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第一类：问答、选择、简答、填空类题 第一章 绪论 1、什么是电力电子技术？ （应用于电力领域的电子技术 ） 2、电力变换通常分为哪四类？ 第二章 电力电子器件 1、电力电子器件按器件内部两种载流子参与导电的情况分为哪 3 种类型？其代表的 器件是什么？（单级、双极、复合型） 2、与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有 耐受高压和大电流的能力？ （1）电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大， 显著提高了二极管的通流能力。 （2）电力二极管在 P 区和 N 区之间多了一层低掺杂 N 区，也称漂移区。低掺杂 N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度 低，低掺杂 N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 3、电力电子器件按控制形式分为哪 3 种类型？其代表的器件是什么？（不可控、半 控、全控） 4、电力二极管的额定电流的定义是什么？ 是在指定的管壳温度和散热条件下，允许流过的最大工频正弦半波电流的平均 值。 5、晶闸管的通态平均电流的定义是什么？ 是指在环境温度为 40° C 和规定的冷却状态下， 稳定结温不超过额定结温时所允 许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。 6、典型的全控型器件有哪几种？其简称是什么？图形符号是什么？ 门极可关断晶闸管（ GTO ）、电力晶体管（ GTR） 、电力场效应晶体管（电力 MOSFET ）、绝缘栅双极晶体管（ IGBT ）。 7、晶闸管导通的条件是什么？维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使导通的晶 闸管变为关断？ 晶闸管导通的条件是阳极承受正向电压，门极施加触发电流；阳极电流大于维 持电流 I H ；利用外电路的作用，对晶闸管的阳极施加反向电压，使流过晶闸管阳极 电流小于维持电流Ih，其时间大于晶闸管的关断时间。 8、简述IGBT, GTR GT併口电力MOSEF各自的优缺点。 （1） IGBT 的优点：开关速度快，输入阻抗高，驱动功率小而驱动电路简单；但 目前电压电流容量小（大于电力 MOSEFT ）。 （2） GTR ，GTO ：耐高压、电流容量大；但驱动功率大且驱动电路复杂，开关 速度低。 （3） MOSEFT ：开关速度快，输入阻抗高，驱动功率小而驱动电路简单；但电压 电流容量小。 9、在常用的几种自关断器件： GTO、 GTR 、电力 MOSFET 和 IGBT 中，哪些是电 流驱动型器件？哪些是电压驱动型器件？ 举例 1：晶闸管在导通后，维持导通所必须的条件是： （ a ） A .阳极电流大于维持电流。 门极持续加正电压 C .门极持续加正电压，阳极电流大于维持电流 D .阳极电压维持正。 举例 2：设晶闸管额定电流为500安，门极触发电流为 举例 2：设晶闸管额定电流为 中，为使晶闸管正常工作， （）答案： 中，为使晶闸管正常工作， （ ）答案： B A .阳极电流有效值不得超过1.57 乘 A .阳极电流有效值不得超过 1.57 乘 500 安，门极触发电流不得大于 0.35 安。 B.阳极电流有效值不得超过 1.57 乘 500 安，门极触发电流不得小于 0.35 安。 C .阳极电流有效值不得超过500 安，门极触发电流不得小于 C .阳极电流有效值不得超过 500 安，门极触发电流不得小于 0.35 安。 D .阳极电流有效值不得超过 500 安，门极触发电流不得大于 0.35 安。 举例 3：晶闸管的额定电流是指： 允许通过最大电流有效值。 通态平均电流I T（AV）。 允许通过最大直流电流的值。 允许通过最大工频正弦半波电流的有效值。 举例4：晶闸管的通态平均电流It（AV）是指：（ A ） A .最大允许通过工频正弦半波电流的平均值。 最大允许通过工频正弦半波电流的有效值。 C .最大允许通过任意波形电流的平均值。 D .最大允许通过直流电流值。 举例5:在GTR、GTO、电力MOSFET和IGBT几种自关断器件中，所需驱动 功率从大到小依次排列的顺序为：（ B ） A. GTO、 GTR、 电力 MOSFET、IGBT。 B. GTR、 GTO、 IGBT、电力 MOSFET。 C. GTO、 GTR、 IGBT、电力 MOSFET。 D. GTR、 GTO、 电力 MOSFET、IGBT。 D 举例6: N沟道电力场效应晶体管的电气图形符号是 ,三个电极分别是 源 极S、漏极D 和栅极G。 s 第三章整流电路 1、 什么是触发延迟角（控制角）？什么是导通角？ 举例：在单相半波可控整流电路中，从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触 发脉冲止的电角度称为 触发角：晶闸管在一个电源周期内导通的电角度称为 导 通角。 2、 什么是自然换相点？单相和三相可控整流电路中“触发角”