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第四章 金属半导体结 一 名词 概念 术语 问 题 ? ? ? ? ? 整流接触（整流结） 欧姆接触（非整流结） 肖特基势垒高度：金属－半导体结从金属到半导体的势垒。 肖特基效应：镜象力使势垒降低的效应。 画出金属和 N 型半导体在形成理想接触前后的能带图并说 明肖特基势垒的形成。 N 型半导体在形成接触之前的 解： 图（图 4.1 ）为金属和 q ? m 大于半导体的功函 理想的能带图。其中金属功函数 q ? S 。 ? S 为半导体的电子亲和势。图中假设了半导体表面 数 没有表面态，其能带直到表面都是平直的。用某种方法把 ? S ? q ? m ，电子将从半导体渡越 金属和半导体接触，由于 q 到金属。使半导体表面出现未被补偿的离化施主的正电荷， 金属表面则积累负电荷，同时二者的费米能级拉平。电中 性要求金属表面的负电荷与半导体表面的正电荷必须量值 相等符号相反。金属表面的负电荷是多余出来的导电电子， 只占据很薄的一层（约 0.5 nm ）。 nm 由于半导体中施主浓度比金属中电子浓度低几个数量级， 所以半导体中的正电荷将占据相对较厚的一个薄层，即在 半导体表面形成了空间电荷层。和 P ? N 结一样，空间电 荷的电场将阻止半导体中电子流入金属。达到热平衡时形 成稳定的自建电场和自建电势，半导体的能带向上弯曲， 形成了阻止半导体中电子向金属渡越的势垒。 P ? N 结二极管之间的比较：基本区 肖特基势垒二极管和 P ? N 结二极管是少 别在于肖特基势垒二极管是多子器件， 子器件。因此：（ 1 ） 由于没有少数载流子贮存，贮存时 间可忽略不计，肖特基势垒二极管对于高频和快速开关的 应用来说是理想的；（ 2 ）由于多数载流子电流远高于少 数载流子电流，肖特基势垒中的饱和电流远高于具有同样 P ? N 结二极管，因此，对于同样的电流，在肖特基 面积的 P ? N 结上的低得多，低的接通电 势垒上的正向电压降要比 压使得肖特基二极管对于箝位和限辐的应用具有吸引力； （ 3 ）多子数目起伏小，因此肖特基二极管噪声小；（ 4 ） 温度特性好。 ? ? 画出加偏压肖特基势垒能带图，说明肖特基势垒二极管 的整流特性 解： 若在半导体上相对于金属加一负电压 V ，则半导 ? 0 ? V ，半导体中的电子 体 — 金属之间的电势差减少为 q ? 0 变 qV ，势垒高度则由 能级相对金属的向上移动 ? b 基本上保持不变（图 4-2b ）。在半导体 q ( ? 0 ? V ) ，而 成 一边势垒的降低使得半导体中的电子更易于移向金属，这 V R 加 是正向偏压条件，能够流过大的电流。如果是正电压 于半导体上，这便是反向偏压条件（图 4-2c ），则势垒被 q ( ? 0 ? V R ) ，同样 ? b 基本上保持不变。提高的势垒阻 提高到 挡半导体中的电子移向金属，电流很小（图 4-2c ）。（图 4.2 ） 画出集成结构示意图说明肖特基势垒钳位晶体管的工作原 理（图 4.13 ） ? 解：由于肖特基势垒具有快速开关响应，因而可以把它 和 NPN 晶体管的集电极 ? 基极结并联连接，以减小晶体管 的贮存时间。当晶体管饱和时，集电结被正向偏置约 0 . 3 V ） 达 0 . 5 V 。若在肖特基二极管上的正向压降（一般为 低于晶体管基极 ? 集电极的开态电压，则大部分过量基极 电流流过二极管，该二极管没有少数载流子贮存效应。因 此，与单独的晶体管相比较，合成器件的贮存时间得到显 著的降低。肖特基势垒箝位晶体管是按示于图 4-13b 的结 构以集成电路的形式实现的。铝在轻掺杂的 N 型集电区上 P 型基区上 而形成极好的肖特基势垒，并同时在重掺杂的 面形成优良的欧姆接触。 ? 为什么金属与重掺杂半导体接触可以形成欧姆接 触？ 19 ? 3 10 cm 或 ? 答：若半导体为重掺杂（例如，具有 更高的杂质浓度时），则空间电荷层宽度变得如 此之薄，以至载流子可以隧道穿透而不是越过势 垒。由于在势垒每边的电子都可能隧道穿透到另 一边，因此实现了在正反向偏压下基本上对称的 I ? V