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第一章 第一节 半导体三大特性 搀杂特性 热敏特性 光敏特性 2 本征半导体 是纯净（无杂质）的半导体。 3 载流子 (Carrier) 指半导体结构中获得运动能量的带电粒子。 有温度环境就有载流子。 绝对零度（ -2730C ）时晶体中无自由电子。 4 本征激发 （光照、加温度） ，会成对产生电子空穴对 自由电子 (Free Electron) 空穴 (Hole) 5 N 型半导体 ：电子型半导体 多子 (Majority) ：自由电子 (Free Electron) 少子 (Minority) ：空 穴 (Hole) 自由电子数 = 空 穴 数 + 施主杂质数 6 P 型半导体 ：空穴型半导体 多子 (Majority) ：空 穴 (Hole) 少子 (Minority ：自由电子 (Free ) 空 穴 数 = 自由电子数 + 受主杂质数 对 N 型半导体 Nn ·Pn = ni 平方 - 1 - 其中： nn 为多子 , Pn 为少子 ni2 为本征载流子浓度 同理， P 型半导体 8 结论 杂质半导体 少子浓度 – 主要由 本征激发（ Ni2）决定 的（和温度有关） 杂质半导体 多子浓度 – 由搀杂浓度决定（是固定的） 9 本征半导体中电流 半导体中有两种电流 – 漂移电流 (Drift Current) – 是由电场力引起的载流子定向运动 – I =In + Ip 其中 In 为电子流， Ip 为空穴流 In 和 Ip 的方向是一致的。 – 扩散电流 (Diffusion Current) – 是由于载流子浓度不均匀（浓度梯度）所造成的。 – 由上式可见扩散电流正比于浓度分布线上某点处的斜率 dn(x)/dx 或 dp(x)/dx 。 – 扩散电流与浓度本身无关。 第二节 PN 结 1 PN 结是 指使用半导体工艺使 N 型和 P 型半导体 结合处所形成的 特殊结构。 PN 结是构成半导体器件的 核心结构。 空间电荷区 耗尽层 自建电场 势垒区 阻挡层。 PN 结形成 “三步曲 ” 1）多数载流子的 扩散运动。 2）空间电荷区和少数载流子的漂移运动。 3）扩散运动与漂移运动的动态平衡。 势垒区 PN 结建立在 N 型和 P 型半导体的结合处， 由于扩散运动， 失空穴和电子后形成不能移动的负离子和正离 子状态，这个区域称为空间电荷区（耗尽层） 。 PN 结又称为 – 自建电场、 – 阻挡层。 4 当外加电压时， PN 结的结构将发生变化 （空间电荷区的宽窄变化） 正向偏置 - 2 - P 接电源正， N 接电源负 ? 外电场与内电场方向相反（削弱内电场） ，使 PN 结变窄。 ? 扩散运动＞漂移运动。 ? 称为 “正向导通 ”。 反向偏置 P 接电源负， N 接电源正 ? 外电场与内电场方向相同（增强内电场） ，使 PN 结变宽。 ? 扩散运动＜漂移运动 ? 称为 “反向截止 ” PN 结伏安特性 单向导电性 – 正向导通 开启电压 – 反向截止 饱和电流 PN 结电阻特性 两种电阻 （ 1）静态电阻（直流电阻） R= V/I 2）动态电阻（交流电阻） r = △ v / △ I PN 结电容特性 PN 结呈现电容效应 有两种电容效应 势垒电容 （和反向偏置有关 ） CT PN 结外加 反向偏置时，引起 空间电荷区体积的变化（相当电容的极板间距变化和电荷量的变化） – 扩散电容 （和正想偏置有关 ） CD – PN 结外加 正向偏置时，引起 扩散浓度梯度变化 出现的电容（电荷）效应。 两者是 并联关系： – 正向时，电阻小， 电容效应不明显 。 – 反向时，电阻大， 电容效应明显 。 故 电容效应主要在反偏时才考虑 8 反向击穿 当对 PN 结 外加反向电压超过一定的限度， PN 结会从反向截止发展到。 反向击穿破坏了 PN 结的单向导电特性。 ? 利用此原理可以制成 稳压管。 ? 电击穿有两种机理机理 可以描述： – 雪崩击穿 低掺杂，（少子，加速） – PN 结宽， – 正温系数， - 3 - – 常发生于大于 7 伏电压的击穿时（雪崩效应） – – 齐纳击穿 高掺杂，（强电场拉出电子） – PN 结窄， – 负温系数 ， – 常发生于小于 5 伏电压的击穿时（隧道效应） – 二极管 是由管芯 (PN 结 )加电极引线 和管壳 制成。 平面型 二极管： 面接触型 二极管：适合整流， 低频应用 (结电容大 ) 点接触型 二极管 ：适合检波，可高频应用 (结电容小 ) 10 主要参数 最大整流电流 IF 管子稳定工作时，所允许通过的最大正向平均电流。 最大反向工作电压 VR 指工作时允许所加最大反向电压。 （通常取击穿电压