青海大学电工电子09半导体器件全解doc资料.ppt

青海大学电工电子09半导体器件;一、半导体材料 元素半导;本征半导体的共价键结构束缚电子;2、本征激发----在室温下，;自由电子 带负电荷 电子流;杂质半导体-----在本征半导;在本征半导体中掺入三价杂质元素;一、PN结的形成1、浓度差?多;PN结形成的物理过程： ;二、PN结的单向导电性只有在外;PN结的伏安特性1、PN结的伏;三、半导体二极管半导体二极管图;无标题;无标题;1、半导体二极管的结构 ;(3) 平面型二极管 ;2、二极管的伏安特性硅二极管2;3、二极管的参数(1) 最大整;4、二极管基本电路及其分析方法;例1：电路如图所示，判断D的状;例2：整流电路：将交流电压变换;例3：限幅电路（削波电路）;例4：钳位、隔离电路（数字电路;练习：2CP1（硅），IF=1;9-2 特殊二极管 一、稳压;一、稳压二极管1、符号及稳压特;(1) 稳定电压VZ(2) 动;3、稳压电路正常稳压时 ;一、BJT的结构简介基区发射区;二、BJT的电流分配与放大原理;三极管的放大作用是通过载流子传;2、电流分配关系根据传输过程可;3、三极管（放大电路）的三种组;综上所述，三极管的放大作用，主;vCE = 0V+-bce共射;饱和区：iC明显受vCE控制的;非线性失真与线性范围饱和失真截;线性范围（动态范围）线性范围 ;四、BJT的主要参数交流参数直;FET分类： ;一、结型场效应管 1、结构 ;二、金属-氧化物-半导体场效应;2、N沟道耗尽型MOSFET特;MOS场效应管电路符号;三、场效应管的特点1、场效应管;此课件下载可自行编辑修改，仅供