微通道散热关键技术.docVIP

导体激光器散热技术研究及进展 程东明，杜艳丽，马凤英，段智勇，郭茂田 (郑州大学物理工程学院电子科学和技术系，郑州450052) 1 引言 多年来，大功率半导体激光器行到快速发展。半导体激光器在多种占空比下，峰值功率越来越高，连续工作时功率越来越大。为了得到更大功率，大家逐步发展和研究列阵和有更高功率叠阵。不过，伴随半导体激光器列阵及叠阵功率增加，导体激光器在多种占空比下，峰值功率越来越高，连续工作时功率越来越大。为了得到更大功率，大家逐步发展和研究列阵和有更高功率叠阵。不过，伴随半导体激光器列阵及叠阵功率增加，器件散热也变得愈加困难起来[1]。试验结果表明，半导体激光器阈值电流密度、输出光功率、微分量子效率、激光器光谱和温度有亲密关系[2]。所以，研究半导体激光器散热问题是一项很有意义工作。 2 研究半导体激光器散热关键性 2．1 温度和阈值电流密度关系 量子阱激光器和温度关系关键是因为增益系数和漏电流和温度关系引发。(折射率阶跃、端面反射率、自由载流子吸收损耗、散射损耗和耦合损耗随温度改变影响忽略不计。)多种温度下阈值电流和温度改变关系图1。 拟合后关系曲线满足关系式为： Ith(T)=171．55+143．exp(T/93．20) 半导体激光器阈值电流密度和温度关系表示式： 其中，Jth(T)表示室温下阈值电流密度，是一个常数，不一样激光器含有不一样值。T0是特征温度，表示阈值电流对温度敏感程度。由上式能够看出，T0越大，表明激光器对温度敏感性越小。若能使T0→∞，则半导体激光器，Jth不随温度改变。和双异质结激光器相比，量子阱激光器含有较高T0值，这是因为此二维系统中准费米能量对温度依靠性弱于体材料，态密度台阶状分布及量子阱区电子和声子分布微扰作用。 通常量子阱激光器特征温度经典值在170K∽250K之间，有时可高达400K以上。当温度升高时，因为增益系数、漏电流、自由载流子吸收损耗、散射损耗及耦合损耗等均会发生改变，进而影响阈值电流密度。 2．2 温度和输出光功率关系从图2能够看出，温度和半导体激光器输出功率有较大关系。伴随温度增加，载流子非辐射复合加剧，因为注入载流子转化为热量，同时会造成结温升高，热阻也伴随增加，结果，其问输出光功率呈抛物线关系。 拟合曲线为P=706．67-0．2097T-0．03409T2，由图2能够看出，激光器在温度超出100℃时输出功率已不到初始值二分之一，已基础失效。 2．3 温度对微分量子效率影响 外微分量子效率ηd定义为： 式中P1对应阈值电流功率输出，Pex为激光器所发射光功率，因为PtPex，故可将式(1)改写为： 这实际上对应曲线在阈值以上部分斜率，能够用它很直观地比较激光器之间斜率上差异。考虑到激光器所发射光率Pex正比于(1／L)ln(1／R)，而有源区内所产生光功率正比于[(1／L)ln(1/R)+α]，则有： 式中分母第一项是输出光子损耗，第二项是总内部损耗α，它包含在有源区内关键由自由载流子吸收损耗αfe和光子溢出有源层所产生损耗αfe，则可将式（3）表示为： 从图3能够看出伴随温度升高，外微分量子效率将降低，原因是伴随温度升高，自由载流子吸收损耗增加，从有源层溢出载流子数目也将增加。ηd和温度拟合曲线为ηd=46．89+46．84exp(-T/14315．46)，但二者并不是成简单线性关系，ηd随温度呈指数降低。 2．4 温度和激光器光谱关系 从图4能够看出，伴随温度增加，波长随温度漂移率约为0．24℃-1，首先是因为器件谐振腔折射率发生改变，其次是因为热膨胀使谐振腔尺寸变大影响，而且，我们也能够看出，40℃∽80℃，激光器模式变坏，这关键是因为在温度升高时，器件开始出现模式竞争，同时，光谱谱宽变大。因为自发辐射影响和自发辐射后驰豫振荡期间折射率改变所引发相位扰动影响，使得激光器谱线含有一定宽度，因为量子阱激光器谱宽较窄，所以在半导体激光器出现早期，光谱宽度曾用来作为测定激光器阈值一个手段，而半导体激光器输出功率P和线宽关系式为△ V∝1/P，也就是说，谱宽和输出光功率成反比。 从以上结果能够看出，研究半导体激光器散热是很关键，这关系到制作半导体激光器性能好坏和成败。现在，常见散热方法关键有[3]：平板热沉散热、大通道散热、针孔通道散热和微通道散热。 用作制作热沉材料通常为无氧铜、氧化铍、氮化铝、石英、银、金刚石。无氧铜价格廉价，轻易加工，是最常见材料。氧化铍用作绝缘材料，但此物有剧毒，应小心使用。银有很好导电、导热能力，常见作热沉一些应用。金刚石即使有很多导热能力，不过因为价格比较昂贵，所以只有在特殊情况下才被加以利用。 3 常见热沉类型 3．1 平板热沉 用无氧铜加工平板热沉是一个简单散热方法，价格廉价，易加工。但散热效果不是很好，可用于脉冲激光列