材科科学基础第三章-晶体结构缺陷-类型-面缺陷-固溶体.ppt

F－色心：是由自由电子陷落在阴离子缺位中而形成的一种缺陷。如NaCl在Na蒸汽中加热得到黄棕色，是由空位Cl?上陷落了自由电子。F－色心的构造很像一个氢原子。 陷落在缺陷区域的自由电子或电子空穴也具有一系列分离的允许能级，这些允许能级相当于在可见光谱区域的光子能级，因而它们也就能吸收一定波长的光，这样材料就出现某种颜色。 图3.66　阴离子缺位型结构 F－色心 典型例子：Zn1+xO、Cd1+xO。 形成条件：相应金属离子蒸汽。 这种缺陷亦是一种色心。 3.6.2　阳离子填隙型－阳离子过剩 图3.68　间隙阳离子－金属离子过剩型结构 与述反应同时进行的还有氧化还原反应： Zn(g)+1/2O2=ZnO Zn完全电离时： Zn不完全电离时 上述的两个缺陷反应方程式均符合缺陷反应方程的规则，都是正确的。但实验测得ZnO电导率与氧分压的关系支持了单电荷间隙锌的模型。证明氧化锌在锌蒸汽中加热形成单电荷间隙锌的方程是合理的、正确的。实验测得该直线的斜率为－1/4。 图3.69　在650℃下，ZnO电导率σ与氧分压po2(mmHg)的关系 典型例子：UO2＋x。 因为UO2具有萤石型结构，其中具有较大的立方体空隙，容易形成间隙阴离子，为了保持电中性，结构中出现电子空穴，相应的正离子电价升高，电子空穴在电场作用下会运动，因此，这种材料是p型半导体。 3.6.3　阴离子间隙型－过剩 图3.70　阴离子过剩型结构 典型例子：Fe1-xO、Cu2-xO。 从化学观点看，可认为该缺陷的形成是由于Fe2O3在FeO中形成的固溶体。 3.6.4　阳离子缺位型－阴离子过剩 随着氧分压的增大，电子空穴的浓度增大，电导率也相应增大。 非化学计量缺陷的浓度与气氛的性质及分压大小有关，这是它和别的缺陷的最大不同之处。此外，这种缺陷的浓度也与温度有关，反映在平衡常数K与温度的关系。以非化学计量的观点来看，所有的化合物都是非化学计量的，只是非化学计量的程度不同而已。 类型 半导体 化合物 Ⅰ n KCl，NaCl，KBr，TiO2，CeO2，PbS Ⅱ n ZnO，CdO Ⅲ p UO2 Ⅳ p Cu2O，FeO，NiO，ThO2，KBr，KI，PbS，SnS，CuI，FeS，CrS 表3.3　典型的非化学计量的二元化合物 　　本章主要介绍了晶体结构缺陷的类型、分类。重点介绍了点缺陷的符号、点缺陷反应表示法及缺陷反应方程式表达，典型结构形成肖特基缺陷和弗仑克尔缺陷的浓度计算，简要介绍了热缺陷在外力作用下的运动及晶体的离子导电性。重点介绍了位错的类型，表达方式及其特性。简要介绍了位错的运动、反应及面缺陷。重点介绍了固溶体和非化学计量化合物。 本章小结 由于晶界上两个晶粒的质点排列取向有一定的差异，两者都力图使晶界上的质点排列符合于自己的取向。 特性：（1）易受腐蚀（热浸蚀、化学腐蚀）； 　　　（2）晶界是原子（离子）快速扩散的通道，并容易杂质原子（离子）偏聚，同时也使晶界处熔点低于晶粒； 　　（3）晶界上原子排列混乱，存在着许多空位、位错和键变形等缺陷，使之处于应力畸变状态，能量较高，使得晶界成为固态相变时优先成核的区域。因而，可以通过控制晶界组成、结构和相态等来制造新型无机材料。 3.4.1晶界 晶界有二种分类方法：一种简单地按两晶粒之间的夹角大小来分类：小角度晶界和大角度晶界。另一种分类方法是按两边原子排列的连贯性来划分：共格晶界、半共格晶界和非共格晶界。 位错界面包括亚晶界和小角度晶界等。界面两侧的晶体取向差很小，可以通过相应的点阵旋转而相互重合。 （1）小角度晶界 晶界的结构和性质与相邻晶粒的取向差有关，当取向差较小（以取向角度为10-15°为界），小于此角度为小角度晶界，大于此角度为大角度晶界。通常多晶材料中以大角度晶界居多。 亚晶粒：指单晶材料中取向差很小的晶粒称为亚晶粒。 根据形成晶界时的操作不同，晶界分为倾斜晶界和扭转晶界。见图3.52。 晶界两侧原子间距分别为c1和c2，称为失配度。两边的连贯性通过引入位错来达到。因而，也叫位错晶界。失配度与位错引入及结构畸变之间的关系（从能量的角度解释）。 小角度晶界引入的位错的密度问题。 结构上相差很大的固相间的界面不可能是共格晶界，成为非共格晶界。单位面积的晶界能比两个相邻晶粒表面能之和低。 定义—— 形成条件：结构类型相同， 化学性质相似， 置换质点大小相近。 3.5　固溶体 易于形成 按溶解度大小可分为：连续固溶体有限固溶体 形成史：(1) 在晶体生长过程中形成 (2)在熔体析晶时形成 (3)通过烧结过程的原子扩散而形成 几个概念区别——