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单片机第一章电力电子器件n;电子电路的基础 ——— 电子器件 电力电子电路的基础——— 电力电子器件 本章主要内容： 电力电子器件的概念、特点和分类等问题。 电力电子器件的工作原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意问题。;1.1 电力电子器件概述;1）概念: 电力电子器件（Power Electronic Device） ——直接用于电能的变换或控制主电路。 主电路（Main Power Circuit） ——直接承担电能的变换或控制任务的电路。; 处理电功率的能力大。 工作在开关状态。 需要信息电子电路控制。 功率损耗大。;通态损耗是器件功率损耗的主要成因。 开关频率较高时，开关损耗可能是功率损耗的主要因素。;电力电子系统：由控制电路(检测电路、驱动电路、保护电路)和主电路组成。V(Valve阀); 半控型器件（Thyristor） ——控制信号可控制其导通不能控制其关断。 全控型器件（IGBT,MOSFET，GTO) ——控制信号既可控制其导通又可控制其关 断，又称自关断器件。 不可控器件 (Power Diode) ——控制信号不能控制其通断。;电流驱动型 ——控制端注入或者抽出电流来实现导通或关断。 电压驱动型 ——电压信号实现导通或者关断。; 单极型 双极型 复合型 ;1.2 不可控器件—电力二极管;由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。 从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种封装。; 状态参数;PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现电容 效应，该效应影响PN结的工作频率。;伏安特性 门槛电压UTO，正向电流IF开始明显增加所对应的电压。 与IF对应的电力二极管两端的电压即为其正向电压降UF 。 承受反向电压时，只有微小而数值恒定的反向漏电流。; 额定电流——在指定的管壳温度和散热条件下，允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。 使用时应按电流发热效应有效值相等的原则来选取电流定额，并应留有一定的裕量。;1.2.3 电力二极管的主要参数;2）正向压降UF 在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降。 3）反向重复峰值电压URRM 对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。 使用时，应???留有两倍的裕量。 ;1) 普通二极管（General Purpose Diode） 又称整流二极管（Rectifier Diode） 多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路 正向电流定额和反向电压定额可以达到很高 DATASHEET; 简称快速二极管trr在5μS以下 快恢复外延二极管 （Fast Recovery Epitaxial Diodes——FRED），trr低于50ns， UF也很低（0.9V左右），反向耐压多在1200V以下。 DATASHEET 1 2 3;1.2.4 电力二极管的主要类型;1.3 半控器件—晶闸管;图1-6 晶闸管 a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号;1.3.1 晶闸管的结构与工作原理;1.3.1晶闸管的结构与工作原理;1.3.1 晶闸管的结构与工作原理;1.3.1 晶闸管的结构与工作原理;1.3.2 晶闸管的基本特性;1.3.2 晶闸管的基本特性;1.3.2 晶闸管的基本特性;1.3.3 晶闸管的主要参数;1.3.3 晶闸管的主要参数;1.3.3 晶闸管的主要参数;1.3.4 晶闸管的派生器件;1.3.4 晶闸管的派生器件;1.3.4 晶闸管的派生器件;1.3.4 晶闸管的派生器件;1.4 典型全控型器件;1.4 典型全控型器件;1.4 典型全控型器件;1.4.1 门极可关断晶闸管;1.4.1 门极可关断晶闸管;1.4.1 门极可关断晶闸管;1.4.1 门极可关断晶闸管;1.4.1 门极可关断晶闸管;1.4.1 门极可关断晶闸管;1.4.2 电力晶体管;耐压高、电流大、开关特性好。 单管β通常为10左右，达林顿接法。;1.4.2 电力晶体管;1.4.2 电力晶体管;1.4.2 电力晶体管;1.4.2 电力晶体管; 安全工作区（Safe Operating Area——SOA） 最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功率PcM 二次击穿临界线P SB限定。 ;1.4.3 电力场效应晶体管;1.4.3 电力场效应晶体管;1.4.3 电力场效应晶体管;1.4.3 电力场效应晶体管;1.4.4 绝缘栅双极晶体管;1.4.4 绝缘栅双极晶体管;1.4.4