物理晶体电光效应.ppt 24页

晶体的电光效应 班级:电科091 姓名:贺维康 学号 实验目的 (1)掌握晶体电光调制的原理和实验方法。 (2)学会测量晶体半波电压、电光常数的实验 方法。 (3)了解一种激光通信的方法。  实验原理 次电光效应和晶体的折射率椭球 由电场所引起的晶体折射率的变化,称 为电光效应。通常可将电场引起的折射率 的变化用下式表示 n=n taE +bE 2 式中a和b为常数,n为不加电场时晶体的折 射率。由一次项aE引起折射率变化的效应 称为一次电光效应,也称为线性电光效应 或普克尔( Pokells)效应;  由二次项bE2引起折射率变化的效应 称为二次电光效应,也称平方电光效应可 克尔(Ker应。一次电光效应存在于不具 有对称中心的晶体中,二次电光效应则可 存在于任何物质中,一次效应要比二次 效应显著。 光在各向异性晶体中传播时,因光的传播方 向不同,光的折射率也不同。  通常用折射率球来描述 折射率球来描述折射 率与光的传播方向 振动方向的光系,在 主轴坐标中,折射率 椭球及其方程为 式中n1,n2,n3为椭球三 个主轴方向上的折射 率,称为主折射率  当晶体加上电场后,折射率椭球的形状、大 小、方向都发生变化,椭球方程变为: 2 yz 2xz 2xy 晶体的一次电光效应分为纵向电光效应和 横向电光效应两种。纵向电光效应是加在晶体 的电场方向与光在晶体里传播的方向平行时 的电光效应;横向电光效应是加在晶体 电场方向与光在晶体里传播的方向垂直时产 生的电光效应。  二、电光调制原理 KDP晶体纵调制 设电光晶体是与xy平行的晶片,沿z方向 的厚度为L,在方向加电压(纵调制),在输入 端放一个与x方向平行的起偏振器,入射光波 沿z方向传播,且沿ⅹ方向偏振,射入晶体后 它分解成方向的偏振光,射出晶体后的偏 振态由下式表示  首先进行坐标变换,得到xy坐标系内琼斯 矩阵的表达式: (r/2) cos(T/2) RG)J sin(r/2) 如果在输出端放一个与y平行的偏振器,就 构成泡克耳斯盒。由检偏器输岀的光波琼斯矩 阵为;(00(cos/2 isin(r/2))-isin( r/2) 电光介质获得的相位差,由r=TW/n,式 (151)表示输出光波是沿y方向的线偏振光  其光强为 I'=lo(-cos D)=I sin?(y 上式说明光强收到外加电压的调制,称振 幅调制,为光强的幅值,当∨=V时,=  铌酸锂晶体横调制 纵调制器住的调制度远小 与光 波在晶体中传播的距离无关 纵调 制的重要特性。 调制也有 首先L天部分重要的电光晶体的半波 压∨都很高。由 与入成 源波套较大时(例如10.6m),V更 体积和重量 天。其为了沿光轴 加电场须使用透明电极,或带中儿 孔的环形金属电极 制作困难 入损耗较大;后者 晶体扬不 解决上述问题的方案之一,是采用横调