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春电力电子技术试题 A
———————————————————————————————— 作者:
———————————————————————————————— 日期:
2
哈工大 2007 年 春 季学期
电力电子技术 试 题 A
班号
姓名
题号 一 二 三 四 五 实验 平时 总分
分数
阅卷人
(注:卷面 80 分,平时成绩 20 分)
一、填空题( 11
小题,每空 0.5 分,共 22
分)
本题得分
1、电力电子学是
由
、
和
交叉而形成的边缘学科。
2、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,可以将电力电子器件分为以下三类;
1) 的电力电子器件被称为半控
型器件,这类器件主要是指 及其大部分派生器件。
2) 的电力电子器件被称为全控
型器件,这类器件品种很多,目前常用的有
和 。
3) 的电力电子器件被称为不可控器件,
如 。
3、根据下面列出的电力电子器件参数的定义,在空格处填写该参数的名称。
参数定义 参数名称
GTR 集电极电流与基极电流之比
使 IGBT 能实现电导调制而导通的最低栅射电压
维持晶闸管导通所必需的最小阳极电流
4、在 GTR、GTO、IGBT 与 MOSFET中,开关速度最快的是 _________,单管输出功
率最大的是 _____________,在中小功率领域应用最为广泛的是 ___________。
第3页 (共 12页)
试 题: 班号:
姓名:
5、电力电子器件的驱动电路一般应具有 电路与 之间的电气隔离环
节,一般采用光隔离,例如 ;或磁隔离,例如
。
6、缓冲电路又称为吸收电路,缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。其中
缓冲电路又称为 du/dt 抑制电路,用于吸收器件的 过电压。 缓冲电路
又称为 di / dt 抑制电路,用于抑制器件 时的电流过冲和 di / dt ,减小器件的
损耗。
7、单相半波可控整流电路、单相桥式全控整流电路、三相半波可控整流电路和三相桥式全控整流电路,当负载分别为电阻负载和电感负载时,晶闸管的控制角移相范围分别是多少(用角度表示,如 0°~ 180°)?
负载 单相半波 单相桥式 三相半波 三相桥式
电阻
阻感
(注:有续流二极管)
8、在单相全控桥式电阻 - 反电动势负载电路中,当控制角 α 大于停止导电角 δ 时,晶闸管的导通角 θ=_____________。当控制角 α 小于停止导电角 δ 时,且采用宽脉冲触
发,则晶闸管的导通角 θ=_____________。
9、由于器件关断过程比开通过程复杂得多,因此研究换流方式主要是研究器件的关断方
法。换流方式可分以下四种: , ,
,
。
10、正弦脉宽调制( SPWM)技术运用于电压型逆变电路中,改
变 _可改变逆变器输出电压幅值;改
变 _ _ 可改变逆变器输出电压频率;改变
_ _ 可改变开关管的工作频率。
第4页(共 12页)
试 题: 班号:
姓名:
11、在 SPWM控制电路中,根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况, PWM调制可
分为 与_______ _ 两种类型,采用 _______ _ 调制可以综合
二者的优点。
二、选择题( 5 小题,每空 0.5 分,共 3 分)
本题得分
1、 晶闸管稳定导通的条件( ) A、晶闸管阳极电
流大于晶闸管的擎住电流
B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流
C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流
D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流
2、某晶闸管,若其断态重复峰值电压为 500V,反向重复峰值电压 700V,则该晶闸管的
额定电压是( )
A 500V B 600V C 700V D
1200V
3、( )存在二次击穿问题。
A. SCR B. GTO C. GTR D. P.MOSFET E. IGBT
4、下图所示的是( )的理想驱动信号波形。
A. SCR B. GTO C. GTR D. P.MOSFET E. IGBT
5、 IGBT 综合了( )和( )的优点,因而具有良好的特性。
A. SCR B. GTO C. GTR D. P.MOSFET
电力二极管
第5页(共 12页)
试 题: 班号:
姓名:
三、计算题( 4 小题,共 20 分)
本题得分
1、单相桥式全控整流电路, U2=200V,负载中 R=2Ω ,L 值极
大,反电势 E=120V。已知控制角的变化范围是: 0° ~30°, 考虑安全裕量 ( 按 1.5 倍计算) ,确定晶闸管的额定电压和额定电流。( 4 分)
2、单相全控桥式变流电路工作在有源逆变状态下, 已知 U2=200V,电动机反电势 E=120V,负载中 R=2Ω,L 极大。回答下列问题。 (6 分)
(1)画出变流电路的电路图,并在图中标出在有源
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