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铌在电容器中的应用 Daniel F. Pérsico, Brian J. Melody ，Tony Kinard, Larry Mann James J. Beeson, Joseph Nance KEMET 电子公司，P.O. Box 5928 ，Greenville, SC 29606 摘要：电容器是所有电子仪器的重要元件。十多年来，随着电子电路越来越复杂，每个有源器件 （集成电路）中的电容器已经从3 个增加到 6 个。铌的氧化物用于陶瓷电容器和铅张弛震荡器的 制造已有许多年。最近，由于电子管金属质量的提高，可以用铌做出铌基的固体电解质电容。本 文讨论了 Nb2O5 在陶瓷电容器制造中的应用和重要性，以及铌用于电子管金属电容器的最近进展 情况。 1 铌在固体电解质电容中作为电子管金属 1.1 背景介绍 从 20 世纪 50 年代中期固体钽电容器的大量生产开始，这种类型的电容器已成为电路设计人 员选择温度范围宽、单位体积电容量大且电压相对较低的电容器时的元件。在这种类型的电容器 中，以氧化锰阴极材料代替液体电解质，使钽电容器适应恶劣的工作条件并有极高的可靠性。 伴随 20 世纪 80 年代能够传递电荷的有机化合物在电容器中应用，发现铝可以做成固体电容 器，通常的阴极材料是 T.C.N.Q 胺盐。这种元件工作电压低，性能远优于液体或半固体的铝电解 质电容器。 在过去的 20-年中，基于聚合苯胺、热聚合体 、聚合噻吩及其衍生物的导电聚合物阴极材料 取得本质性的发展，使含有导电聚合物阴极材料的钽和铝电解质电容器得到应用。含有导电聚合 物阴极材料的电解质电容器与含有氧化锰阴极材料的电解质电容器相比，它有更低的等价串联电 阻（比含有液体电解质阴极材料的电容器具有更低的 E.S.R. ）。 选择钽和铝电解质电容器主要从性能和经济方面考虑，钽电容器比铝电容器有较高的 CV 密 度（体积电效率）（即同样电压条件下，单位体积的最大电容量更大）。由于在其结构中薄的铝箔 所产生的电流通过的路程很短，最近研用的包含铝电容器的堆栈箔形式的有机聚合物比大多数钽 电容器的E.S.R.低一些。由于自然界中钽金属相对缺乏，相同级别的钽电容器明显地比铝电容器 昂贵。因与材料和处理导电聚合物有关的成本高，这使含有这些材料的表面贴膜铝电容器的制造 成本与钽电容器的成本相当，现在，这些电容器的卖价相同。 目前，钽粉比较缺乏，原料供应成为不利因素。不过，可以用铝电容器做一些电路。做铝电 容器需要的设备与做钽电容器需要的设备很不相同。前面已经提到，对于给定的尺寸，钽电容器 明显比铝电容器的电容量高，而且一些规格的电容器还不能由铝制造。 铌作为元素周期表中钽的同族元素，提供了制造电子管金属的可能性（电子管金属是形成具 有整流性质的阳极氧化膜且加正向电压时具有高的绝缘性的金属）。铌粉可以用处理坦粉的设备 进行加工处理，在电容器技术中具有同样的电子管金属功能。此外，与钽相比，铌在自然界中相 当丰富（最近估计，其储量是钽的30～100倍以上）。 自从铌可以商业化使用以来，人们就开始了用它制造稳定电容器的尝试，可是铌电容器的漏 电电流很高且不稳定，这种氧化物漏电不稳定性的原因是20 世纪 50 年代和 60 年代（1961，1962， 1963，1964，1965，1966，1967）研究钽氧化膜时遗留下来的。研究发现，氧在金属基底的可溶 性很大，使氧从阳极氧化膜向金属基底迁移，导致氧化物导电时氧的不足，因而使这种电容器紧 缺。氧的迁移是由于热扩散，室温制造的电容器的漏电可以接受，但温度高时漏电量大，且漏电 量虽电容的增大和温度的升高而增大。通过阳极化处理，使与氧化物接触的钽基底被氧饱和，然 后经过热处理步骤，钽电容器的电性能大大改善。在阴极处理以前进行二次阳极化处理，这样处 理后制造的钽电容器热稳定性非常好。 可是，铌的溶氧性比钽的溶氧性高很多，在阳极化过程中，进行一步简单的热处理不能得到 热稳定的氧化物膜。而且，用制造钽粉的工艺技术做出的铌金属粉表面积大，容易含有氟化物盐 闭塞，这些闭塞使氧化物膜出现瑕疵，其电介质性能很差。由于从传统工艺生产的铌粉使铌电容 器的阳极电介质膜出现瑕疵，且热稳定性差，阻碍了铌电容器的商业化应用。 1.2 最近进展 铌电容器粉的制造有了很多改进，参考文献[5]和[8]介绍了从电子束熔化的铌锭剥