红外温度传感器原理.docxVIP

红外辆射的物理木质是热辎射。物体的温度越烏.辐射出来的红外线越多.红外辆射的 能吊就越强(I研究发现.太阳光谱各种讯色光的热效应从紫色光到红色光是逐渐增大的.而 且故大的热效应出现在红外辐射的频率范围Z内.因此人们又将红外辐射称为热辐射或热射 线。实验农明.波氏在0.1?］000 ym之间的电磁波被物体吸收时，可以就普地转变为热 能。可见.我能电磁波是热轴射传播的卞要嫌介物。 红外输射和所冇电磁波样.是以波的形式在空间直线传播的。它在真空中传播速度为 c=λf (13-1) 式中λ——红外辐射的波长.μm; f——红外辐射的频率?Hz; C——光在真空中的传播速度.c=30× 10,° cn√sβ 热传感器是利用辐射热效应，使探测器件接收辐射能后引起温度升高,进而使传感器中 依赖于温度的性能发生变化。监测其中某-性能的变化.便町探测出辐射。多数悄况下是通 过热电变换來探测轴射的。当器件接受辎射后，引起一 II：电量的物理鼠变化时，也可通过适 当变换变为电量后进行测鼠(I (a)而电极结构 (a)而电极结构 图137 热释电红外传感器结构简图 M 13所示为热栉电红外传感器的两种越木结构°沿某-特定方向将热野电胡体切割 成薄片.并在晶体两竭面上镀匕电极制成i个平板电容器。如果用训制频率为/的红外线 照射热释电晶体.则晶体的温度.自发极化强度及其引起的面束缚电荷密度均以频率/作 周期变化。如果1//小于自由电荷中和面束缚电荷所需要的时间，那么在垂nτ p.的晶体 的两个端面之间就会产生开路电流电用。用负载电附Z把两个电极连接起來.就会有电流 通过负裁。并且输出电流满足以下经验公式，即 i9=Λλ^T∕?t (13-2) 式中A——电极面积; T 晶体温度 239 239 由于只为矢曲.T为标量?所以入和入…应为具冇三个分鼠的矢呈。但对于人多数热 释电材料.如TGS. IJTaO3. SBN、PZT等■它们的热 释电系数，只有沿极化轴方向分量不为举。由图13?4 I 3020mo∣ ■ .. I .-10 0 10 20 30 40 50 60M 13-5 TGSitfl体的热释电系数与温度的关系看出.器件的两个电极面与极化轴垂丄 因此通常把 热释电系数作标晴处理。图 3020m o∣ ■ .. I . -10 0 10 20 30 40 50 60 M 13-5 TGSitfl体的热释电系数与 温度的关系 热释电系数是温度的函数。图13-5所示为TGS 晶体的入-丁关系删线。曲线表明.温度比居里温度低 太多时?入值太小?这种温度不宜作器件的工作温度。 当T与居也温度相差不太大时.入值变人，且随温度 变化较小，这段温度立作器件工作温度.较理想悄况 是.这段温度范围较宽且在室温附近。若丁过于接近 胡片材料的居里温度.则入值起伏较大.且晶体易退 极化.此时也不宜制作器件。如果能将晶体材料的相 变亢调整在室温附近.并使铁电体在相变点以上保持热秤电性能?那么将自FJ能研制出相变 点热釋电红外探测器件. 忌热杆电曰?5T休础命1十。 ③热释电器件的信号电压 图13-6所示 为热释电红外传感益廉理。图13-6中农示热 释电晶片与前屋放人器的输入阻抗和输入电容 的组合系统。 在热释电材料的介电常数实部/、虚部 随频率变化不很大的范I料内.热释电晶片的阻 抗可用图13-7 (b)的等效电路表示。其中 C = LA a (13-5)必=芽 (13-5) R； = —77 X 牛=(ωC, tan5) ~1 ωe A 设热释电胡片cm?畴化。在居里温度范国以外? dε7d*Γ通常很小?因此在室温下工作 的热释电红外传感器dc7i∕亦很小,可以忽略。可推导出前置放大器输入瑞的信号电压U 满足下面方程.即 CdU/dt+U/R = AλdE∕d/ (13-6) 式中C——总电容.C=CZ+ C； R——总电阻?1∕R=1∕X + 1∕7Λ 山式(】3-6)可得热释电红外传感器的等效电路。图】3-8 (a)为戴文宁等效电路。图 13-8 (b)为诺顿等效电路。 ]∕r 0 罟 c”： ]∕r 0 罟 c”： = [∕r U C 二： (a)戴文宁茅效电路 图13-8热極电红外传感器的等效电路 U = (Λλ∕CeFj 詁(d77(l4∣r (13-7) 式中T一器件的平均温度。 从式(15?7)中可以看出.只要C知器件的温度变化规律.即町求得U的具体衣达式。 红外测温有好几种方法,这里只介绍全辐射测?L全辎射测?是测ft物体所辐射出来的 全波段轴射能量來测量物体的温度。它是应用斯蒂芬-玻尔弦曼定律，UlJ W=eσTi (13-36) 式中W——物体的全波辆射出射度，单位而积所发射的辆射功率； ε——物体表面的法向比辐射率J 。—斯蒂芬■玻尔兹曼常数； T