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电工学2每章检测题习题解析 第6章 检测题（共100分，120分钟） 带_负_电。区、管对外引出电极分别是 和_集电—极。亠「3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内 电场的方向相皮，有利于 一、填空题：（每空0.5分，共25 带_负_电。 区、管对外引出电极分别是 和_集电—极。 亠「3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内 电场的方向相皮，有利于 举一极、丄发射一极2、三极管的内部结构是由集壽结组成发 :基极 举一极、丄发射一极 与 /[反向偏同多数4、流子结形成的过程区进彳P型半导体中的导体中的多数载流子_自由电子—向_p_区进行多数载流子—的 漂移?PN 电场的方向_ …一有利于 少子「的 漂移 运动而不利于 多 子的扩散，1 这种情况下的电流称为反向饱 血电流 /[ 反向偏 同 多数4、流子结形成的过程区进彳P型半导体中的导体中的多数载流子_自由电子—向_p_区进行 空间电荷区：其方向由N区指向P区当这两种运动达到动态平衡时，_PN结一形成。 性时，需用万用表欧姆挡 的 档位,当检测时表针偏转度较大时，则红表棒接触的电极是二极管的 丄极；黑表 棒接触的电极是二极管的_阳_极。检测二极管扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区一,其方向由凡区指向耳区。仝 间电荷区_的建立，对多数载流子的_扩散运动 起削弱作用，对少子的 空间电荷区：其方向由N区指向P区 当这两种运动达到动态平衡时，_PN结一形成。 性时，需用万用表欧姆挡 的 档位,当检测时表针偏转度较大时， 则红表棒接触的电极是二极管的 丄极；黑表 棒接触的电极是二极管的_阳_极。检测二极管 好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转 都很大时，说明二极管已经被 亠击穿损坏；两 表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时， 说明该二极管已经绝缘老化不通 特性曲线线接触管是一种特殊 二极管，正常 区。型硅硅口-6、单极型晶体管又称划斗MOS _管。其导电 沟道分有_N_沟道和-P_沟道: 特性曲线线接触 管是一种特殊 二极管，正常 区。 型硅硅 口 8、MOS 8、MOS 、判断正误：（每小题1分，共10 分） TOC \o 1-5 \h \z 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负 电，说明P型半导体呈负电性。 （错） - 2、自由电子载流子填补空穴的“复合” 运动产生空穴载流子。 （错） 3、 用万用表测试晶体管时，选择欧姆档 RX10K档位。 （错） 4、 pN结正向偏置时，其内外电场方向一 、亠〔5、无论在任何情况下，三极管都具有电 流放大能力。 （错） 6、亠双极型晶体管是电流控件，单极型晶 体管是电压控件。 （对） !?二极管只要工作在反向击穿区，一定 会被击穿损坏。^ （错） / m8、当三极管的集电极电流大于它的最大 允许电流ICM时该管必被击穿。 /琵 机理相同。9、双极型三极管和单极型三极管的导电 机理相同。 ） 丄厂10、双极型三极管的集电极和发射极类型 相同，因此可以互换 三、选择题：（每小题2分，共20分） 1、单极型半导体器件是.（C）。 1、单极型半导体器件是.（C）。 场效应管； 的 ; D、稳压官。 2、 P垒半导体是在本征半导体中加入微量 （A）兀素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价; 六价。 3、 稳压二极管的正常工作状态是（C）。 A、导通状态； B、截止状态； 反向击穿状态； D、任意状态。 ^4、用万用表检测某二极管时，发现其正、 反电阻均约等于1KQ ,说明该二极管（C）。 A、已经击穿； B、完好状态； C、 内部老化不通； D、无法判断。 5、PN结两端加正向电压时，其正向电流 是（A）而成。 r A、多子扩散；曲仔B、少子扩散； C、 少子漂移； D、多子漂移。 ,6、测得NPN型三极管上各电极对地电位 分别为 Ve = 2.1V, Vb= 2.8V, Vc = 4.4V,说明 此三极管处在（A ）。 A、放大区;宀 B、饱和区； C、截 止区；D、反向击穿区。 7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。 A、较大； B、较小； C、为零; D、无法判断。 正弦电流经过二极管整流后的波形为 （C）。 A、矩形方波； B、等腰三角波； C、正弦半波； D、仍为正弦波。 宀、「9、三极管超过（C）所示极限参数时，必 定被损坏。 A、集电极最大允许电流I CM ?（BR）CEO CM ? （BR）CEO ； C、集电极最大允许耗散功率 PCM ； D、管子的电流放大倍数 飞 卄口 10、若使三极管具有电流放大能力，必须 满足的外部条件旦/ 发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 四、简述题：（每小题4分，共28分）