发光二极管的主要参数及测量方法.docx

发光二极管参数的测量 一发光二极管的结构和基本原理 1发光二极管的结构 发光二极（Iight emission diode LED）图1.显示了 LED的结构截而图°要使LED发光, 有源层的半导体材料必须是直接带隙材料，越过带隙的电子和空穴能够直接复合发射出光 子。为了使器件有好的光和载流子限制，大多采用双异质结（DH）结构。 P电极（+ ） 图1边发射LED结构戳面 2 LED的基本工作原理 LED是一种直接注入电流的发光器件，是半导体晶体内部受激电子从髙能级回复到低能 级时，发射出光子的结果，这就是通常所说的自发发射跃迁。当LED的PN结加上正向偏压, 注入的少数载流子和多数载流子（电子和空穴）复合而发光。值得注意的是，对于大量处于 髙能级的粒子各自分别自发发射一列一列角频率为V =Eε∕h的光波，但各列光波之间没有 固泄的相位关系，可以有不同的偏振方向，并且每个粒子所发射的光沿所有可能的方向传播, 这个过程称为自发发射。其发射波长可用下式来表示： λ （ μ m） = Eg（eV） 二发光二极管的特性及测试方法 LED的光谱特性及测试方法 由于LED没有光学谐振腔选择波长，所以它的光谱是以自发发射为主的光谱，图2显示 出了 LED的典型光谱曲线。发光光谱曲线上发光强度最大时所对应的波长称为发光峰值波 长，光谱曲线上两个半光强点所对应的波长差称为谱线宽度（简称线宽），其典型值在30— 40nm之间。峰值波长和谱线宽度的测试方法如图3所示，当被测器件的正向工作电流达到 规定值时，旋转单色仪波鼓，使指示器达到最大值，读出波长蚯值，此即为该器件的发光峰 值波长。在旋转单色仪波鼓（朝相反方向各转一次），使指示器读数为最大值的一半时，读 出两个等于最大值一半的数值，两者之差即为光谱谱线宽度。 波长 图2 LED的光谱曲线 图3 LED的邮值波长和线宽测试方框图 由图2可以看出，当器件温度升高时，光谱曲线随之向右移动，从峰值波长的变化可以 求出LED的波长温度系数。 LED的伏安特性及测试方式 LED通常都具有图4所示的较好的伏安特性。当LED管芯通过正向电流为规建的值时， 正、负极之间产生的电压降，即为正向压降（以VF表示，单位为V）,由于正向电阻比较小, 故VF—般都较低，图5示出了 VF的测试原理图 图4 LED的伏安特性曲线图 图4 LED的伏安特性曲线 图5 LED的正向压降测试原理 LED的电光转换特性及测试方法 电光转换特性是LED的光输岀功率与注入电流的关系曲线，即P-I曲线，因为是自发 辐射光，所以P-I曲线的线性范国比较大如图6所示。LED的输出光功率是LED重要参数 之一，分为直流输岀功率P。和脉冲输出功率。所谓直流输岀功率是指在规泄的正向直流工 作电流下，LED所发出的光功率，图7是测试原理图。测试时，把LED和接受器巻于同一暗 盒中，使发光面和接受而相互平行且尽量靠近。调解恒流源，使其正向电流IF位规泄值，指 示器上的读数即为被测LED的宜流输岀光功率。所谓脉冲输出光功率是指在规怎的幅度、频 率和占空比的矩形脉冲电流作业下，LED发光面所发射出的光功率。测试时把LED和接收器 置于同一暗盒中，使发光面和接受而互相平行且靠近。调节脉冲源，使苴峰值电流IP为规圮 值时，指示器上的读数即为被测LED的脉冲输岀光功率值，图8是测试原理图，图中RL为 取样电阻。脉冲峰值输岀光功率和平均输出光功率的关系为： 式中，PP为脉冲输岀光功率，PAV为脉冲平均输出光功率，DR为脉冲波占空比。 恒流源暗盒图7直流输出功率测试原理图 恒流源 暗盒 图7直流输出功率测试原理图 矩形脉冲器图8脉冲输出光功率的测试原理图 矩形脉冲器 图8脉冲输出光功率的测试原理图 4 LED的辐射强度空间分别和半角值θv≥θw 辐射强度空间分布是指LED在规左的正向工作电流下垂直和平行于PN结方向强度随空 间角度的分布图,它的分别影响到与光纤之间的耦合效率。测试时把LED置于预建的位置上, 调节恒流源，使工作电流为规立值，从O到90度转动发光器件，读取不同角度下指示器上 的辐射强度值，然后在极坐标或直角坐标上分别作出相应点的角度与辐射强度关系图，即为 辐射强度空间分布图。在分布图上读取半强度值点的角度θ1>f∏θz,则半角值 （&1/2）丄=|&2± -&1丄|'?/2）// =|&2〃 ~^?ll? 其中（&”2）丄为垂直与PN结方向的半角值，（耳/2）〃为平行于PN结方向的半角。图9岀示 了半角值的测量原理，图中：L为LED发光而于接收而的距离，OIO2为主光轴。调宵时，LED 的出光而和接收器的光敏而应垂直于主光轴，L于接收光敏而直径之比至少应为10： Io 恒流源图9 LED的半角测试原理图指示器 恒流源 图9 LED的半角测试原理图 指示