数字逻辑第4章存储逻辑.pptVIP

● 2 、 DRAM (Dynamic RAM) ? DRAM 存储器：动态随机读写存储器。 ? DRAM 存储器的存储元 不使用锁存器 ，而是用 １个小电容 器 。依赖电容 C 的充电电荷记存“ 1” “0” 。 ? 优点 ：非常简单，集成度高，位成本较低。 ? 缺点 ：超过一定周期，电容电荷泄漏而可能丢失所存信 息。 ? 措施 ：必须及时补充电荷，这种过程叫做刷新或再生。 存储元数据线的工作情况 刷新缓冲器 存储元 ( 字线 ) 输出缓冲器 “1” 输入缓冲器 ( 数据线 ) 写入： R/W=0 输入缓冲器打开 读出： R/W=1 输出缓冲器打开 刷新：刷新控制线 =1 刷新缓冲器打开，读出的 1 被写入 存储元上数据线的工作情况 DRAM 读写控制 1MX1 DRAM 存储芯片外部接线 地址线 数据线 读 / 写线 片选线 A 0 ~A 9 2114 CS WE D 0 ~D 3 1K × 4 RAM A 0 ~A 10 2716 D 0 ~D 7 CE RD 2K × 8 ROM 存储器芯片的外部接线 复习 RAM —— 随机读写存储器 优点：读写方便，使用灵活 缺点：断线后存储的数据会丢失 RAM 静态 动态 SRAM DRAM SRAM ：静态随机读写存储器 ，存储元用一个 锁存器 构成。 DRAM ：动态随机读写存储器。存储元由 １个小电容器构成 。依赖 电容 C 的充电电荷记存“ 1” “0” 。必须定期补充电荷（刷新或再生） 随机读写存储器 补充： SDRAM —— Synchronous DRAM 同步动态存储器 在现有的标准动态存储器中加入同步控制逻辑，利用一个单一的系 统时钟同步所有的地址数据和控制信号。 DDR （ DDR SDRAM ） —— Double Data Rate SDRAM 双倍速率同 步动态随机存储器 SGRAM —— Synchronous Graphics Random-Access Memory 同步图形 随机存储器 一种图形读写能力较强的显存，由 SDRAM 改良而成。 SGRAM 读写数 据时不是一一读取，而是以 块 （ Block ）为单位，从而减少了内存整 体读写的次数，提高了图形控制器的效率。用于视频存储。 SDRAM ● 五、存储器容量扩充 RAM 芯片的描述 2K × 4 每个地址访问 4 位二进 制数据 / 有 4 条数据线 8 片 2 片 1 片 8 片 4 片 1KX4 1KX1 1KX8 256 × 8 1024 × 1 存储单元为 2048/ 有 11 条地址线 ● 1 、位扩展 要组成 1K × 8 的存储器 1K × 1 1K × 4 1K × 8 ● 2 、字扩展 要组成 8K × 8 的存储器 ● 3 、容量扩展 1K × 8 2K × 8 4K × 8 4K × 1 D 0 D 1 D 7 … D 4 ~ D 7 D 0 ~ D 3 D 0 ~ D 7 2 片 8K × 4 1K × 8 表示片内有多少条地址线 存储器容量扩充 组成 64K 的存储器 A 15 A 14 A 13 A 12 A 11 A 10 A 9 A 8 A 7 A 6 A 5 A 4 A 3 A 2 A 1 A 0 高位地址 6: 64 高位地址 5: 32 高位地址 4: 16 片内地址线（ 10 条） 片内地址线（ 11 条） 片内地址线（ 12 条） 需要多少个 1K 芯片 需 64 片 需要多少个 2K 芯片 需 32 片 需要多少个 4K 芯片 需 16 片 …… 片内地址线（ 16 条） 需要多少个 64K 芯片 需 1 片 地址线增加一条 容量增加一倍 存储器容量扩充 例 1 现有 256 × 4 的存储芯片若干，试问要组成 1K × 8 的存储器需要芯片多少片？画出连线图。 字扩展需要 4 片，位扩展需要 2 片，共需要 8 片。 1K × 8 Y 3 解： A 9 A 8 A 7 … A 0 2:4 Y 0 Y 1 Y 2 CS 256 × 4 D 7 … D 0 D 0 ~D 3 CS 256 × 4 D 4 ~D 7 D 0 ~D 3 CS 256 × 4 D 4 ~D 7 D ~D 0 3 CS 256 × 4 D 4 ~D 7 D ~D 0 3 D 4 ~D 7 000~0FFH 100~1FFH 200~2FFH 300~3FFH 例题 1 第三节 只读存储器 半导体只读存储器．简称 ROM (Read - only Memory) 特点： 存储固定信息。预先把信息写入到存储器 中，在操作过程中，只能读出信息，不能写入。 非易失性存储器 一、 只读存储器 ROM 分类