模拟电子技术 学习目标 学习指南1.docx

《模拟电子技术》在线开放课程 学习指南 任务1.1 半导体器件的识别与检测 我们学习半导体器件的目的是为了正确使用和选择器件，而不是去设计制造半导体器件。因此，我们应着重于了解和掌握管子的外特性，即管子的电流和各极电压的关系以及管子的主要参数。 本工作任务的主要学习要点是， (1)半导体的导电特性; (2) PN结的工作原理和主要特性; (3)三极管的工作原理和主要特性。 一.学习目标 （一）.半导体导电性能 1.本征半导体 本征半导体是纯净的半导体晶体。常用的半导体材料锗和硅均是四价元素，当它们组成晶体时，每个原子与周围四个原子组成共价键。在绝对温度0 K(-2730℃)时，本征半导体中的电子受原子核的束缚，故该半导体不存在能导电的粒子，从而呈现绝缘体的性能。温度增加，电子获能，有少数电子获能较多，可以摆脱原子核的束缚，形成带负电的自由电子和带正电的空穴，它们在电场作用下均作定向运动，所以把自由电子和空穴统称为载流子，载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动，形成的电流称为漂移电流。显然，本征半导体中自由电子数ni、等于空穴数pi;，即 ni=pi 产生自由电子和空穴对的同时，部分电子也失去能量返回到共价键处，使自由电子和空穴对消失，我们称此过程为载流子的复合。在一定的温度下，载流子处于动态平衡状态，即每一时刻产生的载流子数和复合的载流子数相等，载流子数始终等于某一常数。温度增加，载流子数上升，其导电能力也上升。需要指出的是，空穴导电是束缚电子接力运动的结果，其导电能力低于自由电子。 2.杂质半导体 在本征半导体中可人为地有控制地掺入少量的特定杂质，这种掺杂半导体称为杂质半导体。 在本征半导体中掺入少量的五价元素(又称为施主杂质)，形成N型半导体。在室温下杂质基本电离，形成自由电子和不参与导电的正离子。与此同时，也有硅原子中的电子摆脱原子核的束缚，形成自由电子和空穴。所以，N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴称为少数载流子，即 nn 》 pn 同理，在本征半导体中掺入三价元素(又称为受主杂质)，形成P型半导体。P型半导体中多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子，即nP《pP 本节要求了解以下概念:本征半导体;杂质半导体;N型半导体;P型半导体;多数载流子和少数载流子;载流子的产生与复合。 （二）PN结 1.异型半导体接触现象 P型和N型半导体相接触，其交界面两侧由于载流子的浓度差，将产生扩散运动，形成扩散电流。由于载流子均是带电粒子，因而扩散的同时，将分别留下带正、负电荷的杂质离子，形成空间电荷和自建场。在该电场作用下，载流子作漂移运动，其方向与扩散方向相反，阻止扩散，平衡时扩散运动与漂移运动相等，通过界面的电流为。。这样在交界面处形成了缺少载流子的空间电荷区，此区呈现高阻，称之为阻挡层(又称为耗尽层)。 2. PN结的单向导电特性 在PN结两端加正向电压，该电压削弱自建场的作用，故扩散大于漂移，将由多数载流子的扩散运动产生正向电流，且外加电压增大，正向电流也增大，其关系为指数关系。同时阻挡层变薄。加反向电压时，该电压与自建场方向一致，增强了电场作用，故漂移大于扩散，阻挡层变厚。此时，少数载流子在电场作用下作漂移运动，产生反向电流，由于是少数载流子运动形成电流，故反向电流很小(硅管在10-9 A数量级，锗管在10-6 A数量级)，且当反向电压I UD I >UT时，其值基本不变，故将反向电流称为反向饱和电流。 由上可看出，加正向电压时，PN结处于导通状态，其正向电流随正向电压增大而增大;加反向电压时，PN结处于截止状态，其反向电流是一个很小的值，基本不随外加电压变化，这就是PN结的单向导电性。 PN结的电流、电压关系为 ID = Is （eUD/UT一1) 3. PN结的击穿特性 当反向电压超过某一值后，反向电流急剧增加，这种现象称为反向击穿。 击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿。击穿时管子不一定损坏，只要电路中加有一定的串联电阻，其电流不要太大，使UD * I小于最大功率损耗，管子就不会因过热而烧坏，当反向电压数值降低时，PN结的单向导电特性可以恢复正常。 4. PN结的电容效应 PN结的两端电压变化时，引起PN结内电荷变化，此即为PN结的电容效应。PN结的电容有两种:势垒电容和扩散电容。PN结电压变化，阻挡层厚度也发生变化，从而引起阻挡层内电荷变化。此种电容称为势垒电容CT PN结正向运用时，多数载流子在扩散过程中引起电荷积累，正向电压变化，其积累的电荷也变化，此种电容称为扩散电容CD。PN结的结电容用CJ表示。一般情况下，PN结加正向电压时，CJ≈CD;加反向电压时CJ≈CT。 PN结电容均随外加电压变化而变化。 5.半导体二极管及其参数 二极管