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材料科学技术（试题11） TOC \o "1-5" \h \z I 无机材料科学基础试卷十一 I 1 1 I ; : 一、 名词解释（20分）： 液相独立析晶，切线规则 本征扩散，不稳定扩散， 均匀成核，二级相变， 烧结，泰曼温度 二、 选择题（12分）： TOC \o "1-5" \h \z I 陶瓷经烧结后在宏观上的变化表述不正确的是（ ） ii i A.强度增加 B.体积收缩 C.气孔率降低 D.致密度减少 在反应温度下，当固相反应的某一相发生晶型转变时，反应速度是（ ） | A.无影响 B.加快 C.减慢 表面扩散系数Ds，界面扩散系数Dg，晶格扩散系Db的关系是（ ） I : 'A.Ds > Dg > Db B. Ds > Db > Dg i i C.Db > Ds > Dg D. Db > Dg > Ds 下列属于逆扩散过程的是（ ） | A.二次再结晶 B.杂质的富集于晶界 C.布朗运动 A，B进行反应生成AmBn,为扩散控制的固相反应，若 Db》Da，则在AmBn-A界面上， [反应物B的浓度Cb为（ ） 1 I :A.1 B.0 C.不确定 烧结中晶界移动的推动力是（ ） | A.表面能 B.晶界两侧自由焓差 C.空位浓度差 同一种物质在晶体中的扩散系数（ ）在玻璃中的扩散系数 i A ?大于 B ?等于 C ?小于 D ?不确定 金斯特林格方程采用的反应截面模型为（ ） I A.平板 B.球体 C.球壳 D.圆柱 下列过程中，哪一个能使烧结体的强度增加而不引起坯体收缩？ 1 A.蒸发-凝聚 B.体积扩散 C.流动传质 D.溶解-沉淀 纯固相反应，反应过程是（ ） [A.放热过程 B.等温过程 C.吸热过程 在制造透明AI2O3陶瓷材料时，原料粉末的粒度为2卩m，在烧结温度下保温30分钟，测 i得晶粒尺寸为10卩m。若在同一烧结温度下保温4小时，晶粒尺寸为（ ），为抑制晶粒 Ii i |生长加入0.1% MgO，此时若保温4小时，晶粒尺寸为（ ）。 A. 16 卩 m B. 20 卩 m C. 24 卩 m D. 28 卩 m i :三、填空题（18分） L烧结的主要传质方式有蒸发■凝聚传质、扩散传质、流动传质和溶解■沉淀传质四种，产生$ 这四种传质的原因依次为（ （ ）° 均匀成核的成核速率斤由（ 定的. ）*菲克第二定律的应用条件是（）. < ）和（ ）*菲克第二定律的应用条件是（ ）. < ）和（ ）.（ J- V !■ !： 液?固相变过程的推动力为（ M固体内粒子的主要迁移方式有（ 心如杂质的量增加，扩散系数与温度关系曲线中本征与非本征扩散的转折点 z a合成镁铝尖晶石，可选择的原料为MgCO^, 的角度出发选择（ ），（在均匀成核时，临界成核位垒AGk=（具有临界半径口的粒子数nu/N=（液-固相变时，非均匀成核位垒与接触角 z a 合成镁铝尖晶石，可选择的原料为MgCO^, 的角度出发选择（ ），（ 在均匀成核时，临界成核位垒AGk=（ 具有临界半径口的粒子数nu/N=（ 液-固相变时，非均匀成核位垒与接触角B有关，当0为（ 垒为零“ 10.成核生长机理的相变过程需要有一定的过冷或过热，相变才能发生.在（ 况下需要过冷。 1L在制硅砖时，加入氧化挟和氧化钙的原因（ 能否加入氧化铝（ ）° 12.在液相线以下的分相区的亚稳区内，其分解机理为（ ）状，不稳定区的分解机理为（ 7. I' MgO, y-AhOjt a -AI2O3,从提髙反应速率| !： >惊料较好。 ），其值相当于（ ）时，非均匀成核位E 〉.新相成（ ）#新相成（ ） I I- i： I i； ；：状。 ；： 四、简答题门2分） MgO3和G1C6反应时，反应机理受到CaCOj颗粒大小的影响，当MoO』； CaCOj=l： b r mooj =0.036 mm, r Cacoj =0J3 mm时，反应是扩散控制的。当 MoOj： CaCO3=l： 15, N GW v M3 mm时，反应由升华控制，试解释这种现象。竹分） i| 试用图例说明过冷度对核化、晶化速率和晶粒尺寸等的影响，如无析晶区又要使其析晶应* 采取什么措施？（*分） i 简述晶粒生长与二次再结晶的特点，以及造成二次再结晶的原因和控制二次再结晶的方法吐 （10 分） 4 ?说明影响扩散的因素？心分） 五、相图分析（18分） 题册课程考试试 共 题册 课程考试试 共7页第0页 ：右图为生成一个三元化合物的三元相图， 判断三元化合物D的性质，说明理由？ 标出边界曲线的温降方向（转熔界限用双箭头）； 指出无变量点的性质（E、F、G）； 分析点M1，M 2的结晶路程； 计算M2点液相刚到结晶结束点和结晶结束后各相的含量 I I 无机材料科学基础试卷十