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氮化物衬底材料与开发 宽带隙的Ga催半导体在短波长发光二 极管、激光器和紫外探测器，以及高温微电 子器件方面显示出广阔的应用前景； 对环保, 其还是很适合于环保的材料体系。 半导体照 明产业发展分类所示的若干主要阶段， 其每 个阶段均能形成富有特色的产业链。世界各 国现在又投入了大量的人力、财力和物力， 以期望取得Ga曜高功率器件的突破，并且 居于此领域的制高点。“氮化物衬底材料与 半导体照明的应用前景”文稿介绍了氮化 物衬底材料与半导体照明的应用前景的部 分内容。 GaN AlN、InN及其合金等材，是作为 新材料的GaN系材料。对衬底材料进行评价 要就衬底材料综合考虑其因素，寻找到更加 合适的衬底是发展GaN基技术的重要目标。 评价衬底材料要综合考虑衬底与外延膜的 晶格匹配、衬底与外延膜的热膨胀系数匹配、 衬底与外延膜的化学稳定性匹配、材料制备 的难易程度及成本的高低的因素。InN的外 延衬底材料就现在来讲有广泛应用的。 自支 撑同质外延衬底的研制对发展自主知识产 权的氮化物半导体激光器、大功率高亮度半 导体照明用LED,以及高功率微波器件等是 很重要的。“氮化物衬底材料的评价因素及 研究与开发”文稿介绍了氮化物衬底材料 的评价因素及研究与开发的部分内容。 氮化物衬底材料与半导体照明的应用 前景 GaNbOE直接带隙的材料，其光跃迁几率 比间接带隙的高一个数量级。因此，宽带隙 的GaN基半导体在短波长发光二极管、激光 器和紫外探测器，以及高温微电子器件方面 显示出广阔的应用前景；对环保，其还是很 适合于环保的材料体系。 1994年，日本的 Nicha公司在 GaN/A 1203上取得突破，1995年，GaN器件第一次 实现商品化。1998年，GaN?发光二极管LED 市场规模为US的，2000年，市场规模扩大 至US$13亿。据权威专家的预计，GaNM LED 及其所用的A l2O3衬底在国际市场上的市 场成长期将达到50年之久。GaN基LED及其 所用的A I2O3衬底具有独特的优异物化性 能，并且具有长久耐用性。预计， 2005年 GaN?器件的市场规模将扩大至 US$3 0亿， GaN?器件所用的A I2O3衬底的市场规模将 扩大至US$5亿。 半导体照明产业发展分类所示的若干 主要阶段，其每个阶段均能形成富有特色的 产业链： 第一阶段 第一阶段，其中有：仪器仪表指示；金 色显示、室内外广告；交通灯、信号灯、标 致灯、汽车灯；室内长明灯、吊顶灯、变色 灯、草坪灯；城市景观美化的建筑轮廓灯、 桥梁、高速公路、隧道导引路灯，等等。 第二阶段 第二阶段，其中有：CD DVD H-DV^ 存储；激光金色显示；娱乐、条型码、打印、 图像记录；医用激光；开拓固定照明新领域， 衍生出新的照明产业，为通用照明应用打下 基础，等等。 第三阶段 第三阶段，包括以上二个阶段的应用， 并且还全面进入通用照明市场， 占有30~50% 的市场份额。 到达目前为止，已纷纷将中、低功率蓝 色发光二极管、绿色 LED白光LED蓝紫 色LED等实现了量产，走向了商业市场。高 功率蓝色发光二极管、激光二极管和全波段 InN-GaN等，将会引发新的、更加大的商机， 例如，光存储、光通讯等。实现高功率蓝色 发光二极管、激光二极管和全波段 InN-GaN 实用化，并且达到其商品化，这需要合适的 衬底材料。因此，GaN材料及器件发展，需 要寻找到与GaN匹配的衬底材料，进一步提 高外延膜的质量。 另外，就基础研究和中长期计划考虑， 科技发展越来越需要把不同体系的材料结 合到一起，即称之为异质结材料。应用协变 衬底可以将晶格和热失配的缺陷局限在衬 底上，并且为开辟新的材料体系打下基础。 已提出了多种协变衬底的制备技术，例如， 自支撑衬底、键合和扭曲键合、重位晶格过 渡层，以及SOI和VTE衬底技术等。预计， 在今后的10~20年中，大尺寸的、协变衬底 的制备技术将获得突破，并且广泛应用于大 失配异质结材料生长及其相联系的光电子 器件制造。 世界各国现在又投入了大量的人力、 财 力和物力，并且以期望取得 GaN基高功率器 件的突破，居于此领域的制高点。 氮化物衬底材料的评价因素及研究与 开发 GaN AlN、InN及其合金等材料，是作 为新材料的GaN系材料。对衬底材料进行评 价，要就衬底材料综合考虑其因素，寻找到 更加合适的衬底是作为发展 GaN^技术的重 要目标。 一、评价衬底材料综合考虑因素 评价衬底材料要综合考虑以下的几个 因素： 衬底与外延膜的晶格匹配 衬底材料和外延膜晶格匹配很重要。 晶 格匹配包含二个内容： ?外延生长面内的晶格匹配， 即在生长 界面所在平面的某一方向上衬底与外延膜 的匹配; ?沿衬底表面法线方向上的匹配。 衬底与外延膜的热膨胀系数匹