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反应离子刻蚀的研究 摘要： 反应离子刻蚀（ RIE ）是一种物理作用和化学作用共存的刻蚀工艺，兼有离子溅射刻蚀和等离子 化学刻蚀的优点，不仅分辨率高， 同时兼有各向异性和选择性好的优点， 而且刻蚀速率快。通过改变 RIE 刻蚀参数如：射频功率、腔体压强、气体流量、气体组分等可以调整两种刻蚀过程所占比重。因此，优 化刻蚀工艺就是要选择最优的刻蚀参数组合，在减小刻蚀损伤的同时保证光滑的刻蚀表面和一定的刻蚀 速率以及方向性。 本文归纳总结了常见薄膜的刻蚀优化方法。 关键词： 反应离子刻蚀；离子溅射；刻蚀速率；均匀性 Research of Reactive Ion Etching Lu Dongmei, Yang Fashun (College of Science, Guizhou University, Gui Yang of Guizhou, 550025 ) Abstract: Reactive ion etching (RIE) is a kind of physical function and chemical etching, high resolution, anisotropic and good selectivity, and the etching rate is fast. By changing the RIE etching parameters: such as, RF power, cavity pressure, gas composition, can adjust the two etching process. Therefore, optimize the etching process is to select the optimal etching parameters combination, reducing the etching damage at the same time ensure smooth etched surface and certain etching rate. This article summarizes the common of thin film etching method. Reactive ion etching; ion sputtering; etching rate; uniformity Key words: 0 引言 用光刻方法制成的微图形，只给出了电路的行貌，并不是真正的器件结构。因此需将光刻胶上的微 图形转移到胶下面的各层材料上去，这个工艺叫做刻蚀。通常是用光刻工艺形成的光刻胶作掩模对下层 材料进行腐蚀，去掉不要的部分，保留需要的部分。 刻蚀分为湿法刻蚀和干法刻蚀两类。湿法刻蚀是将硅片浸泡在可与被刻蚀薄膜进行反应的溶液中， 用化学方法除去不要部分的薄膜。干法刻蚀主要利用气体辉光放电产生化学活性基、原子、离子等多种 化学成分和被腐蚀物质表面发生作用，是一复杂的物理、化学过程。随着图形的微细化对刻蚀分辨率的 要求不断提高，干法刻蚀以其可控性好、精确度高、较好的表面形貌、宜批量生产等特点受到普遍重视。 干法刻蚀加工方法主要有溅射与离子束铣蚀、 等离子刻蚀 (Plasma Etching) 、反应离子刻蚀 (RIE) 等。 RIE 是一种物理作用和化学作用共存的刻蚀工艺， 兼有离子溅射刻蚀和等离子化学刻蚀的优点， 不仅分辨 率高， 同时兼有各向异性和选择性好的优点， 而且刻蚀速率快 。RIE 的各向异性可以实现细微图形的转换， 随着大规模集成电路工艺技术的发展， 为满足越来越小的尺寸要求， RIE 已成为亚微米及以下尺寸最主要 的刻蚀方式。 结构尺寸越小，对刻蚀工艺的要求也就越高。一方面，要求高度的各向异性以得到刻蚀图形垂直的 侧壁；另一方面，要求很高的选择性和均匀性，使得图形层在刻蚀穿透的瞬间达到终止刻蚀过程；再者， 还需要高的刻蚀速率以及良好的刻蚀截面和表面形貌 [1,2] 。 1 RIE 的基本原理 RIE 是一种物理作用和化学作用