精品2.6 纳米器件工艺概论.ppt

最新.课件 * 最新.课件 * 最新.课件 * 最新.课件 * 最新.课件 * 最新.课件 * 最新.课件 * 最新.课件 * 最新.课件 * 最新.课件 * 2.6 纳米器件工艺概论 在纳米器件领域内采用的主要加工技术是激光、x线、离子束和电子束等技术。 1000 nm 100 nm 10 nm 1 nm 0.1 nm Si ULSI 16Mb 256Mb (1?m) (0.1?m) (10 ?) 细菌 病毒 ST M 点 状 电 子 束 紫外光,激光,x光 聚 焦 离 子 束 纳 米 工 艺 亚微米工艺 原子级工艺 电子 离子 光 4Mb 64Mb 1Gb 血红蛋白分子 胰岛素分子 苯分子 C-C键 单电子晶体管 原子器件 分子器件 介观器件 量子点 微细加工技术的进展 A. 三束离子 最新.课件 * ①电子束曝光技术：扫描电子束的直径可达5nm (通过提高电子显微镜的加速能量来实现)；曝光分辨率在采用有机感光胶 时可达10nm, 这已经实用化了。如果采用无机感光胶和STEM系统, 曝光分辨率甚至可以达到1nm。 ②离子束曝光技术：聚焦离子束的直径可达8nm；曝光分辨率可达8nm 。 ③利用STM：细小探针可实现对原子、分子的直接操纵, 可改造和控制表面；分辩率可达到0.1nm (横向) 和0.01nm (纵向)。虽然该技术对器件的制造无太大的实用价值, 但是对人工表面的研究, 对新现象、新器件的研究, 具有重要的意义。 最新.课件 * B.采用电子束曝光或电子束刻蚀技术来制作量子结构 Si (110) 衬底 用电子束曝光制作出光刻胶膜图形 Si (110) 衬底 Si (110) 衬底 光刻胶 SiO2膜 等离子体氧化 用有机溶剂去掉光刻胶膜 KOH干法腐蚀的各向异性刻出量子线 Si衬底上量子线的制作 KOH对Si具有较好的各向异性腐蚀性质： 当Si是(110)面时, 对112方向的线条, 可得到垂直的断面。 当Si是(100)面时, 可腐蚀出台形的断面。 最新.课件 * Cl2气氛 As4气氛 去掉氧化膜 再生长 Cl2 气腐蚀 MBE生长 O2气氛 O2气氛 外延层 电子束 GaAs衬底 真空 辐照形成 氧化膜 外延层 GaAs衬底 GaAs衬底 GaAs衬底 GaAs衬底 负型电子束刻蚀技术 最新.课件 * C.采用聚焦离子束（FIB）加工技术来制作量子结构 2DEG 栅极 栅极 FIB扫描形成的高阻区 GaAs n-AlGaAs 衬 底 FIB扫描形成的高阻区 采用FIB技术来制作量子线 最新.课件 * D.采用扫描隧道显微镜 (STM) 技术来制作量子结构 ——应用探针一个一个地提起物理吸附在表面上的原子 (通过原子之间力的作用)。 —— 应用探针 (其上加有脉冲电压) 一个一个地拔取表面层的原子 (基于电场蒸发原理)。 —— 应用探针 (加有脉冲电压) 一个一个地去掉化学吸附在表面上的原子 (基于隧穿电子引起化学反应的腐蚀作用)。 最新.课件 * STM单原子操纵和纳米加工技术 STM的针尖可以成像，可以操纵表面上的原子或分子。 （1）针尖下移，使针尖顶部的原子和表面上的原子的“电子云”重叠，有的电子为双方共享，就会产生一种与化学键相似的力，以操纵表面上的原子。 （2）针尖和表面之间加上一定的能量，如电场蒸发，电流激励，光子激励等能量方式来有效地操纵表面原子。 ——STM原子操纵与蚀刻 最新.课件 * 最新.课件 * 最新.课件 * 最新.课件 * 最新.课件 * 最新.课件 * 最新.课件 * 最新.课件 * 最新.课件 * 最新.课件 * 最新.课件 * 最新.课件