(完整word版)半导体器件作业有答案.docxVIP

1． 半导体硅材料的晶格结构是（ A ） A 金刚石 B 闪锌矿 C 纤锌矿 2． 下列固体中，禁带宽度 Eg 最大的是（ C ） Ａ 金属 Ｂ 半导体 Ｃ 绝缘体 3． 硅单晶中的层错属于（ C ） Ａ 点缺陷 Ｂ 线缺陷 Ｃ 面缺陷 4． 施主杂质电离后向半导体提供（ B ），受主杂质电离后向半导体提供（ A ），本征 激发后 向半导体提供（ A B ）。 A 空穴 B 电子 5． 砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠（ A ） A 直接复合 B 间接复合 C 俄歇复合 6． 衡量电子填充能级水平的是（ B ） Ａ 施主能级 Ｂ 费米能级 Ｃ 受主能级 D 缺陷能级 7． 载流子的迁移率是描述载流子 ( A )的一个物理量；载流子的扩散系数是描述载流子 ( B ) 的一个物理量。 A 在电场作用下的运动快慢 B 在浓度梯度作用下的运动快慢 8． 室温下，半导体 Si 中掺硼的浓度为 － 3 －3 的磷， 1014cm ，同时掺有浓度为 1.1× 1015cm 则电子浓度 约为（ B ），空穴浓度为（ D ），费米能级（ G ）；将该半导体升 温至 570K，则多子浓度 约为（ F ），少子浓度为（ F ），费米能级（ I ）。（已 知：室温下， ni≈ 1.5×1010cm －3 － 3 ） ， 570K 时， ni≈ 2× 1017cm A 1014cm －3 B 1015cm － 3 C 1.1× 1015cm － 3 D 2.25× 105cm －3 E 1.2 ×1015cm － 3 F 2× 1017cm － 3 G 高于 Ei H 低于 Ei I 等于 Ei 9． 载流子的扩散运动产生（ C ）电流，漂移运动产生（ A ）电流。 A 漂移 B 隧道 C 扩散 10. 下列器件属于多子器件的是（ B D ） Ａ 稳压二极管 Ｂ 肖特基二极管 Ｃ 发光二极管 D 隧道二极管 11. 平衡状态下半导体中载流子浓度 n0p0=ni2 ，载流子的产生率等于复合率，而当 npni2 时，载流 子的复合率（ C ）产生率 Ａ 大于 Ｂ 等于 Ｃ 小于 12. 实际生产中，制作欧姆接触最常用的方法是（ A ） Ａ 重掺杂的半导体与金属接触 Ｂ 轻掺杂的半导体与金属接触 13．在下列平面扩散型双极晶体管击穿电压中数值最小的是 （ C ） A BVCEO B BVCBO C BVEBO 14． MIS 结构半导体表面出现强反型的临界条件是（ B ）。（ V 为半导体表面电势； S qVB=Ei-EF） A VS=VB B VS=2VB C VS=0 15．晶体管中复合与基区厚薄有关，基区越厚，复合越多，因此基区应做得 （ C ） A．较厚 B．较薄 C．很薄 16． pn 结反偏状态下，空间电荷层 的宽度随外加电压数值增加而（ A ）。 A．展宽 B．变窄 C．不变 17．在开关器件及与之相关的电路制造中， （ C ）已作为缩短少数载流子寿命的有效手段。 A 钝化工艺 B 退火工艺 C 掺金工艺 18．在二极管中， 外加反向电压超过某一数值后， 反向电流突然增大， 这个电压叫 （ B ）。 A 饱和电压 B 击穿电压 C 开启电压 19．真空能级和费米能级的能值差称为（ A ） A 功函数 B 亲和能 C 电离电势 20. 平面扩散型双极晶体管中掺杂浓度最高的是（ A ） A 发射区 B 基区 C 集电区 21．栅电压为零， 沟道不存在， 加上一个负电压才能形成 P 沟道，该 MOSFET 为（ A ） A P 沟道增强型 B P 沟道耗尽型 C N 沟道增强型 D N 沟道耗尽型 二、判断题（共 20 分，每题１分） １．（ √ ）半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。 ２．（ √ ）半导体中的电子浓度越大，则空穴浓度越小。 ３．（ × ）半导体中载流子低温下发生的散射主要是晶格振动的散射。 ４．（ × ）杂质半导体的电阻率随着温度的增加而下降。 ５．（ √ ）半导体中杂质越多，晶格缺陷越多，非平衡载流子的寿命就越短。 ６．（ √ ）非简并半导体处于热平衡状态的判据是 n0p0=ni2 。 ７．（ √ ） MOSFET 只有一种载流子（电子或空穴）传输电流。 ８．（ √ ）反向电流和击穿电压是表征晶体管性能的主要参数。 ９．（ × ）同一种材料中，电子和空穴的迁移率是相同的。 10．（ √ ） MOS 型的集成电路是当今集成电路的主流产品。 １１．（ √ ）平衡 PN 结中费米能级处处相等。 １２．（ √ ）能够产生隧道效应的 PN 结二极管通常结的两边掺杂都很重， 杂质分布很陡。 １３．（ √ ）位错