2020活性炭滤网技术资料.pptVIP

下载本文档

7
0
约3.88千字
约 38页
2020-12-07 发布于天津
举报
版权申诉

2020活性炭滤网技术资料.ppt

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

德崧股份有限公司 1 CARBON FILTER 德崧股份有限公司 2 內容 ? AMC 的來源與分類 ? AMC 之影響 ? 濾材種類與形式 ? 濾網種類 ? 考慮事項 ? 檢測與監測德崧股份有限公司 3 AMC : Airborne Molecular Contamination 德崧股份有限公司 4 無塵室的 AMC ：來源 ? 製程化學品、反應副產物 ? 溶劑酸鹼 ? 清淨室物質的 outgasing ? 人員：氨、硫化物 ? 災害：溢出的化學物質 ? 外部空氣： ? 循環空氣：德崧股份有限公司 5 SEMI F21-95 分類 ? Acid ? Base ? Condensable ? Dopant 德崧股份有限公司 6 ACID ? 一種腐蝕性物質其化學反應性質為電子接受者 ? HF(Hydroflouric Acid) 氫氟酸、 HNO 3 （ Nitric Acid ）硝酸、 H 3 PO 4 （ Phosphoric Acid ）磷酸 … 德崧股份有限公司 7 無塵室濃度 - ACID Contaminant Concentration Range (ppt) HF 40k 250k HNO 3 20k 250k H 3 PO 4 10k 400k H 2 SO 4 10k 300k 德崧股份有限公司 8 BASE ? 一種腐蝕性物質其化學反應性質為電子提供者 ? Ammonia 、 NMP 、 Methylamine 德崧股份有限公司 9 無塵室濃度 - BASE Contaminant Concentration Range (ppt) Ammonia 10k 200k NMP 20k 300k 德崧股份有限公司 10 CONDENSABLE ? 一沸點高於室溫的物質（非水）於大氣壓力下可凝結於清潔表面 ? Hydrocarbons VOC 、 DOP 德崧股份有限公司 11 無塵室濃度 - CONDENSABLE Contaminant Concentration Range (ppt) Acetone 20k 250k Toluene 10k 200k 德崧股份有限公司 12 DOPANT ? 一化學元素會改變半導體原料的電性 ? Boron （硼）、 Phosphours （磷） Arsenic （砷）德崧股份有限公司 13 無塵室濃度 - Dopant Contaminant Concentration Range (ppt) Boric Acid ND 200k Phosphorous ND 5k Arsine ND 50k 德崧股份有限公司 14 AMC 之影響 ? T-topping of resist by organic bases ? Forms crusty surface on resist - ammonia ? Defective epitaxial growth ? Unintentional doping ? Uneven oxide growth ? Changes in surface properties, wettability, hydrophobization ? Corrosion ? Decreased metal pad adhesion ? Silicon Carbide formation 德崧股份有限公司 15 AMC 之影響 - I Deep ultraviolet (DUV) photoresist T-topping PHOTO ?? Uncontrolled boron or phosphorus doping DF ?? Etch rate shifts and corrosion ETCH ?? SiC formation following pre-oxidation clean DF ?? Threshold voltage shifts QA ?? Nucleation irregularities (CVD)