同步辐射光刻08稿.ppt

同步辐射X射线光刻技术 引言 同步辐射X射线光刻的基本原理 同步辐射X射线光刻的关键技术 引言 六十年代光刻工艺发明 线条从粗糙到精细，光源从光子到粒子，从表面光刻到深度光刻 大规模、超大规模集成电路技术不可或缺的重要工艺 2004年集成电路的最小线宽要达到100nm，到2008年，要达到70nm，2011年，要达到50nm。 光刻技术分类 光学光刻技术，主要是紫外光刻技术 按波长它分为紫外（365-436nm）、深紫外（248nm）和极紫外（193nm和137nm）光刻 粒子束光刻技术 ： X射线光刻 电子束光刻 离子束光刻 光刻工艺分类 第一类是直写式光刻系统，如电子束光刻、离子束光刻等。它利用电子束、离子束等粒子束在涂有光刻胶的衬底上直接刻写所需要的图形。这一种工艺不需要掩模，但效率比较低 第二类是平行式光刻系统，它依赖于掩模的遮挡作用，在底片的记录介质上复制图形的光刻方式，如X射线光刻，紫外线光刻等，这种光刻方式具有大规模生产能力 平行式光刻系统 第一种是接触式曝光。掩模与底片紧密接触，可以产生与掩模图形大小相等的图形。由于与底片紧密接触，所以对掩模的损害比较大。 第二种是接近式曝光。掩模与底片之间留有一定间隙，产生的图形与掩模图形也相等。但因光在间隙上的衍射将使图形质量变差 第三种称为投影式曝光。经掩模调制过的光图形，通过光学系统后，再记录到光刻介质上。这种方式分辨率高，不沾污掩模版，重复性好，可以产生比掩模图形小的图形 几种光刻技术的比较 光学光刻由于受到波长和光的衍射效应的影响，无法达到非常高的分辨率。现在一般认为，紫外光刻的极限为100nm 电子束光刻分辨率最高，可达到几个纳米。电子束曝光采用直接写的技术，因此曝光速度很慢，不适用于大硅片的生产 离子束光刻分辨率和灵敏度可能超过电子束光刻，但这项技术不成熟，仍在完善中。 同步辐射X射线光刻的基本原理 X射线光刻实际上是一种1:1的接近式光刻方法。按照X射线源的类型，它分为普通X射线光刻与同步辐射X射线光刻（SRXL）。除光源不同外，它们的工作原理基本相同。 同步辐射X射线光刻的分辨率 对于接近式光刻，分辨率受到菲涅尔光的衍射作用产生的物理限制可由下式表示 其中，?为波长，g是掩模和基片之间的距离 通常当波长进入纳米量级时，光在光刻胶中产生的二次电子散射的作用范围随波长缩短而明显扩大，从而使分辨率下降 边缘衍射对图形的影响 衍射对光刻图形的影响 影像畸变和半影模糊 实际的光束不能完全平行。由于光源的不平行，又会产生其它效应影响分辨率 对于点光源，它可能在基片边缘产生影像畸变?。而对于光源线度为d的线光源，即使在基片中心也会产生半影模糊? 同步辐射X射线光刻的关键技术 同步辐射光源 掩模 光刻胶 光刻机 同步辐射在X射线光刻中的优势 由于同步辐射X射线波段范围宽、波长连续可调，因此可根据掩模板材料和光刻胶性能选择最佳曝光波长或波段范围 同步辐射的强度高，功率密度比普通X射线源高两个量级以上，可大大缩小曝光时间，提高曝光效率 同步辐射是一种时间上的准均匀辐射，它有利于曝光过程中的热消散 由于同步辐射光源高度平行，使光刻中的影像畸变和半影模糊值很小，大大提高曝光分辨率和套刻精度 光刻需要的同步辐射光源 在储存环上建立专用于同步辐射X射线光刻的光束线。它产生的同步辐射光源的波长范围、光强、分辨率及尺寸等都可满足光刻的要求。 使光刻胶尽可能多地吸收入射的计量，从而降低对光刻胶灵敏度的要求 使掩模吸收体的高宽比尽量缩小，从而降低掩模的制作难度 避免掩模和光刻胶下的衬底产生大量的光电子 同步辐射X射线光刻中的掩模 SRXL是一种1:1的接近式光刻方法，因此1:1式掩模的制作就成为SRXL的关键技术 SRXL掩模主要由吸收体图形、衬底和加强环构成。与光学掩模相比，同步辐射X射线光刻掩模制作难度较大，对吸收体和衬底材料也有特殊要求 掩模衬底 有足够的坚韧性，能够支撑其上面的吸收体 有较好的辐射稳定性 要在曝光的X射线波段范围内有高的透射率（>50%） 在可见光波段（波长632nm）有较好的光学透明度,以利于光学对准 通常使用原子系数小的材料，如Si、SixNy、BN、SiC、金刚石薄膜等。其中SiC和金刚石薄膜都被认为是较为理想的衬底材料 吸收体材料 有适当的X射线吸收系数，以保证掩膜反差 易于用常规的方法制备低缺陷密度的亚微米图形。 与衬底有良好的附着性及热匹配特性 有好的材料稳定性 用于吸收体的材料主要有W、Au、Ta 、Ni、Cu等 吸收体的厚度在0.5-1.0?m之间。 光刻胶 X射线光刻胶的主要指标为灵