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第 PAGE 2 页 共 NUMPAGES 2 页 升华法：将固体在高温区升华，蒸气在温度梯度的作用下向低温区输运结晶的一种生长晶体的方法。（硫化物，卤化物，Cds，ZnS，CdI2，HgI2） 在晶体生长过程中始终维持其过饱和度的途径有：（1）根据溶解度曲线，改变温度；（2）采取各种方法（如蒸发，电解等）减少溶剂，改变溶液成分；（3）通过化学反应来控制过饱和度。化学反应的速度和晶体生长的速度差别很大，凝胶扩散使反应缓慢进行；（4）用亚稳相来控制过饱和度。 根据晶体的溶解度与温度的关系，溶液中生长晶体的方法：降温法，流动法（温差法），蒸发法，凝胶法。 降温法适用于溶解度和温度系数都较大的物质，并需要一定的为温度区间。 蒸发法生长晶体的基本原理是将溶剂不断蒸发减少，从而使溶液保持在过饱和状态，晶体便不断生长。适用于溶解度较大而溶解度温度系数较小或为负值的物质。 晶体的水热生长法是一种在高温高压下的过饱和和水溶液中进行结晶的方法。 水热法的优点：（1）由于存在相变（α石英）可能形成玻璃体（由于高粘滞度而结晶很慢的那些硅酸盐）；在熔点时，不稳定的结晶相可以用水热法生长；（2）可以用来生长在接近熔点时蒸汽压高的材料（ZnO）或要分解的材料（VO 2）等；（3）适用用要求比熔体生长的晶体有较高完美性的优质大晶体或在理想配比困难时，要更好的控制成分的材料生长；（4）生长出得晶体热应力小，宏观缺陷少，均匀性和纯度也较高。 水热法的缺点：（1）需要特殊的高压釜和安全保护措施；（2）需要适当大小的优质籽晶，虽然质量在以后的生长中能够得到改善；（3）整个生长过程不能观察，生长一定尺寸的晶体，时间较长。 正常凝固法的特点是在晶体开始生长时，全部材料处于熔融态（引入的籽晶除外）。在生长过程中，材料体系有晶体和熔体两部分组成，并且是以晶体的长大和熔体的减少而告终。 正常凝固法：晶体提拉法，坩埚移动法，晶体泡生法，弧熔法。 提拉法改进技术：（1）晶体直径的自动控制技术—ADC技术—不仅使生长过程的控制实现了自动化，而且提高了晶体的质量和成品率；（2）液相封盖和高压单晶炉—LEC技术—生长那些具有较高蒸气压或高离解压的材料；（3）磁场提拉法—MCZ技术—在提拉法中加一磁场，可以使单晶中得氧含量和电阻率分布得到控制和趋于均匀（单晶硅的成功制取）；（4）倒膜法—EFG技术—可以按照所需要的形状和尺寸来生长晶体，晶体的均匀性也得到了改善。 晶体提拉法的优点：（1）在生长过程中，可以直接观察晶体的生长状况，这位控制晶体外形提供了有利条件；（2）晶体在熔体的自由表面处生长，而不与坩埚相接触，能够显著减少晶体的应力并防止坩埚壁上的寄生成核；（3）可以方便地使用定向籽晶的和“缩颈”工艺，得到不同取向的单晶体，降低晶体中得位错密度，减少镶嵌结构，提高晶体的完整性；（4）能够以较快的速率生长较高质量的晶体。 晶体提拉法的缺点：（1）一般要用坩埚作容器，导致熔体有不同程度的污染；（2）当熔体中含有易挥发物时，则存在控制组分的困难；（3）适用范围有一定的限制。 浮区法：在生长的晶体和多晶原料棒之间有一段熔区，该熔区由表面张力所支持。优点：不需要坩埚，从而避免了坩埚造成的污染，常用于生长半导体材料（Si）。 焰熔法：最简便的无坩埚生长方法，主要用于宝石的工业生产。 薄膜的生长过程：（1）核生长型（成核，晶核长大并形成较大的岛，岛与岛之间聚接形成含有空沟道的网络，沟道被填充）；（2）层生长型。特点：沉积原子在衬底表面以单原子层的形式均匀地覆盖一层，然后再在三维方向上生长第二层、第三层…….。（3）层核生长型。特点：它是生长机制的中间状态，当衬底原子与沉积原子之间的键能大于沉积原子相互之间键能的情况下多发生这种生长方式的生长。 真空蒸发镀膜。原料置于料舟之中，衬底置于反应室上部正对着料舟（高熔点金属Mo，Ta等制成）。蒸发淀积时利用真空泵将反应室抽成真空（10-4Pa），然后用料舟将淀积材料加热，使之蒸发、淀积在基片上。 制膜过程的物理阶段：（1）淀积材料蒸发或升华为气态；（2）原子（或分子）从蒸发源输运到基片上；（3）蒸气粒子在基片上沉积；（4）粒子在基片表面重新排列或它们的键发生变化，凝结成膜。 把蒸镀材料加热汽化的主要方法：电阻加热（电阻的选择应考虑所需的温度下不能软化，饱和蒸汽要小，更不能与熔融的蒸发材料发生反应；螺旋丝状或箔舟状，高熔点金属钨、钽；可蒸发不浸润加热器的原料，效率较高），电子束轰击（高熔点金属，钨、钽，优点：可以直接对蒸发材料加热；装蒸发料的容器可以是冷的或用水冷却，从而避免材料与容器的反应和容器材料的蒸发；可蒸发高熔点材料。缺点：装置复杂；只适用于蒸发单质元素；残余气体分子和蒸发材料的蒸汽会部分被电子束电离），射频感应。 分子束外延。外延是指在