新型IC芯片封装技术概述.pptx

新型IC芯片封装技术概述;电子产品与微电子制造 三维电子封装技术 层间互连技术 高密度键合互连技术;电子产品是智能化商品;电子产品的核心是集成电路;微电子产品的基本构成与互连的关系;互连作用;晶体管制造与互连 30-500纳米;摩尔定律已接近极限;;三维集成与封装的主要方法;TSV使晶圆与封装厂合作变得更紧密;三维封装市场需求及市场规模;CSCM (Chip Scale Camera Module) – WLP;TSV-3D封装中的关键技术;各工艺所占成本比例;;湿法刻蚀;激光加工;深层等离子体刻蚀工艺( DRIE);典型的DRIE工艺;三种硅通孔制作手段比较;晶圆减薄;研磨、抛光和刻蚀;RIE和Backside Processing;三维叠层封装是今后电子封装技术发展的必然趋势 通过硅通孔镀铜互连的TSV封装将成为三维封装技术的主流;Via last 镀铜填充; 通过两种以上的添加剂实现高深宽比填充，不允许产生空洞。普通添加剂很难获得满意效果; 从TSV数百微米的硅孔，到大马士革铜互连的数十纳米，需要采用不同的添加剂，难度非常大; 大马士革镀铜，要求每分钟镀一片，TSV要求20分钟以内，业内有采用甲基磺酸铜的倾向;杂质含量多要求在ppb量级水平，微尘数量必须在很少的范围;我们取得的核心成果;加速区;;电镀/印刷;含Cr中低温新型无铅焊料;三维封装对键合技术的新要求;高密度微凸点的电沉积制备技术;各种各样的电镀凸点;电镀凸点应注意的事项;低温键合互连技术进展;Au-In低温互连;基于纳米阵列材料的低温固态互连技术; 表面纳米阵列材料是指表面纳米管、纳米球、纳米线、纳米孔等纳米结构有序排列的阵列材料。表面纳米阵列材料可采用光刻，铝氧化模板，气相沉积和自组装等方法制备，但设备和工艺复杂，难于实现大面积可控制备。本技术通过特殊的电化学定向电结晶方法成功开发了镍基、钴基以及铜基表面纳米针锥阵列材料（NCA）的可控制备技术，为在各领域的应用创造了条件。;表面纳米阵列材料的可控制备技术;剪切强度 （MPa）;600 ℃; 随着集成电路的高密度、多功能化，对铜互连材料与工艺的要求也越来越高，很多性能都将会对可靠性产生影响。如抗氧化性，电迁移特性，热稳定性、界面反应等。在我们的研究???，发现了不同的晶格取向将对铜氧化性能产生较大的影响，晶格取向不同、氧化速度各异，氧化膜的性能也将发生变化。;THANKS