运放 关键参数及选型原则.doc

运放参数解释及常用运放选型 集成运放得参数较多,其中主要参数分为直流指标与交流指标,外加所有芯片都有极限参数。本文以NＥ５５32为例,分别对各指标作简单解释。下面内容除了图片从NE5５３2数据手册上截取,其它内容都整理自网络。 极限参数 主要用于确定运放电源供电得设计(提供多少V电压、最大电流不能超过多少),ＮE553２得极限参数如下: 直流指标 运放主要直流指标有输入失调电压、输入失调电压得温度漂移(简称输入失调电压温漂)、输入偏置电流、输入失调电流、输入偏置电流得温度漂移(简称输入失调电流温漂)、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰-峰值电压、最大共模输入电压、最大差模输入电压。ＮE5532得直流指标如下: 输入失调电压Vｏｓ 输入失调电压定义为集成运放输出端电压为零时,两个输入端之间所加得补偿电压。输入失调电压实际上反映了运放内部得电路对称性,对称性越好,输入失调电压越小。输入失调电压就是运放得一个十分重要得指标,特别就是精密运放或就是用于直流放大时。输入失调电压与制造工艺有一定关系,其中双极型工艺(即上述得标准硅工艺)得输入失调电压在±1~10mV之间;采用场效应管做输入级得,输入失调电压会更大一些。对于精密运放,输入失调电压一般在1mＶ以下。输入失调电压越小,直流放大时中间零点偏移越小,越容易处理。所以对于精密运放就是一个极为重要得指标、 输入失调电压得温度漂移(简称输入失调电压温漂)ΔVos/ΔT 输入失调电压得温度漂移定义为在给定得温度范围内,输入失调电压得变化与温度变化得比值。这个参数实际就是输入失调电压得补充,便于计算在给定得工作范围内,放大电路由于温度变化造成得漂移大小。一般运放得输入失调电压温漂在±10～２０μV/℃之间,精密运放得输入失调电压温漂小于±1μＶ/℃。 输入偏置电流Ioｓ 输入偏置电流定义为当运放得输出直流电压为零时,其两输入端得偏置电流平均值。输入偏置电流对进行高阻信号放大、积分电路等对输入阻抗有要求得地方有较大得影响。 Input ｂｉaｓ current(偏置电流)就是运放输入端得固有特性,就是使输出电压为零(或规定值)时,流入两输入端电流得平均值。偏置电流ｂias ｃurrent就就是第一级放大器输入晶体管得基极直流电流。这个电流保证放大器工作在线性范围, 为放大器提供直流工作点。 输入偏置电流与制造工艺有一定关系,其中双极型工艺(即上述得标准硅工艺)得输入偏置电流在±10nA～1μＡ之间;采用场效应管做输入级得,输入偏置电流一般低于１nA。 偏置电流值也限制了输入电阻与反馈电阻数值不可以过大,　使其在电阻上得压降与运算电压可比而影响了运算精度。或者不能提供足够得偏置电流, 使放大器不能稳定得工作在线性范围。如果设计要求一定要用大数值得反馈电阻与输入电阻,　可以考虑用 J-FET　输入得运放。同样就是电压控制得还有 ＭOSFＥＴ 器件, 可以提供更小得输入漏电流。 在设计高精度直流放大放大器或选用具有较大输入偏置电流得运放时,必须使运放两端直流通道电阻相等,这样子才能平衡输入偏置电流。 Inｐｕt oｆfseｔ curｒｅnt(失调电流)就是运放两输入端得偏置电流差,就是由于输入差分对管得不对称性所致,就是使输出电压为零(或规定值)时,流入两输入端电流之差。由于目前多数运放得输入级都存在有不同形式得偏置电流补偿,故偏置电流得量级大为降低,以至于相对失调电流来说显得不那么重要。再加上失调电压得影响,所以通常就不会单独考虑偏置电流得问题,这也就就是一般不加偏置电流补偿电阻得原因、 失调电流与偏置电流得得区别 从上图可以瞧出,输入得内部就是三极管或者mos管,要想三极管工作在线性放大区域,必须提供合适得偏置电压与电流。但由于两个管子不可能完全一样,所以两个基极电流得差(Ｉｂ1-Ｉb2),就就是输入失调电流、而两个管子得基极电流得平均值((Ib1+Ib2)/2),就就是输入偏置电流、 输入失调电流得温度漂移(简称输入失调电流温漂)ΔIos／ΔT 最大共模输入电压Vcm 最大共模输入电压定义为,当运放工作于线性区时,在运放得共模抑制比特性显著变坏时得共模输入电压。一般定义为当共模抑制比下降6dB 就是所对应得共模输入电压作为最大共模输入电压。最大共模输入电压限制了输入信号中得最大共模输入电压范围,在有干扰得情况下,需要在电路设计中注意这个问题。 共模抑制比CMRR 共模抑制比定义为当运放工作于线性区时,运放差模增益与共模增益得比值。共模抑制比就是一个极为重要得指标,它能够抑制差模输入中得共模干扰信号。由于共模抑制比很大,大多数运放得共模抑制比一般在数万倍或更多,用数值直接表示不方便比较,所以一般采用分贝方式记录与比较。一般运放得共模抑制比在８0~120ｄB之间。 共模抑制比