流。光敏二极管的光电流一般在几十uA，并与入射光强度成正比； (2)暗电流ID，它是指在一定的反向电压下，无光照射时流过二极管的电流。一般在50V反向电压下，ID 小于0.1uA； (3)反向工作电压，它是指无光照射时，光敏二极管反向电流小于0.2~0.3uA时，允许的最高反向工作电压，一般在10V左右，最高可达几十伏； (4)峰值波长λP，它是指光敏二极管光谱响应最灵敏的波长范围。 3、光敏二极管的简单测试 (1)电阻测量法，一般用万用表Ｒ×１ＫΩ档。光敏二极管的正向电阻较一般二极管大些，约十几kΩ，反向电阻随光照变化。无光照时（测试时用物体将管子档住），反向电子接近无穷大；若不是无穷大，则表明漏电流大。此时反向电阻至少应在500kΩ以上。有光照射时（在较强日光或灯光下），反向电阻越小越好，一般应在20kΩ以下。此时若反向电阻为无穷大或为0，表明管子坏了。光敏二极管引线较长的一根为正极。 (2)电压测量法，一般用万用表电压档的0.5V或1V挡，测量，万用表的“+”，“-”表笔分别与光敏二极管的“+”，“-”极相连，在光照下，电压表指示一般应是0.3~0.4V。 二、光敏三极管 1、构造及测量电路 光敏三极管与一般三极管很相似，具有两个PN结，只是它的发射极一边做得较大，以扩大光的照射面积，一般基极无引线，它可等效成一个bc结是光敏二极管的三极管。所以光敏三极管是兼有光敏二极管特性的器件，它在把光信号变为电信的同时又将信号电流放大。 按国内半导体器件命名规定：硅P+N结构为2CU型； N+P结构为2DU型；硅NPN结构为3DU型。 国产光敏三极管的型号主要有3AU、3DU、ZL系列； 日本型号有TPS、PT、PPT、PH、PS、PN、T等系列。 2、参数 (1)最大功耗，它是指光敏三极管能够安全工作而不致损坏的最大耗散功率。一般为几十mW到100Mw； (2)最高工作电压，它是指无光照时，在管子不被击穿的前提下，集电极与发射极间的最高工作电压，一般为10V至几十V。其他参数的定义与光敏二极管的相同。 3、光敏三极管的简单测试 电阻测量法，用万用表的Ｒ×１ＫΩ档，先用万用表红表笔接c极，黑表笔接e极（管子长脚为e极，短脚为c极），此时，无论有无光照，管子两端电阻均应非常大，一般应接近无穷大，否则认为漏电流太大。然后，将红黑表笔调换，此时若无光照，电阻应接近无穷大；若有光照，电阻应从原来的无穷大变为几百欧，至少应在几千欧以下，否则表明管子灵敏度太低，若电阻仍为无穷大，则表明管子坏了。 7.4.2光敏管的特性 (１)光谱特性 光电流随入射光的波长而变化的关系。图为硅与锗光敏管的光谱特性。一般来讲，锗管的暗电流较大，因此性能较差，故在可见光或探测赤热状态物体时，一般均用硅管，但对红外光的探测，用锗管较适宜。 (２)伏安特性 在光强一定下，光电流与外加电压间的关系。 (３)光电特性 其光电特性基本上是线性关系。但当光照足够大时，出现饱和，其值的大小与材料、掺杂浓度及外加电压有关。 (4)频率特性 光电流随频率变化的关系。光敏二极管的频率特性是很好的，其响应时间可达到10-7~10-8s，故它适用于测量快速变化的光信号。光敏三极管由于存在发射结电容和基区渡越（发射极的载流子通过基区所需要的时间），所以，光敏三极管的频率响应特性比光敏二极管的差，且和光敏二极管一样，负载电阻越大，高频响应越差。减小负载电阻可以提高频率响应范围，但输出电压响应也减小。 (5)温度特性 暗电流及光电流与温度的关系。可见，温度变化对光电流影响很小，而对暗电流影响很大，所以在电子线路中应该对暗电流进行温度补偿，否则会导致输出误差。 使用光敏二极管进行温度补偿时的桥式电路。当光电信号是缓变信号时，由于它产生的电信号也是缓变的，这时极间直接耦合。如温度变化等将产生零漂，必须进行补偿。图中一个光敏二极管为检测元件，一个装在相邻桥臂上的暗盒中。当温度变化时两只光敏管同时受相同温度影响，对桥路的输出影响可相互抵消。 光敏二极管和三极管的主要差别归纳 (1)光电流，光敏二极管一般只有