IGBT续流保护电路.docxVIP

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2020-11-15 发布于天津
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IGBT续流保护电路.docx

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引言是与双极晶体管的复合器件它既有易驱动的特点又具有功率晶体管电压电流容量大等优点其频率特性介于与功率晶体管之间可正常工作于几十频率范围内故在较高频率的大中功率应用中占据了主导地位是电压控制型器件在它的栅极发射极间施加十几的直流电压只有级的漏电流流过基本上不消耗功率但的栅极发射极间存在着较大的寄生电容几千至上万在驱动脉冲电压的上升及下降沿需要提供数的充放电电流才能满足开通和关断的动态要求这使得它的驱动电路也必须输出一定的峰值电流作为一种大功率的复合器件存在着过流时可能发生锁定现象而造成损坏的问题

1引言 IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有 MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于 MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。 IGBT是电压控制型器件，在它的栅极？发射极间施加十几 V的直流电压，只有级的漏电流流过，基本上不消耗功率。但IGBT的栅极？发射极间存在着较大的寄生电容（几千至上万 pF）,在驱动脉冲电压的上升及下降沿需要提供数 A的充放电电流，才能满足开通和关断的动态要求，这使得它的驱动电路也必须输出一定的峰值电流。 IGBT作为一种大功