长沟道mosfets资料讲解.ppt

长沟道MOSFETs;理想的p-MOS 和n-MOS电容能带图(1) ;理想的p-MOS 和n-MOS电容能带图(2);理想的p-MOS 和n-MOS电容能带图(3);理想的p-MOS 和n-MOS电容能带图(4); p-MOS电容接近硅表面的能带图 ;MOSFET的四种类型及符号; MOSFET符号;7.2 漏电流模型; MOSFET器件剖面图 ;本征电荷密度与准费米势的关系;缓变（渐变）沟道近似; MOSFET器件剖面图;缓变（渐变）沟道近似;PAO和SAH’s双积分;PAO和SAH’s双积分;第3节MOSFET I-V特性;薄层电荷近似 ;薄层电荷近似;线性区特性 ;线性区特性;低漏电压时的I ds--Vg关系曲线 ;饱和区特性;饱和区特性 ;长沟MOSFET I ds—Vds关系曲线 ;夹断点和电流饱和 ;反型层电荷密度与准费米势的关系 ;线性区（低漏电压);开始饱和时;饱和区外，沟道长度开始减小;夹断点和电流饱和;准费米势与源漏之间距离的关系 ;计算的I ds—Vds关系曲线实线（3.18）；点划线：（3.21）;pMOSFET I-V特性;MOSFET的特性曲线;第4节亚阈特性;MOSFET工作的三个区域 ;弱反型导电 ;弱反型导电原因;漏电流的漂移和扩散分量;亚阈区电流表达式;亚阈区斜率;第5节衬底偏置效应和温度特性对阈值电压的影响 ;体效应;MOSFET衬底偏置效应等效电路;体效应;体效应（续）;阈值电压与反向衬底偏压的关系 ;阈值电压的温度特性;阈值电压的温度特性（续）;阈值电压的温度特性（续）;第6节 MOSFET沟道迁移率;有效迁移率和有效电场;有效迁移率和有效电场（续）;电子迁移率数据 ; 300K和77K时测量的电子迁移率 ;空穴迁移率数据;300K和77K时测量的空穴迁移率 ;第7节 MOSFET电容和反型层电容的影响;7.1本证MOSFET电容--亚阈区 ;7.1本证MOSFET电容--线性区 ;7.1本证MOSFET电容--饱和区 ;7.2反型层电容; Qi-Vg关系曲线实线（零漏电压时，Pao and Sah’s model）；虚线（电荷控制模型） ;7.2反型层电容计算;7.3多晶硅栅耗尽层的影响;7.4线性Ids--Vg特性;7.4线性Ids--Vg特性（续）;反型层电容和迁移率简并效应Ids--Vg关系特性曲线;第8节 MOSFET的频率特性;8.1 MOSFET的栅跨导gm—定义;8.1 MOSFET的栅跨导gm—讨论;8.1 MOSFET的栅跨导gm—栅电压的影响 ;8.1 MOSFET的栅跨导gm—考虑速度饱和效应后源漏电压对跨导的影响;8.1 MOSFET的栅跨导gm—源漏电阻对跨导的影响;8.2 小信号衬底跨导gmb ;8.3 漏电导gd（MOSFET的非饱和区漏电导）;8.4 饱和区漏电导;8.5 MOSFET小信号等效电路模型;8.6 跨导截止频率?gm;此课件下载可自行编辑修改，仅供参考！感谢您的支持，我们努力做得更好！谢谢