8.光谱特性概论.docx

实验8 PN结光生伏特效应光谱特性研究 实验目的 （1） 熟悉UV751-GD型分光光度计的基本结构并掌握其使用方法： （2） 通过实验过程了解PN结的光伏效应及其光谱特性的测试方法。 实验内容 测量普通硅太阳能电池、背表而场硅太阳能电池的光谱响应。 实验原理 （1）光生伏特效应与光电池 光生伏特效应简称光伏效应。它是半导体PN结的基本光学性质之一。光伏效应不仅存 在于PN结中，而且还存在于所有含有内建电势的两种固体材料的界而中。如金属-半导体 接触的肖特基势垒也有此效应。 对于浅结二极管（结深心=0」?0.5“〃？），当光线垂直于结面照射时，光子进入半导 体内，能量大于半导体禁带宽度的光子由于本证吸收而产生电子-空穴对（见图lc）o势垒区 外一个扩散长度内的光生少子受PN结内建电场的作用均被扫到对边，在n区和p区分别形 成电子和空穴的积累，产生一光生电动势。此光生电动势又给PN结以正向偏压，使PN结 的势垒减低。于是，在PN结内部，既有由n区流向p区的光生电流厶，又有与厶方向相 反的正向电流“。在稳泄光照下，开路的PN结内，厶="，形成一稳左的光生电压匕疋。 短路情况下，=0,光生电流/厶全部流经外电路。这种由内建电场引起的光电效应称为 光生伏特效应。太阳电池就是这种效应最直接的应用。 3）雀太阳电池H顶匹势垒区k 一 ― Fn1 3）雀太阳电池 H 顶匹 势垒区 k 一 ― F n 1 1 1 1 P-Si J电子 1宀 1 1 .才 J 空穴 （C）计算采用的玄阳电池结构 单位面积 -全属底电极 （b）裁面图 图1 硅太阳电池的基本结构 太阳电池基本上就是一个大面积的PN结。ATP太阳电池的基本结构如图1所示。N+ 扩散层为顶区，P型硅衬底为基区，PN结两边的耗尽层为势垒区。由图2所示的太阳辐照 光谱可见，太阳光在髙能区存在强辐照，为了充分利用这些光能，提高电池高能端的光谱响 应，故设计为浅结：同时为了收集被PN结分离的光生少子，又为了光注入，故在电池的正 而制作金属栅指电极，在电池的背面制作大而积的欧姆接触电极：为了减少硅表而光的反射 损失（在0.5~0.9微米波段，硅的反射率大于30%）,故在硅的表而又蒸镀了一层减反射膜, 其厚度为电池光谱响应峰值波长的四分之一，其折射率是空气折射率和硅的折射率的等比中 项。研究表明，这样处理可提髙电池的光电转换效率20%。 0 0.2 0.4 0.6 0. 8 1.0 L. 2 1.4 1.61.8 2.0 2.2 0 0.2 0.4 0.6 0. 8 1.0 L. 2 1.4 1.61.8 2.0 2.2 2.42.6 2. 83.0 3. 2 波长（U m） 图2太阳辐射光谱农地球大气吸收曲线 -lGu'sIM?專靡 （2）光谱响应与光电流 考虑图1（C）中的电池结构。设电池的受光而为X坐标的原点，深度方向为X的正方 向。若少子扩散长度匚大于电池总厚度H,可假左光生少子全部被PN结电场收集。这样, 太阳光照射下的光电流密度为在电池厚度H范用内被吸收的波长为0 ~ 的光子所激发的 电子■空穴对的总和与电子电荷的乘积（注意：图中电池的受光而积设立为单位而积） (1) 式中，人（几）是太阳光中波长为2、带宽为说的入射 光在单位时间内入射到太阳电池（单位面积）上的光 子数，简称入射光强：〃是量子产额；广（兄）为与波长 有关的反射系数；aS）为相应波长的吸收系数（见图 3） ；心,为本证吸收长波限。 式中,Z0（2）7[l-r（A）]a（2）exp[-a（A）x]= G（x） 是x处波长为2的单色光照射下光生载流子的产生 1051010*A1C?1.0 1 5 2.0 -25 3.0h ”@卩）图3几神太阳电池材科的吸收系数a 与入射光子能呈I的关系率。而 105 10 10* A 1C? 1.0 1 5 2.0 -25 3.0 h ”@卩） 图3几神太阳电池材科的吸收系数a 与入射光子能呈I的关系 写为 J￡=fj（2>U （2） 在本证半导体中能量小于禁带宽度的光子不能激发电子-空穴对，只有能量大于禁带宽 度的光子才能激发电子?空穴对。因此，能量不同的光子激发电子?■空穴对的能力也不相同， 一般用光谱响应表示不同波长的光产生电子-空穴对的能力。太阳电池的光谱响应就是某一 波长的光照射在pn结表而上时，每一光子平均所能收集到的载流子数。这里讨论两种光谱 响应：等量子光谱响应和等能量光谱响应。等量子光谱响应是指波长为2的一个光子入射 到电池上所能收集到的平均光电子数。用公式表示为 恥）=辎 而等能疑光谱响应是单位能量的某一波长的光照射到电池上所产生的光电流，公式表示为 TOC \o "1-5" \h \z = （4） 式中h是普郎克常数，c是光速。将（3）、（4）两式代入（2）式