答案材料物理性能试卷14级B(闭卷).docx

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. 理工大学课程考试答案及评分标准 课程名称: 材料物理性能 学分: 3 教学大纲编号:试卷编号: A 考试式: 闭卷 满分分值: 100 考试时间: 120 分钟 一.不定项选择题 (1×15,共计 15 分)(基础题:考查各类物理性能的物理本质、表征等基本 概念) 附图是导体、 半导体、绝缘体在热力学温度 T = 0 K 时的能带结构图。 其中属于绝缘体的能带 结构是 A 。 导带 (空带 ) 导带 (未满 ) 空 带 重合 导带 (空带 ) 导带 (未满 ) 禁带 禁带 禁带 禁带 满 带 满 带 满 带 满 带 (1) (2) (3) 4) A. (1) B. (2) C. (1)、(3) D. (3) 2. 下列关于离子导体导电机制的叙述正确的是: AB 。 低温下以杂质导电为主,高温下以本征导电为主 高温下以杂质导电为主,低温下以本征导电为主 低温及高温下都以杂质导电为主 低温及高温下都以本征导电为主 3. 晶格的热传导必须用声子的 (1)B 近似来解释,此时的声子气 (2)A 理想气体, 因为声子之间 (3)A 碰撞。 (1)A.简谐 B. 非谐 C.近自由电子 D.紧束缚 (2)A.是 B. 不是 (3)A.发生 B. 不发生 4. 固体材料的点阵热容,尤其是低温热容,由下列哪个模型给出了较好的解释: A 。 Word 资料 . A. 德拜模型 B.爱因斯坦模型 C.杜隆 - 珀替模型 Word 资料 . 15. 关于磁畴壁的畴壁厚度与能量之间的关系,下列描述正确的是: AD 。 各向异性能随畴壁厚度增加而增加 各向异性能随畴壁厚度增加而减小 交换能随畴壁厚度增加而增加 交换能随畴壁厚度增加而减小 6. 关于影响材料导电性的因素,下列说法中正确的是 D 。 A.由于晶格振动加剧散射增大,金属和半导体电阻率均随温度上升而升高。 B.冷塑性变形对金属电阻率的影响没有一定规律。 C.“热塑性变形+退火态”的电阻率高于“热塑性变形+淬火态”的电阻率 D.一般情况下,固溶体的电阻率高于纯组元的电阻率。 (注意: a)与 b) 中选做一题 ) a) 下面哪种器件利用了压电材料的热释电功能 B 。 A. 电控光闸 B. 红外探测器 C.铁电显示器件 D.晶体振荡器 b) 下列对于折射率的定义正确的有 AD 。 1/2 1/2 1/2 D.真空光速 / 介质光速 A. (εμ) B.(ε/μ) C.(ε) 8. 利用立稳定的氧化锆作为氧敏元件来监控汽车的排气成分是利用了它的 A性能。 A. 快离子导电 B. 压电 C.铁电 D.铁磁 (注意: a)与 b) 中选做一题 ) a) 钢铁材料的组织中属于非铁磁性相的是 C 。 A. 珠光体 B. 马氏体 C.奥氏体 D.铁素体 b) 下列对于半导体导电性表述正确的有 BD 。 A.杂质浓度越高导电性越好 B.载流子浓度越高导电性越好 Word 资料 . C.温度越高导电性越好 D.载流子迁移率越高导电性越好 Word 资料 . 课程名称: 材料物理性能 学分: 3 试卷编号: A Word 资料 . 10. 根据电介质的分类, H2O 属于 B 。 A. 非极性电介质 B. 极性电介质 C.铁电体 D.铁磁体 如果 (1)锗用锑 (五价元素 )掺杂,(2)硅用铝 (三价元素 )掺杂,则获得的半导体分别属于下述类型: 。 A.(1)、 (2)均为 n 型半导体。 B. (1)为 n 型半导体, (2)为 p 型半导体。 C. (1)为 p 型半导体, (2)为 n 型半导体。 D.(1)、 (2)均为 p 型半导体。 12. 离子导体的电导率与离子晶体的结合力及导电激活能有关,因此下面关于 NaF 与 NaCl 电导 率的比较中,正确的是 A 。 A.NaF 的电导率较高 B. NaCl 的电导率较高 C.两者相等 D.无法比较 13. 以下特性中,一般超导体都具有的包括: ABC 。 A.零电阻B.完全抗磁性 C.约瑟夫森效应 D.巴克豪森效应 二 判断说明题:对下列述进行判断,并说明错误的原因 (注: 7 题中选做 5 题, 3×5 分,共计 分) 与纯铝相比,纯铜的电导率较高,而热导率较低。 答:错误。与纯铝相比,纯铜的电导率较高,而热导率也较高。 高温超导体是指超导临界转变温度在液氮温区以上的超导体。答:正确。 瓷材料的弹性模量随隙率增大而增大。 答:错误。瓷材料的弹性模量随隙率增大而减小。 晶格振动的简谐近似模型无法对声子的导热做出满意解释。答:正确。 Word 资料 . 铁磁体的交换积分小于零,相邻原子磁矩同向平行排列。 答:铁磁体的交换积分大于零,相邻原子磁矩同向平行排列。 根据波粒二象性理论,光子和电子有相同的色散关系。 答:错误。

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