DRV8412地隔离和输出布局问题详解.docx

作者 zhetao xu 发表于 2014-9-18 14:44 举人 945 分 为了增大输出驱动能力是否可以把 4 路输出并成一路，滤波电感选一个大电感，滤波电容选一个大电容。 这个 8412 的开发板 PCB 布局，逻辑 12V 地和驱动 PVDD的地之间需不需要隔离处理。逻辑地为数字地，驱动 PVDD的地为大电流 DRV8412 DRV8432 回复 作者 Wilson Zuo 发表于 2014-9-18 15:29 进士 5815 分 DRV8412有并联模式，两个 H 桥重叠并联，但不支持 4 个半桥并联。 EVM的设计采用了统一地，但逻辑和功率电流的回流路径是分开的，这样的布局 布线比分割地更好。 因为地分割如果没分好带来的问题更大， 也不利于保持大面积的地平面作为散热平面。 回复 作者 zhetao xu 发表于 2014-9-18 15:42 举人  945 分 Hi Wilson  ， 1.4 个半桥并联我试过可以用，但既然不推荐我也不这样用了。可能对芯片有损坏。 2.8412  两个半桥并联能输出  6A的电流，但是同时两个并联之后的两个半桥  分 别输出 3A 时 8412 会过热，贴散热片依然不行。不知道怎么解决 从布线途中，只看到了输入的电流路径是分开的， 电流回流路径都是走的地平面也没看到回流路径是分开的 回复 作者 zhetao xu 发表于 2014-9-18 15:51 举人 945 分 Hi Wilson, 用 8412 做驱动因为是单向的，所以直接两个半桥并联然后电流过电感再并联电容然后接负载接地。 右边每个并联的半桥 通过负载，就直接接地了。 现在想先并联两个半桥 ——串联 1 电感——并联 1 电容这样可以嘛 回复 作者 Wilson Zuo 发表于 2014-9-18 15:52 进士 5815 分 没错 是在 EVM板上测试的吗， EVM板上是可以跑到并联 6A 的，不过壳温会到 100C 以上。 统一地布线中，回流路径低频走最小阻抗通道，高频走最小感抗通道，一般是沿紧贴电流流入的路径的地平面回来， 看是看不到的。 关键是器件布局中要保 证逻辑部 分和功率部分彻底分开。这样电流的回流就不会串到一起。关于统一地的使用网上有很多的参考资料可以找到。 EVM中功率部分全在右侧，逻辑部分全在左侧。 回复 作者 zhetao xu 发表于 2014-9-18 16:08 举人 945 分 Hi Wilson ， 不是在 EVM上，是自己做的板子，两半桥并联后，接负载，接地。 （没有形成并行全桥）采用 4 半桥模式，两半桥并联 3.EVM 是根据电流回路走最小阻抗原理，通过布局 控制电流回路分部。逻辑回路全在左侧，功率回路在右侧。统一地的好处是，保证了参考平面的完整性，有利于信号传输的完整性。 这样理解对吗 回复 作者 Wilson Zuo 发表于 2014-9-18 16:41 进士 5815 分 Zhetao, 那过温多半是由于芯片底部焊盘焊接不良或没有焊接造成的。如果芯片底部 焊盘焊接好到足够大散热地平面上， 一般的风枪都很难吹上或吹下来。 手工焊接 时一定要 先在芯片底部焊盘上镗锡再吹焊，有一定难度。如果芯片的热焊盘焊接不良，散热效率至少低 50%以上。 PCB上请参看 EVM在顶部和底部增加足够的辐射方向 的完整铜箔，并用足够的过孔连接顶层和底层散热地平面。 没错。 回复 作者 zhetao xu 发表于 2014-9-18 16:52 举人 945 分 Hi Wilson ， 谢谢您的回答。 确实，我们是手工焊的散热不好。 不支持 4 个半桥并联。那可不可以两个半桥并联使用（两个半桥并联 ——负载——地） 之前就一直这样用， 可以正常使用。 但是不知道对芯片有没有损坏 我们现在，在做一个驱动需要两路 0-3A 电流。因为我们焊接的原因一直出现过热，所以打算用两片 8412. 每片都是两个半桥并联后接负载接地 回复 作者 Wilson Zuo 发表于 2014-9-18 17:13 进士 5815 分 请注意芯片并联时，只可以 AB并联， CD并联。同时选择相应的模式。主要是保证并联后各逻辑和保护电路正常工作。手册上有这样并联的范例。 这个电流大小是一片 DRV8412在并联模式下应该完全可以做到的， 还是散热的问题，推荐找一块 EVM先做实验，再自己根据情况画板。 另外 DRV8412需要完全工作在 PWM模式下，不支持 100%占空比驱动。 CBC限流也需用同时在两个半桥的输入端加上 PWM信号来恢复。请搜索之前关于 DRV8412 或者 DRV8432的帖子。如 /question_answer/analog/f/60/