2020第七章半导体存贮器.pptVIP

（ 2 ）选用 16 × 4 位 ROM ，画存储矩阵连线图： 21 在前面介绍的两种存储器中，其存储 单元中的内容在出厂时已被完全固定下来， 使用时不能变动，称为 固定 ROM 。 有一种可编程序的 ROM ，在出厂时 全部存储 “ 1” ，用户可根据需要将某些 单元改写为 “ 0”, 然而只能改写一次， 称其为 PROM 。 字线 若将熔丝烧断， 位 该单元则变成“ 0” 。 线 显然，一旦烧断后 熔 不能再恢复。 断 丝 22 PROM 中的内容只能写一次，有时 仍嫌不方便，于是又发展了一种可以改 写多次的 ROM ，简称 EPROM 。它所存 储的信息可以用紫外线或 X 射线照射擦 去，然后又可以重新编制信息。 23 7.2.2 可编程 ROM （ PROM ） 总体结构与掩模 ROM 一样，但存储单元不同 ? 熔丝由易熔合金制成 ? 出厂时，每个结点上都 有 ? 编程时将不用的熔断 ！ ！ 是一次性编程，不能改 写 24 总体结构与掩模 ROM 一样，但存储单元不同 一、用紫外线擦除的 PROM （ UVEPROM ） 7.2.3 可擦除的可编程 ROM （ EPROM ） 25 SIMOS ( Stacked ? gate Injuction MOS ) 叠栅注入 MOS 管 G c : 控制栅 G f : 浮置栅 工作原理： 若 G f 上充以负电荷，则 G c 处正常逻辑高电平下不 导通 若 G f 上未充负电荷，则 G c 处正常逻辑高电平下导 通 26 “写入”：雪崩注入 , D ? S 间加高压（ 20 ~ 25 V ） , 发生雪崩击穿 ， 同时在 G c 上加 25 V , 50 ms 宽的正脉冲， 吸引高速电子穿过 SiO 2 到达 G f , 形成注入电荷 “擦除”：通过照射产 生电子 ? 空穴对，提供泄放通道 紫外线照射 20 ~ 30 分钟（阳光下一周，荧 光灯下 3 年） 27 2 二、电可擦除的可编程 ROM （ E PROM ） 总体结构与掩模 ROM 一样，但存储单元不同 为克服 UVEPROM 擦除慢，操作不便的缺 点 采用 FLOTOX ( 浮栅隧道氧化层 MOS 管 ) G f 与 D 之间有小的隧道区， SiO 2 厚度 ? 2 ? 10 m 当场强达到一定大小（ 10 V / cm ） , 电子会穿越隧道 ? ? ? “隧道效应” 28 7 ? 8 工作原理： G f 充电荷后，正常读出 G C 电压（ 3 V ）下， T 截止 未充电荷时，正常读出 G C 电压（ 3 V ）下， T 导通 充电： W i , G C 加 20 V , 10 ms 的正脉冲， B j 接 0 电子隧道区 ? G f 放电： G C 接 0 ， W i , B j 加正脉冲， G f 上电荷经隧道区放电 29 三、快闪存储器（ Flash Memory ） 为提高集成度，省去 T2 （选通管）改用叠栅 MOS 管 （类似 SIMOS 管） G f 与衬底间 S i O 2 更薄（ 10 ~ 15 nm ） * 工作原理： 向 G f 充电利用雪崩注入方式 ， D ? S 加正压（ 6 V ）， V ss 接 0 30 G f 与 S 区有极小的重叠区 ? （隧道区） G f 放电，利用隧道效应 G f 上电荷经隧道区放电 G c ? 0 , V ss 加 12 V , 100 ns 的正脉冲 G c 加 12 V ， 10 us 的正脉冲 V pp V cc VPP 27 V IH (PGM) 10 9 1 V CC PGM A 0 A 1 A 2 A 3 A 4 A 5 A 6 A 7 A 8 A 9 A 10 A 11 A 12 CS OE GND 8kB? á8 2764 28 A 12 ~ A 0 D 7 0 ~ D 地 四． EPROM 举例 —— 2764 2764 CS 地 址 输 8 7 6 5 4 PGM O 0 O 1 O 2 O 3 11 12 13 15 16 17 18 19 数 据 输 出 3 25 24 21