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详细讲解 MOSFET 管驱动电路 在使用 MOS 管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑 MOS 的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也 许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对 MOSFET 及 MOSFET 驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资 料，非全部原创。包括 MOS 管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 1，MOS 管种类和结构 MOSFET 管是 FET 的一种（另一种是 JFET ），可以被制造成增强型或耗尽型， P 沟道或 N 沟道共 4 种类型，但实际应用的只有增强型的 N 沟道 MOS 管和增强型的 P 沟道 MOS 管，所以通常提到 NMOS ，或者 PMOS 指的就是这两种。 至于为什么不使用耗尽型的 MOS 管，不建议刨根问底。 对于这两种增强型 MOS 管，比较常用的是 NMOS 。原因是导通电阻小，且容易 制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用 NMOS 。下面的介绍中，也多以 NMOS 为主。 MOS 管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺 限制产生的。 寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些， 但没有办 法避免，后边再详细介绍。 在 MOS 管原理图上可以看到， 漏极和源极之间有一个寄生二极管。 这个叫体二极管， 在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的 MOS 管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。 2 ，MOS 管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS 的特性， Vgs 大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端 驱动），只要栅极电压达到 4V 或 10V 就可以了。 PMOS 的特性， Vgs 小于一定的值就会导通，适合用于源极接 VCC 时的情况（高 端驱动）。但是，虽然 PMOS 可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格 贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用 NMOS 。 3 ，MOS 开关管损失 不管是 NMOS 还是 PMOS ，导通后都有导通电阻存在， 这样电流就会在这个电阻 上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的 MOS 管会减小导通 损耗。现在的小功率 MOS 管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 MOS 在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。 MOS 两端的电压有一个下 降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内， MOS 管的损失是电压和电 流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失 也越大。 导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减 小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都 可以减小开关损失。 4 ，MOS 管驱动 跟双极性晶体管相比， 一般认为使 MOS 管导通不需要电流， 只要 GS 电压高于一 定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。 在 MOS 管的结构中可以看到， 在 GS ，GD 之间存在寄生电容， 而 MOS 管的驱动， 实际上就是对电容的充放电。 对电容的充