Al掺杂的Hf0.5Zr0.5O2的极化特性研究.pdf

摘要 摘 要 微电子集成电路的集成度随着微电子技术的飞速发展而持续提高，过渡金属 氧化物HfO2 和ZrO2 因其高介电常数以及与Si 晶格优良的匹配性被广泛应用于场 效应管栅介质层，取代了传统的SiO 材料，缩小器件的特征尺寸。HfO 基薄膜铁 2 2 电性的发现很大的推进了硅基铁电存储器的发展，相比于传统的钙钛矿型铁电材 料如PZT 、BST ，它与 CMOS 器件的兼容性好，并且较小厚度时保证器件的非易 失性，有利于器件的微型化和IC 集成度的提高。目前研究结果表明，掺杂Zr 元素 能够在室温下稳定HfO 薄膜的铁电性，当Hf 与Zr 的原子比为1:1 时（即Hf Zr O ） 2 0.5 0.5 2 薄膜铁电性最强。最近，在掺杂Si 或Al 的Hf0.5Zr0.5O2 中发现了明显的铁电（FE ） 和反铁电（AFE ），表明Si 和Al 在较小程度上可以促进四方相的形成。本文的研 究工作主要包括以下内容： 1. 采用脉冲激光沉积技术，系统研究了生长工艺参数以及热处理工艺对Al 掺 杂Hf0.5Zr0.5O2 薄膜的影响。结果表明：Al : Hf0.5Zr0.5O2 薄膜的剩余极化强度随氧分 压的升高出现类似凸函数的先变大后变小的变化走向；对薄膜的铁电性能有促进 作用的正交相衍射峰在衬底温度为 400 ℃时最强，剩余极化强度相对较高；薄膜 厚度增加，正交相衍射峰变弱，漏电流密度减小。氮气中快速退火薄膜的结晶质量 明显变好，退火温度升高使得薄膜漏电流密度变大，表面粗糙度下降。 2. 在最佳生长工艺条件及热处理工艺下制备 TiN/1.03mol%Al : Hf Zr O / 0.5 0.5 2 TiN 结构薄膜电容器，对其进行微观结构及电学性能方面的测试。结果表明：薄膜 表面晶粒尺寸小且均匀，足够小的晶粒尺寸防止形成稳定的单斜晶相。薄膜样品在 2 2 4V 与10V 测试电压下的剩余极化强度分别为17.2 µC/cm 与23.1 µC/cm ，薄膜漏 -6 电流密度在10 量级。 3. 通过改变 Hf0.5Zr0.5O2 薄膜中 Al 的含量，调整工艺参数得出未掺杂、2.04 mol%Al 掺杂以及4.00 mol%Al 掺杂的Hf0.5Zr0.5O2 薄膜的最佳生长条件。 4. 对不同Al 含量Hf0.5Zr0.5O2 薄膜的结构与电学性能分析，结果表明：薄膜是 多晶相结构，随着 Al 掺杂浓度的增加与退火温度的降低，单斜相峰值逐渐降低， 四方相更加稳定；电滞回线收缩，剩余极化减少。当Al 含量增加到一定程度，薄 膜具有反铁电的双电滞回线，是由于薄膜在电场的作用下发生了可逆的正交相到 四方相的相变，并且在金属/ 电介质界面处的氧空位将捕获电荷而使得薄膜内部存 在偏置电场。对于不同浓度的 Al : Hf0.5Zr0.5O2 薄膜电容器具有不同趋势的场循环 行为，随着Al 含量增加至4.00 mol%，Hf0.5Zr0.5O2 薄膜具有显著的唤醒效应，它与 I 摘要 薄膜中氧空位的重新分布有关。与未掺杂的Hf Zr O 铁电薄膜相比，利用Al 掺