半导体物理学第五章非平衡载流子含例题的讲解.ppt

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;第五章 非平衡载流子 ;§5.1 非平衡载流子的注入与复合; 对于给定的半导体,本征载流子浓度ni只是温度的函数。无论掺杂多少,平衡载流子的浓度n0和p0必定满足上式。上式也是非简并半导体处于热平衡状态的判据。;非平衡载流子及其产生:;平衡载流子满足费米-狄拉克统计分布;产生非平衡载流子的过程称为非平衡载流子注入; 说明: 即使在小注入条件下,非平衡载流子浓度可以比平衡少数载流子浓度大得多, 而对平衡多数载流子浓度影响可以忽略. 因此从作用意义上, 非平衡载流子意指非平衡少数载流子.;2. 非平衡载流子的检验; ;第五章 非平衡载流子 ;§5.2 非平衡载流子的寿命;1/?n 和 1/?p 分别表示非平衡电子和非平衡空穴的复合几率.;同理对P型有 ;寿命的意义;因此, 个过剩载流子的平均可生存时间为: ;不同材料的寿命差异较大. 锗比硅容易获得较高的寿命, 而砷化镓的寿命要短得多.;例: ; 非平衡态和平衡态 稳定的非平衡态产生率等于复合率,△n 不变 非平衡载流子 非平衡条件 非平衡载流子注入 小注入 复合几率为1/?;复合率=?p/?;第五章 非平衡载流子 ;5.3 准费米能级(Quasi-Fermi Level );对于热平衡状态下的非简并系统,有: ;从而使得电子和空穴的浓度满足:; 由于同一能带内,电子的跃迁非常迅速和频繁,因此,即使在非平衡状态下,导带中的电子和价带中的电子分布仍满足费米分布,即当处于非平衡状态时, 电子与空穴各自处于热平衡态---准平衡态(同一能带内的热平衡)。 此时电子和空穴有各自的费米能级----准费米能级。即;对于非简并系统,非平衡状态下的载流子浓度也可以由与平衡态相类似的表达式来表示:;准费米能级;可见, 和 的偏离的大小直接反映出 (或 )与 相差的程度,即反映出半导体偏离热平衡态的程度。;对于n型半导体,准费米能级偏离平衡费米能级示意图如下图所示:;;证明:由;而;5.4 复合理论;不同状态时,载流子的产生率和复合率统计比较:;非平衡载流子复合过程的两种基本形式:;2 直接复合;在注入撤销的非平衡状态时,载流子的产生率也等于热平衡时产生率,因此,载流子的直接净复合率为:;通过直接复合的消失的非平衡载流子的平均寿命:;(1) 小注入条件下,即;(2) 大注入条件下,即;间接复合:通过杂质或缺陷能级Et而进行的复合。;甲:俘获电子;乙:发射电子;丙:俘获空穴;丁:发射空穴。;(a) 电子俘获 ;平衡态时,上述两个微观过程必然互相抵消:;式中;s+ :空穴发射系数 ;类似地,在平衡状态下,上述两个过程必须相互抵消:;间接复合的四个微观过程小结:;(2)载流子的净复合率及非平衡载流子寿命:;把;非平衡载流子净复合率U =电子俘获率(甲)-电子发射率(乙) =空穴俘获率(丙)-空穴发射率(丁) ;非平衡载流子的平均寿命为:;而且对于一般的复合中心,rn和rp相差不是太大,所以;显然, n0、p0、n1和p1的大小主要取决于(Ec-EF)、(EF-EV)、(EC-Et)及(Et-EV). 若k0T比这些能量间隔小得多时, n0、p0、n1和p1的值往往大小悬殊,因此实际上平均寿命表达式中只需要考虑最大者。;若EF比E‘t更接近EC,称之为“强n型区”。;所以寿命为:;令;对一般的复合中心, 近似取:;复合中心的作用;课堂练习6;课堂练习6答案;4、表面复合*;5.俘获截面*;杂质和缺陷能级的主要作用:;杂质或缺陷能收容非平衡载流子的作用称为陷阱效应。;2. 陷阱效应的分析;(1)平衡态;只考虑△n 的影响,则有: ; 上式中第二个因子总是小于1,因此要使?nt与?n可以相比拟,除非Nt可以与平衡载流子浓度之和(n0+p0)可以相比拟,否则没有明显的陷阱效应的.; ;现求?nt极大值时对应的n1值:;因此?nt极大值时对应的n1值和相应的极大值分别为:;;从以上分析可知, 对于电子陷阱,电子落入陷阱后,基本上不能直接与空穴复合,它们必有首先被激发到导带,然后才能再通过复合中心而复合材料,相对于从导带俘获电子的平均时间而言, 陷阱中的电子激发到导带子所需的平均时间要长得多, 因此,陷阱的存在大大增长了从非平衡态恢复到平衡态的时间.;3. 陷阱效应对载流子寿命的影响;由于非平衡载流子随指数规律衰减,因此附加光电导率也应随指数规律衰减.;研究表明,P型硅中存在两种陷阱:;5.6 非平衡载流子的扩散;用sp(x)表示空穴扩散流密度,则一维情况下,沿x方向的扩散流密度为:;公式;?x很小时,上式可以写为:;----稳态扩散方程;稳态扩散方程的通解为:;非平衡少数载流子在边扩散边复合的过程中,其浓度减少到原值的

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