pecvd镀膜技术简述.pptVIP

PECVD镀膜技术简述 报告人：姚骞 日期：2010-3-9 Outline PECVD技术分类 PECVD技术简介 PECVD技术比较 小结 PECVD技术分类 直接法和间接法的区分，主要基于激发等离子体是否在腔室内还是在腔室外，如左图所示 一般而言，氨气先于硅烷等离子化，而是否为直接或间接主要是指氨气电离的区域的差异 德国Centrotherm、国产48所/SevenStar/捷佳伟创_炉管式直接型 炉管式直接法PECVD通常的频率为40KHZ，沉积速率较慢，且对表面损伤严重，但是钝化效果较佳，尤其是体钝化效果最好； 为减小对表面造成的损伤，采用脉冲式的间断低频场，在电学控制及沉积稳定性方面较佳。 国产管式PECVD与Centrotherm之间的异同。从原理及镀膜方式上，前后二者没有实质性的差别，采用相同的原理和相同的方式进行氮化硅薄膜的沉积，主要的差异体现在三个方面： Centrotherm工艺控制灵活、安全、便捷，在工艺程序上可 操作性更大；在温控、功率和气压控制方面，国产PECVD也存在着一定的差距； 安全性能更好，稳定性好，在起始阶段，国产设备与Centrotherm没有太大的差别，但随着工艺运行的次数增加，其工艺稳定性差别明显，国产设备镀膜均匀性略差； 自动控制系统更安全、便捷。 管式PECVD最大的缺陷在于因使用石墨舟作为电极，而随着石墨舟使用次数的增加，导电性和导热性能均会大幅下滑，会导致镀膜品质变差。 各种PECVD技术简述 Roth & Rau_平板式微波间接型 OTB_直流间接型 直流法的沉积速率很高可达20nm/s，远高于其他PECVD。主要原因在于其等离子体分成上游和下游两个腔体，在上游腔体气体压力很高，达到亚大气压(sub-atmospheric pressure>时，离化率可达10%； 由于上下游存在气压差别，因此下游腔室的分解不会影响上游；电源是直流的，因此也会使得操作容易。更加关键的是，由于在下游气体腔室没有等离子体，因此没有对衬底的轰击。 OTB PECVD另一个最大的优点在于其独特的三角等边等离子源分布，且镀膜面向上，具有极佳的镀膜均匀性。 微波法通常的频率为2.45GHZ，频率很高。由于频率很高，等离子进入硅片表面较浅，钝化效果较差，尤其是体钝化效果很差。 微波法对硅片表面的轰击较小，镀膜均匀性较好，沉积速率较快，约为1nm/S，且较之于炉管式PECVD，耗气量较小。 微波法温度难于控制，目前尚无明显改进，加之腔室内大量沉积氮化硅，导致腔室洁净度随着工艺运行而逐渐变差，膜质致密性较差。 PECVD技术比较 PECVD技术类型 方法 电极 频率 温度 沉积速率 点间均匀性 片间均匀性 表面损伤 表面钝化 体钝化 膜致密性 光谱响应 Centrotherm/48所/捷佳伟创 直接 硅片/石墨板 40K 100℃-600℃ 0.1-0.3nm/s ±4% ±4% 严重 很差 很好 很好 短波很差，长波很好 Roth&Rau 间接 微波源 2.45G 250℃-450℃ <1.5nm/s ±3% ±4% 最轻 很好 很差 很差 短波很好，长波很差 OTB 直接 直流电极 0 250℃-450℃ 4-20nm/s ±2% ±2.5% 轻 差 一般 很差 短波较好，长波较差 整体来讲，各种PECVD技术主要的区别在于频率、电极及沉淀方式，尤以频率最为显著。 主要的频率源有射频和微波源两种，频率越高，离子密度越大，频率增加时，电场强度降低，离子能量也下降，对靶材的轰击作用减弱，即频率越高，离子浓度越大，相应的离子能量越小，如左图所示，但同时频率越低晶界钝化效果显著。 频率与饱和电流。因为目前所有PECVD技术通常的沉积温度均在350-450℃之间，且温度均是可在大范围内可调控的参量，所以温度不具有比较意义。在相同沉积温度的条件下，对于低频，折射率n为2.3 时，饱和电流较高，且与温度无关，对于高频，n=1.9时饱和电流较高，接近LF，但是n=2.3时较低，对于离域PECVD(2.45GHz)， n=2.3时，表现差异性较大，如左图所示。 不同频率与退火。对于低频技术，退火会明显降低JoE，因此，在低频技术中退火成为表面钝化的一部分。而对于高频技术，退火对JoE的影响不显明，如右图所示。（薄膜条件:400℃沉积，60nm厚） 小结 从工艺角度看，无论直接法还是间接法PECVD，最主要的影响因素电极方式、频率，直接影响镀膜后氮化硅薄膜的致密性和均匀性，以及对硅片表面的损伤和钝化效果的优劣，进而产生转换效率的差异。 国产PECVD和同类型进口PECVD比较，在镀膜原理和实现方式上没有差别，主要存在的问题是工艺稳定性和其稳定性的持续性上，国产PECVD要略差于同类别进口