霍尔效应及霍尔元件基本参数的测量.pdf

霍尔效应及霍尔元件基本参数的测量 086041B 班 D 组 何韵 摘要：霍尔效应是磁电效应的一种，利用这一现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业 自动化技术、检测技术及信息处理等方面.霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法.本实 验的目的在于了解霍尔效应的原理及有关霍尔器件对材料的要求，使用霍尔效应试验组合仪， 采用 “对称测量法”消除副效应的影响，经测量得到试样的 V —I 和 V —I 曲线，并通过 H M H S 实验测定的霍尔系数，判断出半导体材料试样的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重 要参数. 关键词：霍尔效应 hall effect，半导体霍尔元件 semiconductor hall effect devices，对 称测量法 symmetrical measurement，载流子 charge carrier，副效应 secondary effect 美国物理学家霍尔 (Hall,Edwin Herbert,1855-1938)于 1879 年 在实验中发现,当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁 场和电流方向的两个端面之间会出现电势差,这一现象便是霍尔效应. 这个电势差也被叫做霍尔电势差.霍尔的发现震动了当时的科学界,许 多科学家转向了这一领域，不久就发现了爱廷豪森(Ettingshausen) 效应、能斯托(Nernst)效应、里吉-勒迪克 (Righi-Leduc)效应和不等 位电势差等四个伴生效应. 　　在霍尔效应发现约 100 年后,德国物理学家克利青 (Klaus von Klitzing, 1943-)等在研究极低温度和强磁场中的半导体时发现了 量子霍耳效应,这是当代凝聚态物理学令人惊异的进展之一,克利青 为此获得了 1985 年的诺贝尔物理学奖.之后，美籍华裔物理学家崔琦 (Daniel Chee Tsui,1939- )和 美 国 物 理 学 家 劳 克 林 (Robert B.Laughlin，1950-)、施特默(Horst L. St rmer，1949-)在更强磁场 下研究量子霍尔效应时发现了分数量子霍尔效应，这个发现使人们对 量子现象的认识更进一步，他们为此获得了 1998 年的诺贝尔物理学 奖. 最近，复旦校友、斯坦福教授张首晟与母校合作开展了 “量子自 旋霍尔效应”的研究. “量子自旋霍尔效应”最先由张首晟教授预言， 之后被实验证实.这一成果是美国《科学》杂志评出的 2007 年十大科 学进展之一.如果这一效应在室温下工作，它可能导致新的低功率的 “自旋电子学”计算设备的产生.目前工业上应用的高精度的电压和 电流型传感器有很多就是根据霍尔效应制成的,误差精度能达到0.1% 以下. 一、 霍尔效应的原理 1. 霍尔效应 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛伦兹力作用而 引起的偏转.置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，则在 垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场，即霍尔电场 E , H 这个现象被称为霍尔效应. 在 x 方向通以电流 I ,在 z 方向加磁场 B,则在 y 方向即试样 A-A’电 S 极两侧因一号电荷的聚集而产生附加电场.电场的指向取决于式样的 导电类型，如图 1 示. 图 1 E <0, N 型 H EH<0 N 型 E >0, P 型 H EH>0 P 型 霍尔电场 E 阻止载流子继续向侧面偏移，平衡时载流子所受电场力 H 等于洛仑兹力